• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.204-204
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• 2009

적외선 광투과 칼코게나이드 유리를 성형온도, 단위공정시간, 서냉 시 가압력등 성형조건을 변화시키면서 고온압축성형하였다. 성형된 칼코게나이드 유리렌즈의 특성평가를 위해 성형조건에 따른 렌즈깨짐 현상, 성형렌즈의 결정성 및 투과도를 측정하였다. 성형과정에서의 내부응력과 소재 자체의 낮은 경도로 인해 성형조건에 따른 렌즈깨짐 현상이 발생하였으며, 고온압축성형시 성형온도 범위 ($330{\sim}340^{\circ}C$)와 단위공정시간(100초~200초) 조건 변화에 따른 성형 렌즈의 광투과도 및 결정성 차이는 나타나지 않았다. 본 연구를 통해 칼코게나이드 유리 소재의 고온압축 성형성을 확인하여 적외선 광학계 렌즈로써의 적용 가능성을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.167-167
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• 2010

Ge-Sb-Se계 칼코게나이드 유리의 Melting 조건변화에 따른 특성변화를 연구하였다. Glass melting 조건(homogenization-temperature, homogenization-time, annealing) 에 따라 제작된 칼코게나이드 유리 bulk를 FT-IR, XRD, SEM 등의 분석장비를 이용하여 특성을 분석하였다. Homogenization temperature가 높을수록 석영관 급냉 시 발생되는 mechanical stress와 내부응력차로 인해 칼코게나이드 유리 깨짐현상이 증가하였으며 조성비와 melting 조건에 따라 XRD분석에서 확인되지 않는 미소결정이 SEM 분석결과 관찰되었다. 본 연구를 통해 칼코게나이드 유리의 melting 조건에 따른 경향성을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.71-72
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• 2009

칼코게나이드(chalcogenide)계 비정질 반도체는 그들의 독특한 광학적, 전기적 특성 때문에 활발한 연구가 진행되고 있다. 비정질 Se는 유연한 원자구조로 인해 가장 먼저 광학적으로 상용화되었으며, 응용성이 매우 큰 반도체 재료중 하나로 Ge-Se와 같이 Se를 기본으로 한 칼코게나이드 유리 반도체가 주목받고 있다. 따라서 본 연구에서는 비정질 칼코게나이드 $Ge_xSe_{100-x}$(x=25,95) 조성에 대한 광학적 특성을 연구 하였다. 시료는 5N의 순도를 갖는 Ge, Se 물질을 준비하고 조성비에 맞추어서 석영관에 진공 봉입한 후 용융 혼합하여 $Ge_{25}Se_{75}$와 $Ge_{95}Se_5$조성의 두 가지 비정질 벌크를 제작하였다. 열증착 방법으로 유리 기판위에 박막을 제작하였고 UV-vis-NIR spectrophotometer를 사용하여 투과도를 측정하였다. 측정한 스펙트럼을 이용하여 Swanpoel method로 굴절률을 계산하고 특성을 분석하였다.

• Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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• v.19 no.3
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• pp.388-393
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• 2010

In recent years the research has been focused on the preparation of special glasses, i.e., chalcogenide and heavy metal oxide ones that can transmit optical radiation above 2 um and also other optical parameters exceed those of silica based glasses. The attention in this paper is focused on chalcogenide glasses, on preparation of high quality base glass, for an application in infrared optical product design and manufacture. The amorphous materials of As-Se and Ge-As-Se chalcogenides were prepared by a standard melt-quenching technique. The compositions were mesaured by ICP-AES and EPMA, and structural and thermal properties were studied through various annealing processes. Several anomalies of glass transition and crystallization were observed in the DSC/DTA/TG results of the chalcogenide glass.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.23 no.4
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• pp.154-158
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• 2012

In this paper, for low cost infrared optical equipment, we design and fabricate an infrared optical system for an uncooled detector using PGM(Precision Glass Molding) lenses. The designed infrared optical system has a good athermalization, and the material of all of its lenses is a chalcogenide glass suitable for the PGM method. In addition, we also fabricate the same infrared optical system using SPDT(Single Point Diamond Turning) lenses in order to measure the optical performance of PGM lenses. We measure the MTF(Modulation Transfer Function) of the two infrared optical systems which use the PGM lenses and the SPDT lenses. And then we compare and analyze the images of them both. As a result, we find that they have only a very small difference in optical performance. If the use of PGM lenses increases, we expect to reduce the cost of infrared optical equipment.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.3 no.2
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• pp.140-148
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• 1993

