• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.14 no.5
• /
• pp.466-471
• /
• 2003

In this paper, we introduce a new photodetector configuration that automatically aligns its receiving angle to the incident signal light. Around the central photodiode that receives the optical signal, 4 photodiodes on ${\Phi}$-axis and 2 photodiodes on $\theta$-axis are installed in order to drive 2 step motors in f and $\theta$ direction. The photodetector completes angle-alignment within Isec to the signal light from an arbitrary direction.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2002.07c
• /
• pp.1552-1554
• /
• 2002

본 논문에서는 실리콘을 기초로 한 포토다이오드를 제작하여 현재 바이오센서에서 이용되고 있는 luminol 화학 발광을 전기적으로 검출하였다. 우선, 실리콘 웨이퍼에 이온주입을 통해 p-n 접합을 형성하고 Al 전극을 형성시켜 포토다이오드를 제작하였다. PDMS을 passivation 막으로 사용하여 horseradish peroxidase(HRP) 농도 변화에 따른 발광의 최적조건과 luminol, HRP가 섞인 용액에 서로 다른 양의 과산화수소를 넣어 발광이 최대로 발생하는 혼합비를 측정하였다. 최종적으로 2mM luminol, 25U HRP 조건 하에서 과산화수소 농도에 따른 화학 발광을 측정하였으며, $10{\mu}M$부터 $500{\mu}M$ 범위의 과산화수소 농도 변화에 따른 포토다이오드의 감도는 단위 면적당 23.429pA/ ${\mu}M$이다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2004.05a
• /
• pp.202-206
• /
• 2004

본 연구에서는 고밀도로 백색 발광다이오드를 웨이퍼 상에 제작하기 위한 제조공정에 필요한 포토마스크를 제작하는 연구를 수행하였다. 발광다이오드 한 개의 패턴을 웨이퍼상에 연속적으로 배열하여 이를 병렬로 연결하는 금속배선을 고려하였다. AutoCAD의 DWG 파일로 캐드작업을 수행하여 이를 DXF 파일로 변환하였으며, 레이저빔으로 스켄하여 소다라임 유리판 위에 크롬을 식각함으로써 포토마스크를 제작하였다. 이는 기존에 제작된 개별칩 형태의 발광다이오드 제작공정을 집적공정화함으로써 웨이퍼상에서 전면 발광하는 조명광원의 구조를 갖는다. 또한 이를 활용하여 백색 발광다이오드 집적칩을 제작하려 한다.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.9 no.4
• /
• pp.274-280
• /
• 2000

This paper deals with an experimental study to apply commercial semiconductors to measure radiation dose rate for gamma ray. Since the low cost, small size, high efficiency and ruggedness of silicon photodiodes make them attractive photodetectors, they coulde be effectively used in measuring any radiation such as gamma ray. Most PN photodiodes show that the reverse current increases when the light is increased. Therefore the depletion region of them have influence on the reverse current, so we choose silicon PIN photodiodes with large depletion region. In order to detect radiation dose rate and then, to apply in developing any gamma ray dosimeter, some examinations and experiments were performed to PIN photodiodes in this work. Two kinds of PIN photodiodes, such as NEC's PH302 and SIEMENS's BPW34, were tested in a Co-60 gamma irradiation facility with a semiconductor parameter analyzer. As a result, we found that such PIN photodiodes present good linearity in diode current characteristics with dose rate. Therefore silicon PIN photodiodes could be suitably used in designing gamma ray dosimeters.

• 전자공학회논문지 IE
• /
• v.46 no.4
• /
• pp.8-15
• /
• 2009

In this paper, we are indicated CMOS Image sensor circuit SPICE analysis for the Photo Diode and pixel Modeling. We get a characteristic of the photoelectric current using a device simulator Medici and develop the Photodiode model for applying a SPICE simulation. For verifying the result, We compared the result of SPICE simulation with the result of mixed mode simulation about the testing circuit structure consisted photodiode and NMOS.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.433-434
• /
• 2008

반도체 공정 기술의 진보로 인해 InP/InGaAs로 제작된 애벌랜치 포토다이오드가 고속 광통신 시스템에서 사용되고 있다. 하지만 경계 항복에 의한 접합 부분의 강한 전기장으로 인한 문제와 항복 이득의 저하 문제로 소자 특성의 문제가 발생하고 있다. 이 논문에서는 소자 구조 변화에 따른 고속 InP/InGaAs 애벌랜치 포토다이오드의 특성 변화를 공정/소자 시뮬레이션을 이용하여 분석하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.15 no.1
• /
• pp.96-102
• /
• 2004

In this paper, optical noise is reduced by a differential detector, which is composed of a beam splitter and two photodiodes whose spectral responses are different each other. In this configuration, the automatic gain control circuit is not required for noise cancellation because the noise intensities at the two photodiodes are kept equal by a beam splitter. The signal to noise ratio in a differential detector with a beam splitter was improved to be 14 ㏈ higher than in a single photodiode with optical filtering.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
• /
• 2003.11a
• /
• pp.214-217
• /
• 2003

상하로 양극 영역이 중첩된 새로운 Si 포토다이오드를 제작하고 이의 전기광학적 특성을 조사하였다. 제작된 소자의 역포화전류와 이상계수는 각각 68pA와 1.8로 나타났으며 -3V 바이어스에서 측정된 접합 커패시턴스는 8.3 pF로 나타났다. 또한 $100mW/cm^2$, AMI 스펙트럼 조건에서 -3V 바이어스 아래 측정된 광전류와 감도특성은 각각 $60\;{\mu}A$와 6 A/W로 나타났다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.19 no.5
• /
• pp.343-348
• /
• 2008

This study was carried out to commercialize FTTH by developing a burst mode optical receiver for E-PON. The optical receiver was manufactured by minimizing the capacitance of a photodiode to improve sensitivity for meeting 10, 20 km OLT Rx standard of E-PON at the transmission speed of 1.25 Gb/s. When bit-error ratio is $10^{-12}$ and PRBS is $2^5-1$, sensitivity is -26 dBm, loud/soft ratio is 23 dB. Both preamble time and guard time were set to 102.4 ns (128 bit). After comparing a photodiode whose capacitance is 0.53 pF with another photodiode whose capacitance has been minimized to 0.26 pF, we could see that sensitivity improved to 0.7 dBm and so did bandwidth to 190 MHz of burst mode for the optical receiver manufactured by the photodiode whose capacitance is 0.26 pF.

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.30 no.1
• /
• pp.144-153
• /
• 2015

열전소자는 열에너지를 전기에너지로, 전기에너지를 열에너지로 직접 변환하는데 사용되는 소자로 자동차 온도조절 시트(Climate Control), 반도체(순환기, 냉각판), 바이오(혈액분석기, PCR, 시료온도싸이클 테스터기), 이학분야(스펙트로포토미터), 광학분야(CCD 쿨링, 적외선센서 냉각, 레이저다이오드 냉각, 포토다이오드 냉각, SHG레이저 냉각), 컴퓨터(CPU 냉각), 가전제품(김치냉장고, 소형냉장고, 냉온수기, 와인냉장고, 쌀통, 제습기), 산업분야(폐열발전기, 리모트 파워발전) 등 다양한 분야에 적용되고 있으며 새로운 시장을 창출하고 있다.