• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.396-396
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• 2008

투명 전도성 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT) 필름을 터치스크린이나 디스플레이 소자 등의 전극에 응용할 목적으로, CNT 필름의 전기저항 및 광 투과도를 향상시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 단일벽 CNT (single-walled CNT)를 여러 가지 계면활성제로 분산시킨 수용액으로부터 제조한 CNT 필름을 산 처리하여 저항 및 투과도의 변화를 관찰하였다. 우선 계면활성제로 분산시킨 CNT 수용액을 알루미나 재질의 필터에서 정량적으로 진공 필터링하여 CNT 필름을 제조하였다. 알루미나 필터를 sodium hydroxide (NaOH) 수용액으로 용해시켜 제거함으로써 얻은 CNT 필름을 유리기판 위에 부착시킨 후 광 투과도와 먼 저항 (sheet resistance)을 측정하였다. CNT 필름을 질산 ($HNO_3$) 용액에 처리하였을 때 투과도는 1~5 % 향상되었으며, 면 저항은 계면활성제로 분산시킨 CNT 필름 대부분에서 감소하였다. 이는 CNT 표면에 코팅되어 있던 계면활성제들이 산에 의해 제거되었기 때문일 것으로 추측된다. 특히 sodium dodecylbenzene sulfonate (NaDDBS)로 제조한 CNT 필름의 경우, 질산을 처리 전에는 투과도 83%, 면 저항 450 $\Omega$/sq.의 특성을 보였으나, 처리 후에는 각각 86 %, 350 $\Omega$/sq.로 향상되었다. Polyvinyl pyrrolidone (PVP)과 cetyltrimethylammonium bromide (CTAB)를 사용하여 제조한 CNT 필름의 면 저항이 가장 뚜렷한 감소를 보였다. 제조된 필름과 삼 처리된 필름 특성을 Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, UV-Vis spectroscopy 등을 이용하여 분석하였고, 4-point probe로 면 저항을 측정하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10b
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• pp.171-174
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• 2006

본 연구에서 새로 합성한 적색 도판트 Red-1을 Physical vapor Deposition (PVD) 법을 이용하여 다층구조의 유기 발광 다이오드를 제작하였다. 적층된 유기물 층으로 정공주입층은 4,4',4"-tri [2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine(2-TNATA) 정공 수송층으로4-4bis [N-(1-napthyl-N-phenyl-amino)biphenyl] (NPB)를 사용하였으며 전자 수송층은 tris (8-quinolinolato)-aluminum ($Alq_3$), 발광층에서의 host 재료로 사용한 물질은 $Alq_3$. 4,4'- N-N'-dicarba zole-biphenyl (CBP), 게스트재료는 Red-1, 정공저지층으로 2,9-dimethyl-4, 7-diphenyl -1 10-phen antroline (BCP), 전자 주입층으로는 lithiumquinolate (Liq)를 사용하여 보다 향상된 전기적, 발광특성을 보이는 소자를 제작하였다. 전하를 주입하는 전극으로 일함수가 큰 투명전극인 ITO (indium-tin-oxide)를 양전극으로, Al을 음전극으로 사용하였다. 그리하여, 발광층 내에서의 host재료 $Alq_3$와 CBP와의 energy transfer의 관점에서 그 특성을 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.11b
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• pp.374-377
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• 2001

We have synthesized poly(3-hexylthiophene)(P3HT), which is the most famous conducting polymer and studied the optical properties of P3HT. And then fabricated the device using P3HT as an emitting layer. For the improve of hole injection from ITO electrode to P3HT emitting layer, we use transparent polyaniline(PANI) electrode. In the voltage-current-luminance characteristics of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al device which use the PANI film synthesised during 5 cycle, the device turn on at the 2V and the luminance of $218nW/cm^{2}$ obtained at 12V. External quantum efficiency of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al increased at 8V than that of ITO/P3HT/LiF/Al device.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.15-15
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• 2008

산화물 반도체가 실리콘 기반의 기술을 대체할 새로운 기술로써 주목을 받기 시작하면서, 산화아연을 이용한 박막트랜지스터가 많은 주목을 받고 있다. 여기에 기존의 $SiO_2$를 대체할 새로운 High-k Material에 대한 연구 또한 진행되고 있는데, 이들의 가장 큰 문제점중 하나는 Interface Charge Trap이며, 그에 따른 결과로 히스테리시스 특성이 나타나게 되고, 이는 소자의 신뢰성에 큰 걸림돌이 되고 있다. 이번 연구에서는, High-k Material들 중의 하나인, $HfO_2$를 게이트 절연막으로 사용함에 있어서 Interface Charge Trap이 발생하는 문제를 해결하고자 하며, Low-k Material중에서 비교적 높은 유전상수를 갖는 $Al_2O_3$를 Buffer Layer로써 사용하여, 히스테리시스 특성을 향상 시켰다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.11a
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• pp.374-377
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• 2001