In this study, the electrical and optical properties of amorphous, crystallization and thin film of As-Ge-Se Chalcogenide System was investigated. Typical composition of this material has $As_{20~50}Se_{40~70} and Ge_{10~40}$ at%. Materials having Se was fixed to 40 at% and As was above 30 at% much more increased the electrical conductivity. After crystallization at the temperature of $476^{\circ}C$ for 3 hour was showed the best electrical conductivity of 1.74E-13$(\Omega cm)^{-l}$. And the main crystalline phase of this sample can be investigated using the mixed crystalline, i.e, $GeSe_2 and As_2Se_3$ phases. The thin film shows the optical absorption coefficient in the range $2{times}10^3 to 7{times}10^4$ and the optical energy gap of 1.85eV.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.07a
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• pp.439-442
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• 2001

Chalcogenide glassy semiconductors(CGS) can be obtained by the melt quenching technique. We have investigated the thin film heterostructures : metal-chalcogenide glassy semiconductors, where metal is copper, and chalcogenide glassy semiconductors are glasses of the system As-Se. CU/CGS film heterostructure were produced in the vacuum evaporator by the method of vacuum thermal evaporation. Doped films are very sensitive to external actions, and this property allows developing supersensitive precision sensors of temperature, humidity, illumination, and etc. based on them. Cu/CGS film has shown that resistance strongly depend on the temperature. The ratio of resistance vs. temperature has shown over a 2 k$\Omega$/degree. The slop of temperature and resistance shows linear.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07b
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• pp.826-829
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• 2003

Metal/chalcogenide glass semiconductor(CGS) thin film devices were produced in the vacuum evaporator by the methode of vacuum thermal evaporation. We investigated the influence of the correlations of thickness of metal and CGS upon the concentration of Metal in a CGS thin film. It has shown that M/CGS thin film devices were very sensitive to temperature.

• The Optical Journal
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• s.141
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• pp.18-20
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• 2012

"내일 지구가 멸망하더라도 나는 오늘 한 그루의 사과나무를 심겠다" 17세기 네델란드 태생의 철학자인 바뤼흐 스피노자가 이렇게 말했다고 한다. 그는 유럽의 대표적인 합리주의 철학자로 인정받으며 '에티카'를 통해 서양철학계에 커다란 화두를 던지기도 했다. 하지만 스피노자의 직업은 잘 알려져 있지 않았다. 그의 직업은 좀 색다르다. 그는 당시로는 파격적인 사상을 지닌 덕에 유대사회에서 추방됐고 카톨릭은 그의 모든 서적을 금서로 지정했다. 결국 스피노자는 렌즈를 가공하는 일로 생계를 유지하게 된다. 현대적 관점에서 보면 직가공에 의한 구면렌즈 가공이 이미 17세기 이전에 일반화된 것이다. 현대의 광학계 가공은 스피노자의 시대와는 비교할 수 없을 만큼의 다양한 기술적 발전에 힘입어 고정밀화, 비구면화, 양산화의 방향으로 진행되고 있다. 특히 성형 방식에 의한 비구면 렌즈 제조는 관련 분야의 핵심 기술이 되고 있으며 최근에는 적외선 렌즈에도 적용되고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.590-593
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• 2004

본 논문에서는 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)박막과 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)/Ag(20nm)박막에 홀로그래피 격자를 형성시킨 후 Tg 온도$(240^{\circ}C)$를 기준으로 하여 유리질 천이온도(Tg) 온도 이하 $(190^{\circ}C)$와 이상$(270^{\circ}C)$에서 열처리 시킨 후의 회절효율 변화를 알아보았다. $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm) 박막의 경우 $190^{\circ}C$ : 50%, $240^{\circ}C$ : 약80%, $270^{\circ}C$ : 약 98%의 회절효율 감소가 일어났으며 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$(300nm)/Ag(20nm)박막에서는 Tg 온도 이하 즉 $190^{\circ}C$, $240^{\circ}C$ 에서는 회절효율의 변화가 없었으나 Tg온도 이상인 $270^{\circ}C$에서는 약 1.5배 증가한 회절효율을 나타내었다.