• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.300.2-300.2
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• 2014

테라헤르쯔(terahertz : THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지(meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한(low-temperature grown : LT) InGaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 보다 높은 저항을 얻기 위하여 molecular beam epitaxy를 이용하여 semi-insulating InP:Fe 기판위에 격자 정합된 LT-InGaAs:Be/InAlAs multi quantum well (MQW)를 well과 barrier를 가각 $10{\mu}m$ 씩 100주기 성장을 하였고 Ti와 Au를 각각 30, $200{\mu}m$로 dipole antenna를 제작 하였다. 이 때 Ti:sapphire femto-pulse laser (30 fs/90 MHz)를 excitation source로 사용하였을 때 9000 pA로 LT-InGaAs epilayer (180 pA)보다 50배 이상 큰 전류 신호를 얻을 수 있었다. THz 발생과 검출을 초소형, 초경량, 고효율로 하기 위해서는 fiber-optic를 이용해야 하는데 이때 분산과 산란 손실이 가장 적은 1550 nm 대역에서 많은 연구가 이루어 졌다. 780, 1560 nm의 mode-locking laser (90 fs/100 MHz)를 사용하여 현재 많이 이용되고 있는 Ti:sapphire femto-pulse laser와 비교하여 THz 특성 변화를 확인하는 연구를 진행 하고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.382-382
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• 2011

보다 저렴한 다결정 실리콘 웨이퍼를 사용한 다결정 실리콘 태양전지의 발전효율개선을 위해서는 태양광스펙트럼의 표면 흡수기구를 최적화하고, 전자-정공쌍의 생성극대화 및 재결합 기구 제어를 통한 전하운바자들의 안정적인 분리와 전극으로의 효율적인 수집이 필수적인다. 현재 양질의 다결정 실리콘 웨이퍼에 기반한 다결정 실리콘 태양전지 양산공정에서 16~17% 발전효율이 이루어지고 있으며 18% 이상의 발전효율을 얻기 위해서는 보다 더 우수한 품질의 다결정 실리콘 웨이퍼가 요구된다. 본 연구에서는 15.5~16.5% 대역의 평균 발전효율을 갖는 15.6 cm${\times}$15.6 cm 크기 고효율 다결정 실리콘 태양전지 전면의 전자발광(EL : electroluminescence)데이터로부터 효율기여도가 높은 위치와 상대적으로 기여도가 낮은 위치들을 선정하여 380~1050nm 파장대역의 광선속에 대해 국부적인 외부양자효율(EQE : external quantum efficiency)을 측정하고 투과전자현미경(TEM : tunneling electron microscope) 등을 활용하여 결정방향 등에 기인하는 양자효율 악화기구를 분석하였다. 결론적으로 15%대의 상대적으로 낮은 발전효율을 보이는 태양전지들은 300~600 nm 단파장 영역에서 양자효율이 상대적으로 낮은 저급한 결정성의 웨이퍼에 기인하고 16.5%이상의 높은 발전효율을 갖는 태양전지들은 단파장영역에서 높은 양자효율을 갖는 영역이 수광면적의 80~90%를 차지하는 것으로 밝혀졌다. 이와 더불어 15%대의 발전효율을 갖는 태양전지에서는 600~1100 nm 파장대역에서 상대적으로 악화된 양자효율을 갖는 저급한 결정성 영역이 30~40%를 차지하였으나 16.5%대역의 고효율 태양전지에서는 저급한 결정성 영역이 5~10%를 차지하여 대조를 보였다. 따라서 18%이상의 높은 발전효율을 갖는 다결정 실리콘 태양전지의 양산을 위해서는 양자효율이 우수한 양품의 웨이퍼를 기반으로 표면 texturing을 통해 평균 태양광 흡수율을 90%이상으로 개선하고, 보다 미세한 프론트 전극패턴을 통해 수광면적을 개선하고 선택적인 에미티공정 기술 등을 적용할 필요가 있음을 제안하고자 한다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.80.2-80.2
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• 2012

