• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.335-335
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• 2012

III-V 족 반도체 물질 중, GaN는 넓은 밴드갭을 가지고 있어 발광 다이오드나 레이저 다이오드, 트랜지스터, 스핀트로닉스 등의 응용에 유용한 물질이다 [1]. 실시간 성장 제어 및 최적화된 특정 소자 응용을 위해서는 GaN의 다양한 온도에 대한 유전율 함수 정보가 필수적이다. 편광분석법을 이용한 상온에서의 hexagonal GaN 유전율 함수는 이미 여러 연구에서 보고되었고, 80~650 K 사이의 온도 범위에 대한 언구도 수행되었다 [2,3]. 그러나, 온도변화에 대한 GaN 유전율 함수와 $E_0$ 전이점에 대한 해석은 부정확하다. 따라서 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 분자살박막증착장치를 이용하여 c-축 방향 (0001)으로 성장 시킨 hexagonal GaN를 0.74~6.42 eV 에너지 구간에서 보다 확장된 온도 영역(26~693 K)의 유전율 함수를 편광분석법을 이용하여 측정하였다. 측정된 GaN의 유전율 함수를 회기분석법을 통한 2차 미분 표준해석법을 이용해 분석 하였고, 그 결과 $E_0$와 excitonic $E_0$ 전이점을 명확히 얻을 수 있었다. 온도가 감소함에 따라 격자상수 및 전자-포논 상호작용이 감소하여 전자 전이점이 청색천이 하고, 그 구조가 명확해 지는 결과를 얻었다. 본 연구의 결과는 GaN 유전율 함수의 온도 의존성에 대한 데이터베이스를 제공함은 물론, 실시간 모니터링과 GaN를 기반으로 하는 광소자 제작 등에 유용할 것이다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.13 no.3
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• pp.240-244
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• 2002

We proposed a novel temperature sensor based on the phenomena that the phase difference between principal polarization states in an optical retarder is a function of temperature. The polarization state of an optical beam is changed as it passes through the optical retarder, with the change dependent on the temperature. The temperature of the optical retarder is determined by comparison of the power difference between principal polarization states. A temperature sensor was successfully implemented using a polarization maintaining fiber of length 100 mm as the optical retarder. The change rate of phase difference on temperature was 0.236$^{\circ}C$$_{-1}$ and the measurement error was $\pm$0.038$^{\circ}C$ over the temperature region of -2.6$^{\circ}C$~3.4$^{\circ}C$.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.12 no.1
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• pp.5-9
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• 2001

A wavemeter was realized using the phenomena that the phase lag between principal polarization states in an optical retarder is a function of wavelength. The change in the polarization state of the optical beam as it passes through the optical retarder is dependent on wavelength. The wavelength of the optical beam is determined by comparing the power difference between principal polarization states. A prototype wavemeter was successfully implemented using a polarization maintaining fiber with birefringence $3\times10^{-4}$ and length 100 mm as the optical retarder. The measurement resolution was 0.08 nm over a wavelength region of 1554.38 nm-1557.l9 nm, which agreed well with theoretically calculated results. In addition, the dependence of operating characteristics on temperature was analyzed theoretically and experimentally.mentally.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.9 no.6
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• pp.403-407
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• 1998

The polarizatin properties of an internal-mirror 543 nm He-Ne laser with and without a transverse magnetic field were investigated for single-mode operation. Two orthogonal eigenpolarizations field to the natural tube axes of laser were observed when the emitted laser output was linearly polarized. Polarization unstability between these polarizations occurred when the applying a 500 gauss transverse magnetic field at 35$^{\circ}$ with respect to the natural tube axes of laser. Under such conditions stable single-mode operation which is useful for the frequency stabilization of a 543 He-Ne laser to $I_2$-saturated absorptions was obtained in the tuning range of 880 MHz.

• Journal of the KSME
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• v.44 no.10
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• pp.57-61
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• 2004

이 글에서는 편광을 이용한 광학계측기술인 타원계측방법의 나노측정기술과 나노바이오 측정기술로의 응용에 대하여 소개한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.2
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• pp.91-96
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• 2000

We propose a novel in-line fiber optic circular polarizing mirror utilizing cholesteric lIquid crystal (CLC) polymer [11m for the fiber laser applications. Ions matrix representation of this device has been derived and venfied experimentally. In a Fabry-Perot cavity configuration, a CLC fiber optic rmrror has been used to achieve longitudinal mode suppression as well as to obtain passively mode~locked laser operations with 630 fs laser pulses via nonlinear polarization evoluhon.oluhon.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.13 no.2
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• pp.140-145
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• 2002

We measured the absorption rate of a Nd:YVO$_4$crystal with a thickness of 1 mm and the output power characteristics of a cw Nd:YVO$_4$/KTP laser with respect to the change of wavelength and the polarizations of a tunable Ti:sapphire pump laser with a linewidth of 0.2 nm. In the case of S-polarization (E┴$\pi$) and P-polarization (E∥$\pi$) of a pump laser, the maximum absorption rate of the crystal was 82% at 809.4 nm and 98% at 808.8 nm, and slope efficiencies for the output power of the Nd:YVO$_4$laser (1064 nm) were 43% and 52%, respectively. The maximum Nd:YYO$_4$laser output power of 516 mW was obtained from the P-polarization pump laser of 1000 mW. As a result of an intracavity frequency-doubling, slope efficiency for the output power of the Nd:YVO$_4$/KTP green laker (532nm) was 23% and the maximum output power of 205 mW with the beam quality (M$^2$) of 1.42 was obtained from the P-polarization pump laser of 1000 mW.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.98-98
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• 1994

최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.4 no.5
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• pp.1135-1142
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• 2000

In this study, we fabricated a 1.55um polarization-insensitive semiconductor optical amplifier(SOA) with rectangular buried heterostructure using a InGaAsP/InP double heterostructure wafer. Measured characteristics of the fabricated SOA are that 3dR bandwidth is 35nm and 3dB saturation output power is 4dBm. Maximum gain under the 150mA CW driving condition is 19.4dB. We measured the ASE(amplified spontanouse emission) Power spectrum or n and TM mode in the fabricated SOA using ASE measurement system and knew that distributions of the TE and TM mode about the maxinum region are nearly coincident. this shows the fabricated SOA is a polarization-insensitive.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.16 no.6
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• pp.547-552
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• 2005

We have fabricated and characterized optical delay lines for optical coherence tomography, which is composed of cylindrical PZT(piezoelectric transducer) and single mode optical fiber. The polarization mode dispersion from the optical delay lines was compensated by the polarization controllers. By applying the duplex optical delay line, we minimized the thermal drift due to optical delay lines and obtained the scan range of 2 times that of a single optical delay line. The OCT system showed resolution of $18.6\pm0.5{\mu}m$, scanning range of 1.68mm, and scanning speed of 360.4mm/s.