• Title/Summary/Keyword: 치밀화 거동

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Preparation of $CuInSe_{2}$ Absorber Layer for Solar Cells by Non-vacuum Process (비진공방식에 의한 태양전지용 $CuInSe_{2}$ 광흡수층 제조)

  • Kim, Ki-Hyun;Ahn, Se-Jin;Yoon, Kyung-Hoon;Ahn, Byung-Tae
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2007.06a
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    • pp.346-349
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    • 2007
  • 치밀한 $CuInSe_{2}$ (CIS) 태양전지용 광흡수층을 제조하기 위해 상용되는 출발물질을 이용하여 비진공방식인 paste coating 법으로 CIS 막을 제조하였다. 먼저 치밀한 CIS 막 제조를 위해 $Cu_{2}Se$의 액상 거동을 관찰하였다. 이러한 $Cu_{2}Se_{2}$의 액상거동을 위해 Se 분위기에서 Se 증발온도, 기판온도, 열처리시간 등을 다양하게 변화 시켰으며, Se 증발온도 $450^{\circ}C$, 기판온도 $550^{\circ}C$, 열처리시간 30분 그리고 수송가스 ($N_{2}$)를 20 sccm으로 최적조건을 형성하였다. 이러한 최적조건을 바탕으로 치밀한 CIS막을 위해 two-zone RIP (rapid temperature process) 방법으로 Se 분위기 안에서 셀렌화를 위한 열처리를 행하였다. 셀렌화를 위해 다양한 열처리시간에 따라 형성된 CIS 막은 CIS 광흡수층과 Mo 박막 사이에서 $MoSe_{2}$ 층이 형성되었지만, 균일한 CIS 막을 얻었으며 업자성장과 치밀화 거동을 관찰 하였다. 또한, CIS 막의 치밀화를 위해 Se 증발온도와 열처리시간을 고정하고 기판온도를 $600^{\circ}C$로 증가시켜 $Cu_{2}Se$의 액상거동을 관찰하였다. $600^{\circ}C$에서 형성된 CIS 막은 기판온도 $500^{\circ}C$의 시편보다 입자성장과 치밀화가 되었으나 기판으로 사용하는 soda-lime glass의 휨 현상이 발생하였다.

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Densification Behavior of Fine SiC Particle-Dispersed $Al_2$$O_3$-SiCComposite by Sinter Plus HIP (Sinter Plus HIP에 의한 $Al_2$$O_3$-SiC 나노복합재료의 치밀화 거동)

  • 채기웅
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.2
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    • pp.179-182
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    • 2001
  • Al$_2$O$_3$-5 vol% SiC 나노복합재료의 sinter plus HIP에 의한 치밀화시 일어나는 기공의 변화에 초점을 두어 치밀화 거동을 관찰하였다. $Al_2$O$_3$-SiC 시편은 질소분위기 중의 상압소결과 이후의 열간정수압소결(HIP)에 의해 완전치밀화가 이루어졌다. 155$0^{\circ}C$의 상압소결에 의해서는 90%의 비교적 낮은 상대밀도가 얻어졌으나, 기공의 폐기공화로 이후의 열간정수압소결(HIP)에 의해 99.6%의 완전치밀화가 가능하였다. 상압소결한 시편을 X-선 회절기와 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한 결과, 선택적으로 시편 표면부에서만 SiAl$_{6}$O$_2$N$_{6}$과 AlN 등으로 이루어진 치밀화된 반응층을 확인할 수 있었으며, 이러한 표면 반응층이 비교적 낮은 상대밀도의 시편내의 모든 기공을 폐기공화하는 효과를 주는 것을 알 수 있었다.

