Characteristics of amorphous ITO:X thin films deposited by DC magnetron sputtering with various contents of dopant X and post-annealing temperatures

DC 마그네트론 스퍼터링법으로 제작한 비정질 ITO:X 박막의 불순물 X 함량과 후열처리 온도에 따른 물성평가

차세대 고품질 대면적 평판 디스플레이의 투명전극으로서 ITO 박막은 제조 공정에 따라 낮은 비저항뿐만 아니라 좋은 에칭특성 및 기계적 특성을 갖는 비정질 ITO 박막을 필요로 한다. 따라서 불순물 X를 도입하여 초기 박막 핵생성 밀도 및 핵성장을 제어하여 비정질 ITO:X 박막을 제작하고, 전기적, 미세구조적 및 에칭특성 등 물성 변화를 관찰하였다.