• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.5
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• pp.73-84
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• 2012

테라헤르츠파는 0.1~10THz 대역의 미개발 주파수 자원으로 전자기파 스펙트럼에서 적외선과 밀리미터파의 중간 영역에 위치한다. 전파의 투과성과 광파의 직진성을 동시에 가지고 있어 독특한 물리적 특성을 보유한 테라헤르츠파는 THz 소자, 분광, 영상 기술 등의 기초 과학과 의공학, 보안, 환경/우주, 정보통신 등의 응용 과학 분야에서 이미 그 중요성이 검증되어 향후 폭넓은 산업 응용으로 다양한 분야에서 새로운 형태의 시장이 형성될 것으로 기대된다. 이러한 테라헤르츠파 기술의 사회, 경제적 파급력을 극대화하기 위해서는 테라헤르츠 대역 소자의 특성을 향상시키고, 크기와 가격을 낮추는 것이 매우 중요하다. 본고에서는 크기와 가격을 낮출 수 있는 포토닉스 기반의 테라헤르츠 가변형 연속파 신호원 및 검출기 기술과 이를 기반으로 구현 가능한 응용 기술 동향에 대하여 기술하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.12 no.1
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• pp.1-4
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• 2001

Via terahertz (THz) reflection radar, the characterizations of reflected THz electromagnetic pulses are reported. Quasi-optical techniques are used to efficiently reflect pulses of THz electromagnetic radiation from an aluminum mirror and several conducting and nonconducting materials. An incident THz pulse is reflected up to 9 times to know the magnitude change of a reflected pulse from the aluminum mirror. Using this method, aluminum board, undoped silicon, quartz, and LDPE samples' reflection coefficient and index of refraction can be measured. These results suggest a possible application of transient THz reflection spectroscopy without surface contact.ontact.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.5
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• pp.119-132
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• 2009

새로운 전파자원으로서 초고속 무선통신뿐만 아니라 분광, 센싱, 이미징 등 여러 분야에서 다양한 응용이 기대되는 연속 밀리미터파와 테라헤르츠-파에 대한 발생 및 응용기술을 논하였다. 밀리미터파의 경우 전자소자를 이용한 방법을 주로 사용하지만, 테라헤르츠-파는 전자 및 광기술을 모두 사용하여 발생시킬 수 있다. 본 글에서는 광학적 방식을 이용한 연속 밀리미터/테라헤르츠-파의 발생기술과 이를 이용한 응용기술에 대하여 논하였다. 최근 고출력 PD의 기술발전에 따라 광학적 발생방식의 밀리미터/테라헤르츠-파를 이용한 CW 분광 측정이 유용할 것으로 보인다. 현 단계에서 1THz에서의 최대 가용 출력은 약 $10{\mu}W$ 정도이나, 포화전류와 열 관리 문제를 해결하고 PD 성능의 개선을 함으로써, 단일 소자에서 1THz에 대한 최대 가용출력이 $100{\mu}W$ 수준이 될 것으로 기대된다. 연속 밀리미터/테라헤르츠-파 분광법은 더욱 정밀하고, 다양하며 경제적인 분광 시스템 기술에 크게 기여할 것으로 전망된다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.6
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• pp.114-123
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• 2012

밀리미터파 및 테라헤르츠파는 미래 과학 기술의 보고로서 초고속 통신, 보안 검색 등 다양한 분야에 응용/연구되고 있으나, 밀리미터파 및 테라헤르츠파 영상 기술은 고출력 반도체 신호원이나 배열형 검출기와 같은 핵심 부품 기술의 부재로 연구개발 초기 단계에 있다. 밀리미터파 대역에서 100GHz 이상은 테라헤르츠파 대역과 겹쳐지는 부분으로 300GHz 대역의 밀리미터파 및 테라헤르츠파가 갖는 특성인 종이, 섬유 등의 비이온화 물질에 대한 투과성과 금속에 대한 높은 반사도를 이용하면 인구의 집중도가 높은 공공 장소에서의 은닉된 흉기나 폭발물 등의 위험물 영상을 비접촉식으로 획득할 수 있으며, 식품의 가공 또는 유통 과정 중에 발생할 수 있는 식품 이물질을 제품의 손상 없이 구별해 낼 수 있다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.37 no.2
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• pp.11-20
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• 2022

