• 한국자기학회지
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• 제16권6호
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• pp.283-286
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• 2006

고밀도 자기기록용 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 자성박막에서 계면확산 장벽으로써 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층의 역할을 연구하였다. 열처리동안 $1900{\AA}$의 두께를 가진 비정질 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막에서 계면확산은 약 $700^{\circ}C$에서 일어나기 시작하였다. 열처리온도를 $800^{\circ}C$까지 증가시켰을 때, 계면확산은 자기특성을 저하시킬 정도로 급격히 진행되었다. 고온에서의 계면확산을 억제하기 위하여, $110{\AA}$ 두께의 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층을 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막의 계면에 증착하여 사용하였다. Ba-페라이트/${\alpha}-Al_{2}O_{3}/SiO_{2}$ 박막에서는 $800^{\circ}C$의 고온까지 열처리하여도 계면확산이 심각하게 일어나지는 않았다. ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층에 의하여 계면확산이 억제되기 때문에 Ba-페라이트 자성박막의 포화자속밀도와 보자력이 향상되었다. 따라서 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막의 계면에서 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층은 $SiO_{2}$ 기판 성분의 계면확산 장벽으로 사용될 수 있다.

• 한국재료학회지
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• 제7권5호
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• pp.423-430
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• 1997

졸-겔 dip coating법에 의해 제조한 바륨페라이트 박막의 미세구조와 결정학적인 구조 특성에 관해 조사하였다. 기판에 형성된 바륨페라이트 입자는 침상 형태의 입자들로 구성되어 있었으며, C축은 장축 방향이었고, 막 두께가 증가함에 따라 침상형 입자들은 기판에 평행하게 배향하는 경향을 나타내었다. 박막은 바륨페라이트층, Ba, Fe, SiO$_{2}$로 구성되어 있는 중간층, 그리고 기판층인 SiO$_{2}$층으로 구성되어 있었으며, 중간층과 SiO$_{2}$층간의 계면은 Ba 와 SiO$_{2}$간의 화합물로 구성되어 있었다. 침상 형태의 입자는 95$0^{\circ}C$에서 3시간 열처리하므로써 완전히 소실하였고, 130$0^{\circ}C$에서 3시간 열처리하므로써 c면이 기판에 평행하게 위치하는 완전한 육각판상 형태의 입자로 변화되었다.

• 한국자원리싸이클링학회:학술대회논문집
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• 한국자원리싸이클링학회 2004년도 13회 산화철워크샵
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• pp.43-51
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• 2004

모노폴 안테나를 직각으로 꺽어 변형시킨 역 L 형 안테나는 수직부와 수평부의 길이 비에 따라 입력임피던스의 변화가 크기 때문에 정합 문제가 발생하게 된다. 본 논문에서는 수직부와 수평부의 길이 비에 따라 임피던스의 변화를 해석하고, 급전부 인접 접지면상에 부분적으로 페라이트 박막을 부가하여 임피던스의 조절이 가능함을 확인할 수 있었다. 페라이트의 재질특성(유전율, 투자율, 도전율)이 주어졌을 때, 호형 페라이트 필름구조(두께, 반경 등)의 변화에 따른 임피던스 변화를 역 L 안테나 모형에 적용함으로써 휴대폰 내장형 안테나 설계 시 최적 정합이 이루어질 수 있도록 FDTD 수치해석 방법을 사용하였다.

• 한국재료학회지
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• 제5권2호
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• pp.239-245
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• 1995

단일 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터링법을 이용하여 Mn-Zn페라이트 박막을 증착하였다. 기판은 1000$\AA$의 산화막이 입혀진 실리콘 웨이퍼를 사용하고 타깃은 (110)Mn-Zn 페라이트 단결정위에 Fe 금속선을 부착한 모자이크 타깃을 사용하엿다. 산소의 유입없이 성장된 박막은 금속선으로부터 스퍼터링된 금속이온들에 의해 상대적인 산소결핍을 나타내어 Wustite 구조를 가졌으며, 이를 해결하기 위해 기판주위로 산소를 유입시켜 증착시킨 결과(111) 우선배향성을 가지는 스피넬 페라이트 상의 박막을 얻을 수 있었다.박막의 성장속도는 이온빔 인출전압, 이온빔 입사각이 증가할수록 감소하였고, 기판과 타깃과의 거리가 멀어질수록 감소하였다. 낮은 이온빔 인출전압에서는 인출전압의 증가에 따라서 박막의 결정화가 향상되었지만, 매우 높은 인출전압에서는 이차이온의 에너지가 너무 높아 박막에 손상을 가하게 되므로 인출전압이 증가할수록 박막의 결정화는 오히려 저하되었다. 스피넬 구조를 가지는 페라이트 박막들은 페리자성을 나타내었으며 박막면에 평행한 방향으로 자화용이축을 가졌다.