We have synthesized poly(3-hexylthiophene)(P3HT), which is the most famous conducting polymer and studied the optical properties of P3HT. And then fabricated the device using P3HT as an emitting layer. For the improve of hole injection from ITO electrode to P3HT emitting layer, we use transparent polyaniline(PANI) electrode. In the voltage-current-luminance characteristics of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al device which use the PANI film synthesised during 5 cycle, the device turn on at the 2V and the luminance of 218 nW/$\textrm{cm}^2$ obtained at 12V. External quantum efficiency of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al increased at 8V than that of ITO/P3HT/LiF/Al device.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.532-532
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• 2007

UV 경화형 ink를 inkjet printing을 통해 PCB에 patterning 하는 방법에 관한 연구이다. UV 경화형 ink는 일반적으로 ink의 투명도, 색깔, 두께에 따라 완전경화가 밀어나지 않을 수도 있는데 본 연구에서 사용한 UV ink는 particle이 첨가되어 있고 후막 인쇄를 목적으로 하기 때문에 완전경화가 어려웠다. 일반적으로 이러한 UV 경화형 ink의 문제점들을 해결하기 위하여 열경화성 첨가제를 일부 첨가하여 UV에 의한 표면경화와 얼에 의한 속 경화를 진행하는 hybrid system이 사용되고 있지만 본 연구는 PCB를 target으로 하기 때문에 열에 약한 PCB 내의 많은 소자들 때문에 열처리가 쉽지 않은 문제가 있다. 이러한 여러 제약적인 환경에서 UV ink의 완전경화를 위해 경화 process를 최적화 하였으며 10~20um의 후막 인쇄에도 ink가 완전 경화하여 연필경도 9H를 확보하는데 성공하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.321-323
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• 2012

유기 발광 다이오우드는(OLEDs) 자체 발광 소자로써 높은 시야각, 높은 효율, 그리고 빠른 응답속도 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 및 조명 소자로서 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 유기 발광 다이오우드는 차세대 반도체 조명 소자로서 조명의 패러다임을 바꿀 수 있는 기술로 인식되고 있다. 하지만, 유기 발광 다이오우드 조명의 상용화를 위해서는 가격 경쟁력을 갖추는 것이 시급하며, 이를 위해 저가 공정 개발이 필요하다. 본 연구에서는 유기발광 다이오우드 조명 제작에 필수적인 전면 전극 및 절연막 증착 공정을 기존의 노광 공정이 아닌 shadow mask 기술을 적용하여 형성하였다. 먼저 유리 기판 상에 150 nm 두께의 ITO 막을 shadow mask를 이용하여 증착하였다. 기존 공정에서는 노광 및 식각 공정을 이용하여 증착하는 것이 일반적이며, 광학적, 전기적 특성 또한 타 공정 방법에 비해 우수하다. 하지만 일련의 복잡한 공정으로 인해 제조 원가를 상승 시키는 단점이 있다. Fig. 1은 shadow mask를 이용하여 ITO를 증착을 수행한 공정의 모식도이다. ITO 박막 증착 후 표면 거칠기 제어 및 면저항 제어를 위해 O2 plasma 처리와 RTA 공정을 추가 수행하였다. Fig. 2(a)는 플라즈마 처리 및 열처리 공정 수행 후에 측정한 표면 AFM 사진이다. 열처리 및 플라즈마 처리 후에 ITO 박막의 표면 거칠기는 10배 이상 향상되었으며, 이는 유기 발광 다이오우드 조명 소자의 전면 투명 전극으로 사용되기에 적합한 값이다. 또한 전기적 특성 중 하나인 면저항 값은 열처리 및 플라즈마 처리 전/후의 값에서 많은 차이를 보인다. 표면 거칠기가 향상됨에 따라 면저항 값 역시 향상되는 결과를 보여주는데, 표면 처리전후의 면저항 값은 각각 28.17, 13.18 ${\Omega}/{\Box}$이다. 일반적으로 유기 발광 다이오우드의 전면 투명 전극으로 사용되기 위해서는 15 ${\Omega}/{\Box}$이하의 면저항 값이 필요한데, 표면 처리 후의 면저항값들은 이로한 조건을 만족한다. Fig. 3은 shadow mask 기술을 이용하여 절연막까지 형성한 유기 발광 다이오우드 소자의 전자 현미경 사진으로, 기존의 공정을 이용한 경우와 큰 차이는 없으며, 다만 shadow tail이 약 $30{\mu}m$ 정도 발생함을 확인할 수 있다. 절연막의 특성 평가 기준인 누설 전류 밀도는 $10-5A/cm^2$으로 기존의 공정을 이용한 경우에 비해 95% 수준으로서 shadow mask를 이용한 공정이 기존의 노광 및 식각 공정을 이용한 경우에 비해 공정 수는 9개가 단축됨에도 불구하고, 각 증착 박막의 특성에는 큰 차이가 없음을 알 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.339-339
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• 2012