Terahertz electromagnetic waves are considered the waves for the next generation of security checking technology. They can penetrate opaque materials, such as plastics, fibers, papers, and leathers. In addition, they are harmless to humans they cannot penetrate human skins. Moreover, because their frequencies are higher than those of millimeter waves, higher resolution and more detailed information is expected than the millimeter wave-based technologies In this study, we describe the trends and prospectives of terahertz technology as security checking technology that can be directly applied to a human body.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.25 no.5
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• pp.106-122
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• 2010

생체의료 및 보안검색 응용을 위한 테라헤르츠파 기술에 대하여 조사하였다. 테라헤르츠파는 기존의 X-선이나 초음파, 적외선, 밀리미터파 등에 비하여 독특한 특성을 가지고 있어 새로운 분광 및 영상기술을 확립할 가능성을 가지고 있다. 테라헤르츠 기술의 발전과 더불어 생체의료분야에서는 암진단, 치과질환 및 바이오칩 등에서 큰 시장을 형성할 것으로 전망되며, 보안검색분야는 공항, 항만, 지하철, 우편물 취급 등의 공공부문에서부터 군사목적에 이르기까지 응용이 가능하다. 최근 수 년 동안 소형, 경량 및 저가격의 테라헤르츠 시스템이 개발되면서 시장전망에 크게 높아졌다. 초기에는 공공시설 및 대형 병원에서 시작하여, 기술적 안정성 및 시장 활성화에 의한 경제성이 확보되면 민간 부문의 시장으로 크게 파급될 것으로 가대된다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.20 no.9
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• pp.974-982
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• 2009

Photomixing techniques beating two optical signals with different wavelengths and strong correlations are also very useful techniques to make a continuous wave(CW) signals in the range of millimeter(mm) and terahertz(THz) frequencies. An optical double sideband-suppressed carrier(DSB-SC) technique is one of the popular techniques to generate two optical signals with different wavelengths and strong correlations. DSB-SC signals with strong correlations are generated by a CW modulation of an optical carrier with a local oscillator and an optical modulator. In the previous parers related the DSB-SC for producing the CW signals within the range of mm and THz frequencies, there have been no reports why the optical carrier should suppress. In order to clear that, we have analyzed and measured the characteristics of the mm-wave CW signals made by the DSB-SC photomixing in this paper. From our analysis and measurement results, compared with the case of the DSB with the maximized optical carrier, the power and phase noise have improved about 23.9 dB and 21 dBc/Hz(@ 1 MHz offset frequency) in the case of the DSB with the minimized optical carrier (that is to say, the DSB-SC). Consequently, it is evident reason that the optical carrier should sufficiently suppress to obtain the mm-wave CW signals with the high power and low noise. This paper has given very helpful data to make mm- and THz-wave CW signals using photomixing techniques with the DSB-SC because the reason why the optical carrier should be suppressed is reported in this paper based on the numerical and experimental results.

• The Science & Technology
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• s.530
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• pp.54-59
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• 2013

• The Optical Journal
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• s.173
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• pp.63-68
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• 2019

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.37 no.1
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• pp.1-6
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• 2017

In this study, a terahertz time domain spectroscopy (THz-TDS) imaging technique was used to measure doping concentration and physical properties (such as refractive index and permittivity) of the doped silicon (Si) wafers. The transmission and reflection modes with an incidence angle of $30^{\circ}$ were employed to determine the physical properties of the doped Si wafers. The doping concentrations of the prepared Si wafers were varied from $10^{14}$ to $10^{18}$ in both N-type and P-type cases. Finally, the correlation between the doping concentration and the power of the THz wave was determined by measuring the powers of the transmitted and reflected THz waves of the doped Si wafers. Additionally, the doped thickness, the refractive index, and permittivity of each doped Si wafer were calculated using the THz time domain waveform. The results indicate that the THz-TDS imaging technique is potentially a promising technique to measure the doping concentration as well as other optical properties (such as the refractive index and permittivity) of the doped Si wafer.