• 한국자기학회지
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• 제8권5호
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• pp.295-299
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• 1998

페라이트 도금 방법은 진공이 불필요하며 저온(<10$0^{\circ}C$)에서 페라이트 박막을 제작할 수 있다. 이 방법으로 기판온도 8$0^{\circ}C$, 산화용액의 pH 7.1~8.8 영역에서 모두 스피넬 구조의 NixFe3-xO4 (x=0.162~0.138) 박막을 얻었다. 이들은 열처리를 하지 않았음에도 불구하고 결정성이 우수한 다결정의 박막을 얻었다. 박막의 성장속도는 산화용액의 pH가 7.1에서 8.8까지 변함에 따라 성장속도가 143$\AA$/min에서 255 $\AA$/min 까지 증가하였다. 산화용액의 pH가 증가할수록 입경의 크기가 증가하고, 보자력은 감소하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제13권6호
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• pp.26-30
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• 2004

모노폴 안테나를 직각으로 꺾어 변형시킨 역 L형 안테나는 수직부와 수평부의 길이 비에 따라 입력임피던스의 변화가 크기 때문에 정합 문제가 발생하게 된다. 본 논문에서는 수직부와 수평부의 길이 비에 따라 임피던스의 변화를 해석하고, 급전부 인접 접지면상에 부분적으로 페라이트 박막을 부가하여 임피던스의 조절이 가능함을 확인할 수 있었다. 페라이트의 재질특성(유전율, 투자율, 도전율)이 주어졌을 때, 호형 페라이트 필름구조(두께, 반경 등)의 변화에 따른 임피던스 변화를 역 L 안테나 모형에 적용함으로써 휴대폰 내장형 안테나 설계시 최적 정합이 이루어질 수 있도록 FDTD 수치해석 방법을 사용하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1995년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.58-59
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• 1995

• 한국자기학회지
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• 제16권2호
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• pp.140-143
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• 2006

단결정 상태의 $CoFe_2O_4$ 박막을 rf magnetron sputtering 증착법을 이용하여 (100) MgO 기판 위에 성장시켰다. X선 회절기, Rutherford back-scattering 분석기와 고감도 주사전자현미경을 이용하여 측정한 결과 증착된 박막이 기판과 잘 정렬되어 성장한 것을 확인할 수 있었다. $600^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 페라이트 박막은 약 200nm크기의 사각형 형태로 규칙적으로 분포되어 있음이 관찰되었다. 그러나 $700^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 박막은 불규칙한 모양으로 이루어져 있었으며 30nm에서 150nm에 이르는 다양한 입자 크기를 보이고 있었다. 섭동자화기를 이용한 자기이력곡선 측정 결과 성장한 박막의 자화용이축이 기판과 수직하게 배열하는 것을 알 수 있었다. 또한 MgO 기판과 성장 박막과의 격자상수 차이로 인하여 기판과 수직한 방향의 보자력은 매우 큰 값을 나타내었다. 즉 평행한 방향의 보자력은 283 Oe이고 수직한 방향의 보자력은 6800 Oe였다. $700^{\circ}C$의 기판 온도에 서 성장한 페라이트 박막은 $600^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 박막의 보자력 및 포화자화 값과 유사한 값을 보였으나 각형비는 급격하게 감소하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권1호
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• pp.37-44
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• 1997

졸겔법중 딥코팅법을 이용하여 조성비 2Fe/Ba=5.25 졸로부터 바륨페라이트 박막을 제조하였다. 졸의 겔화과정은 4단계로 구분할 수 있으며, 8$0^{\circ}C$에서 90분간 반응시켜 제조한 졸이 코팅용 졸로서 가장 적합한 특성을 나타내었다. 박막층에 형성된 침상 형태의 입자들은 기판에 수평 하게 위치하고 있었으며, 박막 두께가 증가함에 따라 그 경향은 증가하였다. 침상형 입자의 자화용이축 방향은 장축 방향이었다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.98-99
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• 2002

페라이트 플레이팅(ferrite plating)법은 10$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서 박막을 제작할 수 있기 때문에 비 내열성 물질(플라스틱, GaAs, 종이류 등)을 기판으로 사용 가능하고, 일종의 무전해 도금법으로서 피도금체의 형상에 관계없이 균일한 두께의 페라이트 막이 얻어지며, PVD 및 CVD방법에 비하여 복잡한 장치를 필요로 하지 않기 때문에 특히 경제적인 측면에서 제작비용을 낮게 할 수 있다는 장점이 있다[1]. (중략)