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Effect of Processing Parameters on the Densification-Behaviors by Low Shrinkage in Clay Materials (점토질소지의 공정제어에 따른 저수축 치밀화효과)

  • 임희진;최성철;이응상;이진성
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.33 no.7
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    • pp.725-734
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    • 1996
  • Shrinkage behaviors associated with forming drying and firing processes could be a driving force for the densification in materials. Low shrinkage-densification behaviors in clay materials have been shown to be highly dependent upon the processing parameters including particle size effect and kinetic behaviors caused by phases transformation characteristics. Chamottes pre-treated at 90$0^{\circ}C$ and 120$0^{\circ}C$ had dominent influence upon shrinkage control of materials during heat-treatment. But Coarse chamotte particles heat-treated at 120$0^{\circ}C$ did not contri-bute to any densification behaviors in clay materials while these added coarse particles could enhance near-net-shape control. Microstructure / property relationships in clay materials have been thought to be directly influenced by optimized characteristics between low shrinkage and densification behaviors.

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Densification Behavior of Titanium in Direct Powder Rolling Process (분말직송압연 티타늄의 치밀화 거동)

  • Kang, Dong-Hwan;Hong, Jae-Keun;Park, Nho-Kwang;Kim, Tae-Won
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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    • v.36 no.10
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    • pp.1255-1260
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    • 2012
  • The densification behavior of titanium powder in the direct powder rolling process was investigated. An analytical model for the roll-backlash phenomenon during this process was proposed to conduct a realistic finite element analysis. Furthermore, the roll-backlash was quantitatively analyzed, and the relative densities of the greenstrip along the rolling direction were precisely estimated. Finally, the slip and nip phenomena were identified by calculating the contact pressure and shear stress between the titanium powder and the roller in order to understand the densification behavior of the powder during the rolling process.

Densification and Grain Growth Behavior of MgO and TiO2-doped Alumina (MgO 및 TiO2가 첨가된 알루미나의 치밀화와 입성장 거동)

  • Lee, Jung-A;Kim, Jeong-Joo
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.39 no.11
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    • pp.1083-1089
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    • 2002
  • Densification and grain growth behavior of MgO and -doped alumina ceramics were investigated. MgO was found to inhibit grain growth and to promote densification, but acted to promote grain growth more than densification. The density which showed the maximum shrinkage rate was investigated in the plot of shrinkage rate versus density. The data suggests that the maximum shrinkage rate separates the two kinetic regimes, below the density of maximum shrinkage, the regime associated with densification and above the maxima, the regime associated with the grain growth. The plot exhibits a maximum which shifts to higher temperatures with MgO doping and to lower with doping.

Stress Development in Sol-gel Derived Multideposited Coatings of Lead Zirconate Titanate (다층 도포된 $\textrm{PbZr}_{0.53}\textrm{Ti}_{0.47}\textrm{O}_{3}$ sol-gel 박막내의 응력 거동)

  • Park, Sang-Myeon
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.9 no.11
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    • pp.1069-1074
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    • 1999
  • 본 연구에서는 PbZr(sub)0.53Ti(sub)0.47O$_3$(PZT) 박막을 복수 도포함에 따른 박막내의 응력을 온도의 함수로 실시간(in situ) 측정하였으며, 응력발생의 원인에 박막의 건조, 열분해(pyrolysis), 치밀화 및 결정화 현상과 연관시켜 설명하였다. 도포직후 단층박막에 생성된 55MPa의 인장응력은 가열됨에 따라$ 300^{\circ}C$-$350^{\circ}C$에서 최대 145MPa로 증가하였으며, 박막내의 응력은 모든 온도구간에서 항상 인장응력을 나타내었더. 다층도포시 $650^{\circ}C$까지 열처리 주기를 완료한 층이 두꺼워질수록 새로 도포한 층의 영향은 점차 감소하였으며, 9층박막에 이르러서는 가열과 냉각에 따라 응력이 동일하게 변화하였다. 응력측정 결과 다층박막의 치밀화는 $350^{\circ}C$에서 시작되어 $520^{\circ}C$-$550^{\circ}C$ 부근에서 완료되는 것으로 나타났으며 치밀화가 시작하는 온도는 미세경도 측정결과와 일치하였다. $PbTiO_3$(PT)와 달리 PZT 다층박막은 Si 기판 위에서 perovskite로의 결정화가 일어나지 않았다.

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