지난 몇 년 동안, 투명 비정질 산화물 반도체는 유기 발광 다이오드, 플렉서블 전자 소자, 솔라 셀, 바이오 센서 등 많은 응용분야에 연구되고 있다. 투명 비정질 산화물 반도체 그룹들 중, 특히 비정질 IGZO 박막 트랜지스터는 비정질 상태임에도 불구하고 높은 이동도와 낮은 동작 전압으로 훌륭한 소자 특성을 보인다. 이러한 고성능의 IGZO 박막 트랜지스터는 RF 마그네트론 스퍼터링이나 pulsed laser deposition과 같은 고진공 장비를 이용하여 이미 여러 그룹에서 제작되고 발표되었다. 하지만 진공 증착 시스템은 제조 비용의 절감이나 디스플레이 패널의 대면적화에 큰 걸림돌이 되고 있고, 이러한 문제점을 극복하기 위해서 용액 공정은 하나의 해결책이 될 수 있다. 용액 공정의 가장 큰 장점으로는 저온 공정이 가능하기 때문에 글라스나 플라스틱 기판에서 대면적으로 제작할 수 있고 진공 장비가 필요없기 때문에 제조 비용을 획기적으로 절감시킬 수 있다. 본 연구에서는 high-k 게이트 절연막과 IGZO 채널 층을 용액 공정을 이용하여 박막 트랜지스터를 제작하고 그에 따른 전기적 특성을 분석하였다. IGZO의 몰 비율은 In, Ga, Zn 순으로 각각 0.2 mol, 0.1 mol, 0.1 mol로 제작하였고, high-k 게이트 절연막으로는 Al2O3, HfO2, ZrO2을 제작하였다. 또한, 용액 공정 IGZO TFT를 제작하기 전, 용액 공정 high-k 게이트 절연막 캐패시터를 제작하여 그 특성을 분석하였다. 다양한 용액 공정 high-k 게이트 절연막 중, 용액공정 HfO2를 이용한 IGZO TFT는 228.3 [mV/dec]의 subthreshold swing, 18.5 [$cm^2/V{\cdot}s$]의 유효 전계 이동도, $4.73{\times}106$의 온/오프 비율을 보여 매우 뛰어난 전기적 특성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.31 no.11
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• pp.975-979
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• 2014

Transparent conductive films (TCF) with excellent electrical properties and high mechanical flexibility have been widely studied because of their potential for application in optoelectronic devices such as light-emitting diodes, paper displays and organic solar cells. In this paper, we report on low-resistance and high-transparent TCF for flexible device applications. To fabricate a high-resolution roll imprinted TCF, the following steps were performed: the design and manufacture of an electroforming stamp mold, the fabrication of high-resolution roll imprinted on flexible film, the manufacture of Ag-nano paste which was filled into patterned film using a doctor blade process. Also, we was demonstrated with the successful application(ITO free organic photovoltaic) of the developed flexible TCF.

• Information and Communications Magazine
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• v.26 no.1
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• pp.25-30
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• 2009

IT산업은 '97년 외환위기를 기점으로 고성장을 거듭하였고, 세계 10위권 규모의 경제 강국으로 성장하는데 있어 국내 산업의 대표적인 성장동력으로서 자리 매김하였다. 하지만, 최근 성장률이 예전만 못하다는 우려의 목소리와 함께 IT가 한 단계 더 업그레이드하기 위해서는 자신의 허물을 과감히 벗는 용기가 필요하다는 것이 일반적인 시각이다. 이러한 흐름속에서 기존 IT전략과 차별화된 New IT 발전방안을 수립하게 되었다. 지금까지의 IT전략이 IT 고도화 추진을 위한 IT 중심 발전 전략이었다면, New IT전략은 IT기반 융합산업, IT융합 신산업, Next IT산업 등3대 성장축간 시너지 창출이 가능한 IT로의 수렴과 확산이 핵심이라고 할 수 있다. IT기반 융합산업의 최종 목표는 전통산업과 IT가 만나 자동차, 조선, 의료, 국방, 건설, 섬유, 기계항공 등 7개 주력기간산업의 고부가가치화 및 초일류화를 우선 실현하는 것이다. IT융합 신산업의 최종 목표는 나노(NT), 바이오(BT), 인지기술(CT) 등 비(非)IT와 교감을 통하여 IT가 에너지, 환경, 건강 등 사회적 문제를 해결하고, 녹색성장 추진의 핵심인 5대 신산업을 창출하는데 있다. 5대 신산업으로는 Green IT산업, Welfare-Infra산업, 감성조명산업, 인지단말산업, THz응용산업 등을 꼽을 수 있다. Next IT산업은 기존 14대 IT 분야를 'ETRI 비전 2020' 등 미래 청사진을 바탕으로 장기적 관점에서 재설계한 것이며, 최종 목표는 TDX, 4M D램, CDMA, 와이브로, DMB, NoLA 등 IT 강국 계보를 이어갈 4G, 미래인터넷, Smart Radio, 실감미디어, 웹3.0, 투명전자소자 등 미래 유망 핵심원천기술을 확보하고, IT 경쟁력을 강화하는 것이다.