그라핀(graphene)은 탄소 원자의 2차원 육각형 $sp^2$ 결합체로서 탄소 나노구조체가 가지는 여러 가지 우수한 특성을 보유하면서 대면적 기판 위에서 소자구현 및 투명전극 등으로의 우수한 응용성 때문에 고품질 그라핀 제조와 물리적 특성, 소자응용에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 최근 그라핀 제조를 위한 여러 가지 방법이 개발되고 있으나 화학적 박리법이 저비용으로 대량생산을 위해 가장 유리한 방법으로 주목을 받고 있다. 화학적 박리법은 벌크 그라파이트를 강한 산을 이용하여 산화시켜 형성된 산화 그라파이트(graphite oxide)을 열적으로 팽창시켜 박리하고 환원하여 그라핀으로 제조하는 것이다. 보통 열적팽창을 위해서 열처리 로를 사용하게 되는데, 본 연구에서는 박리를 보다 효율적으로 진행시키고 고품질의 그라핀을 얻기 위해 마이크로웨이브를 이용한 박리법을 적용하였다. 마이크로웨이브는 설비가 간단하고 매우 균일하게 열팽창을 시킬 수 있을 뿐만 아니라 대량생산에서도 유리할 것으로 기대하였다. 천연 그라파이트(99.9%, 평균입도 $200{\mu}m$)를 Hummer 방법에 따라 $H_2SO_4$와 $KMnO_4$를 사용하여 산화시키고 필터링 후 마이크로웨이브를 조사하였다. 이후 환원 처리를 거쳐 그라핀을 제조하였다. 라만스펙트럼 및 투과전자현미경으로 분석한 결과 우수한 품질의 그라핀이 형성되었음을 알 수 있었다. 그라핀의 두께 및 품질은 마이크로웨이브의 인가시간 및 반복 횟수가 증가함에 따라 크게 영향받는 것을 확인하였다. 본 발표에서는 마이크로웨이브를 사용한 산화 그라파이트 박리 및 그라핀 제조라는 새로운 시도와 주요변수에 따른 그라핀 특성에 관한 결과를 논의할 것이다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.1
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• pp.24-29
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• 2004

Nanocomposite of Te doped $SiO_2$ films was prepared for the new functional materials like non-linear optic materials, selective absorption and transmission films. The effects of particle size and morphology with different hydrolysis conditions on the properties were examined with TGA/DTA. XRD. UV-spectrometer, SPM, SEM and EDS. It was found that Te/$SiO_2$ films showed high absorption peak at 550nm visible region by plasma resonance of Te fine particles. The Rm surface roughness of the films was about 2.5 nm and the size of Te particles was 5~10nm.

• Polymer(Korea)
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• v.35 no.5
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• pp.395-401
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• 2011

MWNT/PMMA and MWNT/PDMAEMA nanocomposites were prepared using an atom transfer radical polymerization (ATRP). The FTIR and XRD analysis results showed that the nanocomposites were composed of MWNTs grafted by either PMMA(PMMA-g-MWNTs) or PDMAEMA(PDMAEMA-g-MWNTs). A controlled living radical polymerization of ATRP was characterized by the thermogram analysis for the nanocomposites. The morphologies of prepared nanocomposites were analyzed by transmission electron microscopy. Raman analysis results for the nanocomposites showed that there occurred covalent bonding between acrylic polymers and MWNTs.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.26 no.1
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• pp.30-37
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• 2015

The design and implementation of a radiative temperature measurement system for a flash light are carried out. Since a massive amount of energy is emitted within a very short time, it is impossible to measure the temperature of a flash with a conventional method. It is also irrelevant to measure one with an optical noncontact method. In this paper, a radiative temperature measurement system using the ratio of spectral radiances over mid- and long-wavelength infrared (IR) is designed and implemented. The implemented system utilizes optical bandpass filters to divide the wavelengths within the mid- and long-wavelength IR ranges, and pyroelectric IR detectors to measure the incident optical power of each wavelength-divided channel. It is shown that the measured radiative temperature of a flash is in the range of 1393 to 1455 K. This temperature-measurement system can be utilized to obtain information about the spectral radiance of a flash as a light source, which is of crucial importance to approaching the modeling and simulation of the various effects of a flash.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.19 no.5
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• pp.370-375
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• 2008

