• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.1 no.2
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• pp.37-42
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• 1996

The $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ single crystals were prepared by Czochralski method and the study of electrical and optical properties were carried out. The activation energy of the electrical conductivity was $E_g$=1.12 eV. The optical energy gap measured in the room temperature is found to be 2.3 eV. A.c. conductivity of crystal $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ was measured at temperatures from 290 K to 570 K in the frequency range from 50 kHz to 30 MHz. The a.c. conductivity is proportional to ${\omega}^s$. In view of this it should be hopping conduction mechanisms. At high frequencies, the power exponent was s=2. The low frequency dielectric constants were 54 for $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ and 41 for $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ single crystals.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.29 no.1
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• pp.141-148
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• 2012

In this study, the composite coating materials with improved thermal insulation property were prepared by incorporating the hydrophobic silica aerogel. The surface modification of silica aerogel was performed to obtain UV curable urethane acrylate hybrid coating sols with good compatibility by using surfactant(Brij 56). The polycarbonate substrates were coated by the prepared composites and cured under UV radiation. The incorporation of aerogel with only 10 vol% of content resulted in remarkable improvement by about 28% in the thermal insulation property of the coated film, as compared with substrate. In addition, increasing aerogel content was found to give minor effect on the variation of optical transparency, adhesion, and surface hardness of the coated film.

• Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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• v.35 no.4
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• pp.487-492
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• 2006

Acetylated rice starches were prepared by reaction of rice starch with acetic anhydride, and their physicochemical properties as a function of degree of substitution (DS) were evaluated. The percentage of acetyl group and DS were $0{\sim}2.71%\;and\;0{\sim}0.104$, respectively. DS increased with increase in acetic anhydride content. DS increased swelling power and solubility of rice starch. Light transmittance (%) values of acetylated rice starches were much higher than that of native rice starch and increased with increase in DS. Rapid Visco Analyzer initial pasting temperature of acetylated rice starches decreased with increase in DS, while peak viscosity and breakdown values increased. Starch gets showed a significant decrease in syneresis (%) with the increase in DS.

• Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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• v.22 no.5
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• pp.596-602
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• 1993

The Characteristics of Shinsunchalbyeo(Japonica) and Hangangchalbyeo($J{\times}Idica$) starches including physicochemical properties, differential scanning calorimetry(DSC) and enzymatic digestion of lintnerized starches were investigated. Degree of hydrolysis of Hangangchalbyeo starch with 2.2N HCI for 48hr was higher than that of shinsunchalbyeo starch. Absorbance at ${\lambda}_{max}$ 680nm, and ${\lambda}_{max}$ of iodine stained starch decreased upon acid treatment. But water binding capacity, swelling power and solubility considerably increased as hydrolysis progressed. Relative crystallinity of two starches increased with acid treatment, and that of Shinsunchalbyeo starch was higher than that of Hangangchalbyeo starch. DSC data continuously decreased for lintnerization periods, and those of Shinsunchalbyeo starch. DSC data continuously decreased for lintnerization periods, and those of Shinsunchalbyeo starch have higher than those of Hangangchalbyeo starch. The onset temperature of starch by DSC continuously decreased by treatment, but conclusion temperature increased until 24hr and then decreased. The enthalpy for gelatinization decreased for both starches. Degree of hydrolysis of lintnerized Shinsunchalbyeo starch with glucoamylase was slightly higher than that of Hangangchalbyeo starch.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.228-228
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• 2010

pin-형 비정질 실리콘 태양전지에서 p-층은 창물질로서 전기 전도도가 크고, 빛 흡수가 작어야 한다. p층의 두께가 얇으면 i층에서 충분한 내부전위를 얻을 수 없어 개방전압이 작아진다. 반대로 p-층 두께가 두꺼워지면 p-층 자체에서 빛 흡수가 증가하고, 높은 불순물 농도(> $10^{20}/cm^3$)에 의한 표면재결합이 문제가 되어 변환효율이 감소한다. 밴드갭이 큰 물질로 창층을 만들면 짧은 파장의 입사광이 직접 i-층을 비추므로 단락전류와 곡선인자를 증가시킬 수 있다. 본 실험에서는 비정질 실리콘 증착과 박막 특성 분석을 위하여, $5cm{\times}5cm$ 크기의 eagle 2000 glass(유리)와 p형 실리콘 wafer가 사용되었다. 투과도, 흡수도, Raman, 암전도도 와 광전도도 특성 측정에 유리 기판에 증착된 박막을, 두께 측정, FTIR 측정에는 실리콘 기판에 증착된 박막이 각각 사용되었다. p형 비정질 실리콘 증착에는 $SiH_4$, $H_2$, $B_2H_6$ 가스를 사용하였고, 플라즈마 형성에는 13.56MHz의 RF 소스가 사용하였다.p층은 $SiH_4$ 가스와 $H_2$ 가스비가 1:5인 조건에서 $B_2H_6$을 도핑하여 형성하였다. $B_2H_6$가스량을 변화시키며 형성하였으며, $B_2H_6$가스량이 증가함에 따라 암전도도가 증가하였으나, 광학적 밴드갭이 감소하였다. $H_2/SiH_4$ 가스 비가 0.001일 때 밴드갭은 1.76으로 i층보다 높게 형성되었으며, 암전도도는 $10^{-7}$이었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.347.1-347.1
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• 2014

최근, 박막 트랜지스터는 빠른 동작 속도, 낮은 공정비용 그리고 저온공정 등의 특성을 필요로 하고 있다. 그 중 indium-zinc oxide (InZnO)는 높은 전기적 특성, 높은 광 투과도 그리고 우수한 안정성 때문에 기존의 반도체를 대체할 수 있을 것으로 기대된다. InZnO의 경우 indium과 zinc의 조성비에 따라 특성 변화의 차이가 크기 때문에 다양한 조성비에 대한 연구가 보고되고 있는데, 기존의 InZnO 박막을 증착하는 방법의 경우에 조성비의 변화 과정에 많은 공정상의 어려움이 있다. 이 같은 문제점 때문에 조성비의 변화를 용이하게 할 수 있는 용액공정을 이용한 연구가 진행되고 있다. 또한 용액공정은 높은 균일성, 공정 시간 및 비용 감소 그리고 대면적화가 가능한 장점을 가지고 있다. 한편, 용액공정을 기반으로 한 InZnO의 경우에 용액 상태에서 고체 상태의 순수한 금속 산화물 상태로 바꾸기 위해 post-treatment 가 필요하다. 일반적으로 furnace 열처리 방법을 사용하는데, 이 경우 낮은 열효율 및 고비용 등의 문제점을 가지고 있다. 특히 glass 또는 flexible 기판의 경우 열처리 온도에 대한 제약이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로 최근에 microwave irradiation를 이용한 저온 post-treatment 방법이 보고되고 있다. Microwave irradiation는 짧은 공정시간 및 열 균일성 등의 장점이 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 indium과 zinc의 조성비를 갖는 용액을 제작한 후 spin coating을 이용하여 증착한 InZnO 기반의 박막 트랜지스터를 제작하였다. Furnace와 microwave 방식으로 post-treatment 하여 비교 평가한 결과 microwave irradiation 한 경우 furnace 열처리 한 경우 보다 더 안정된 동작 전압을 가지는 것으로 나타났다. 따라서 저온공정이 가능한 microwave irradiation 방법으로 post-treatment 한다면 차세대 산화물 반도체로서의 적용이 가능할 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.290.2-290.2
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• 2014

본 연구에서는 스핀코팅방법으로 증착된 ZnO 박막의 Zn-seed 층 열처리에 따른 구조적 광학적 특성에 관한 연구를 수행하였다. ZnO 박막을 증착하기 전, Quartz 기판에 열증착법으로 Zn-seed층을 증착하였고, furnace에서 300, 350, 400, $450^{\circ}C$의 온도로 1시간 동안 열처리하였다. ZnO 박막은 스핀코팅방법으로 5층을 증착한 후, $600^{\circ}C$에서 1시간 동안 후열처리를 하였다. X-ray diffractometer, UV-visible spectrometer, Photoluminescence를 이용하여 ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 ZnO 박막 시료에서 c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO(002)피크와 ZnO(100), ZnO(101) 회절피크가 나타났고, wurtzite 형태의 ZnO 박막이 관찰되었다. Zn-seed층을 $350^{\circ}C$에서 열처리함에 따라 deep-level emission 피크에 대한 near-band-edge emission 피크의 발광세기 비율이 증가하였으나, 온도가 증가함에 따라 점점 감소하였다. 또한, Zn-seed층을 $350^{\circ}C$에서 열처리 하였을 때 가장 높은 광 투과도를 나타내었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.59-59
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• 2010