High-speed high-resolution terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) is demonstrated using the asynchronous-opticalsampling (AOS) method. A time-domain signal with a 10-ns time window is rapidly acquired by using two femtosecond lasers with slightly different repetition frequencies to generate and detect a terahertz pulse wave, without a mechanical delay stage. The spectrum obtained by the fast Fourier transformation (FFT) of the time-domain waveform has a frequency resolution of 100 MHz. The time resolution of our spectrometer is measured using the cross-correlation method to be 278 fs. A transmission spectrum of water vapor is measured and the absorption lines are analyzed in the frequency range from 0.1 to 1.2 THz.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.6
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• pp.389-393
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• 2000

High-quality $Er^{3+}$ doped Mg : $LiNbO_3$single crystal fibers were grown by a micro-pulling down ($\mu$-PD) method. Single crystal fibers were pulled down through the nozzle, at a pulling down rate of 0.5 mm/min and using a Pt crucible with a nozzle 1 mm in diameter in air atmosphere. Defects such as bubbles, cracks and inclusions were not detected in any of the grown crystals. The optical transmission of Er : Mg : $LiNbO_3$crystal was measured and the energy levels of $Er_2O_3$ ion could be calculated. The photoluminescence spectrum of crystal fibers showed an energy band emission with the strongest line corresponding to the $^4I_{3/2}{\to}^4I_{15/2}$transition. The concentration dependence of the entire wavelength region emission intensity upon excitation intensity measured emission intensity for the 3 mol% MgO doped fibers was larger than that for the 1, 5 mol% MgO doped fibers.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.5
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• pp.360-364
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• 2000

We demonstrate self-starting passIve mode locking of a Cr:LiSAF laser, using a SCIDlconduclor Saturable Absorber Mirror (SESAM), Two high-power red semiconductor lasers (Coherent S-67-500C-100-H) of wavelength 667 nm and maximum power of 500 mW were used as pump lasers, The cavity has 10 cm radius-ai-curvature folding minors, two SF 10 prisms, a 99% reflectivity output coupler and a SESAM at dIe focus of a 10 cm radIus-at-curvature mirror. We used the laser crystal in BrewsterBrewster shape with 1 5% $Cr^{+3}$ ion concentration and the length of 6 mm, An X-shaped resonator was used to compensate the astigmatism induced by tile crystal. The structure of the SESAM cOllSists of 30 pmr of $AlAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As$ layer, wi1l1 a 10 nm GaAs quantum well situated in the topmost layer Output spectra were centeled at 833 nm, with 4 nm spectral bandwidth and pulse width was measured to be 220 fs, Output power of 3 mW is obtained at a pump power of 800 mW. 00 mW.

• Journal of Biosystems Engineering
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• v.29 no.4
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• pp.329-334
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• 2004

This study was conducted to investigate the characteristics of transmittance spectrum of Korean red ginseng using VIS/NIR spectroscopy. The results of this study were as follows; Light intensity affected the characteristics of the spectrum. For over 40% light intensity, the first and second peaks appeared at 700nm and 1,100nm, respectively. For the 20% light intensity, the first and second peaks appeared at 800nm and 1,100nm, respectively. Thus, the typical color characteristics of halogen lamp were similar to each other if over 40% of maximum light intensity power, otherwise it was not. Transmittance spectrum showed different characteristics at different portions of red ginseng. Normal red ginseng showed strong intensity at the first peak around 700nmbecause of reddish internal tissue. However, an internal white core red ginseng showed weak peak-intensity due to whitish internal tissue. There was no significant difference in the second peak at 800nm for the different internal qualities. Third peak at 900nm showed somewhat difference by internal qualities but it was difficult to find significant trend. To separate the differences of the internal qualities, intensity differences between peaks were used. It was possible to classify normal red ginseng by the differences of "peak 1 -peak 2" and "peak 1 - peak 3". In addition, shift of the first and the third peaks in the spectrum could separate normal red ginseng from others.ginseng from others.