ZnO는 II-VI 족 화합물 반도체로써 상온에서 큰 엑시톤 결합에너지 (~60 meV) 를 가지며 밴드갭이 3.37 eV인 직접 천이형 반도체로 잘 알려진 물질이다. 이러한 ZnO의 물리적 특성은 광학소자로 상용화된 GaN와 유사하기 때문에 LED나 LD등의 광 소자 재료로 주목 받고 있다. 또한 ZnO는 3족 원소 (In, Ga, Al)를 도핑 함으로써 전기적 특성 제어가 가능한 장점을 가지고 있다. 본 연구는 펄스레이저 증착법 (Pulsed Laser Deposition)을 이용하여 Si (111) 기판 위에 ZnO:In 박막을 성장 시켰으며, 도핑된 indium 양에 따른 ZnO 박막의 배향성 변화를 관찰 하였다. X-선 회절 분석법 (X-ray diffraction), 탐침형 원자현미경 (Atomic Force Microscope) 그리고 투과전자 현미경 (Transmission Electron Microscope)을 측정하였다. XRD 측정 결과 un-doped ZnO 박막은 (002) 방향으로 c-축 우선성장 하였다. 그러나 ZnO 박막내의 Indium 양이 증가 할수록 (002) 방향에서 (101), (102), (103) 등의 (101) 방향으로 성장이 변화 하였으며 5 at.% 이상에서는 (100) 방향의 성장이 관찰 되었다. TEM 측정 결과 un-doped ZnO 박막은 columnar 구조로 성장 되었으나, Indium 양이 증가할수록 column의 size가 감소하며, 5 at.% 이상에서 columnar 구조 성장이 거의 관찰되지 않는다. AFM 결과에서는 Indium 양이 증가 할수록 박막의 표면거칠기와 결정립 크기가 감소하였다.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.19 no.1
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• pp.1-8
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• 2014

Purpose: To observe changes of coatings and lens materials with varying temperature to understand effect of temperature on plastic lens. Methods: In this study, three lenses of different refractive indices (2 of thiourethane oriented lenses, an allyl diglycol carbonate oriented lens) were exposed to high temperature (50, 80, and 100 degree) for 5 hours and changes of individual coating (anti-refractive coating, hard coating, and water repellent coating) were measured. Results: As a result, high-refractive index lenses did not exhibit significant variation of hardness. However, hardness of mid-refractive index lens were decreased when exposed to high temperature and destructions of hard coating layer was inferred. Surface contact angles of lens were decreased with increasing temperature and water repellent coating layer were damaged at higher than 80 degree. Conclusions: Multi including water repellent coatings on all three lenses with different refractive indices were damaged when exposed to at or higher than 80 degree. The degree of changes in mechanical and physical properties were depended on polymer material type.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.12 no.2
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• pp.112-117
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• 2003

MgO films is widely used in plasma display panel (PDP) technology. In this work, structural and optical properties of the MgO films deposited by e-beam evaporation, reactive magnetron sputtering, which are commercially used, and arc deposition were compared. MgO thin films were deposited on glass substrates by vacuum arc deposition equipment using a magnesium metal target at various oxygen gas flows. In order to investigate the packing density by ellipsometer, to measure reasonable erosion-rates of the MgO protective layers, we introduced an acceleration test method, namely, Ar+ ion beam induced erosion test. Also, XPS and UV test were adopted to examine the effect of the moisture on the optical transmittance of the MgO protective layers, which showed that these of MgO films by arc deposition method sustained more 90% and were insensitive to effect of the moisture. XRD and AFM have been also used to study behaviors of the structure and surface morphology.