본 논문에서는 RF 프로브를 이용하여 평면 구조물의 RCS(Radar Cross Section)를 감쇄시키기 위한 방법을 제안하였다. 우선적으로, EM 시뮬레이터를 이용하여 제안한 방법에 대한 가능성을 증명한 후 실험을 수행하였다. x-band 에서 $10{\lambda}$의 알루미늄판 위에 FR4 기판을 이용하여 patch 형태로 제작된 RF 프로브를 설치하였으며, 그 후 알루미늄 판으로 입사되는 외부 전자파를 상쇄시키기 위하여 RF 프로브로부터 전자파를 방사하였다. 로테이터를 사용하여 알루미늄판을 phi 방향으로 회전하여 임의의 각도로 입사하는 평면파에 대해서도 반사파의 크기를 측정하였다. RF 프로브로부터 방사된 전자파의 세기와 위상은 신호 발생기와 위상 천이기를 이용하여 조절되었다. 결과적으로 무반향실에서의 실험을 통해, 알루미늄판에 의해 반사되는 전자파를 측정하여 외부 전자파의 상쇄 정도를 확인하였다.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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제18권10호
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pp.1117-1125
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2007
In this paper, a study has been performed on the design of small loop probe and analysis of induced electromagnetic wave signal from a smartcard for contactless cryptographic analysis. Probes for cryptographic analysis are different from conventional EM probes, because the purpose of proposed probe is to obtain the information for secret key analysis of cryptographic system. The waveform of induced voltage on probe must be very close to radiated waveform from IC chip on smartcard because electromagnetic attack makes an attempt to analyze the radiated waveform from smartcard. In order to obtain secret key information, we need to study about cryptographic analysis using electromagnetic waves, an approximate model of source, characteristic of probe for cryptographic analysis, measurement of electromagnetic waves and calibration of probes. We measured power consumption signal on a smartcard chip and electromagnetic wave signal using proposed probe and compared with two signals of EMA point of view. We verified experimently the suitability of the proposed small loop probe for contactless cryptographic analysis by applying ARIA algorithm.
The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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제17권4호
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pp.3-10
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2006
한국의 전파연구소와 일본의 정보통신연구기구는 휴대전화와 같은 이동통신기기로부터 방사되는 전자파가 인체에 흡수되는 에너지 정도를 측정하는 전자파 흡수율(SAR) 평가에 대한 오차 연구를 공동으로 수행하고 있다. 본 논문에서는 동종의 SAR 시스템에서 프로브, 교정용 도파관 및 기준 다이폴 안테나를 상호 교체하여 교정하여 프로브의 교정인자를 구하고 유효성 검사를 통하여 교정 오차를 검증하였다. 프로브 교정에 대한 상호 오차는 0.2 dB 이하의 결과를 얻었으며, 유효성 오차는 최대 0.28 dB를 얻었다. 그러나 SAR 외삽 알고리즘이 다를 경우는 최대 0.48 dB의 상대 오차를 보였다.
The purpose of this study was to investigate the effect of thermal treatments, such as a sous-vide and a conventional hot water cooking, on the texture changes of soybean sprout. A novel method to measure texture properties of soybean sprout have been determined because of the irregular geometry of soybean sprout. The shape of cotyledon of bean spout was accurately analyzed using an image processing and a geometry model. To minimize the effect of the contact area on the texture measurement, a blade type of probe was selected for the measurement. True stress was evaluated to reflect the shape changes during deformation, and demonstrated that the measurement accurately distinguished the effect of thermal treatment on the texture. Different heating time (i.e., 0, 10, 20, and 30 min) was applied for both sous-vide and conventional cooking. Thermal processing caused hardening of textures for both cotyledon and hypocotyl of soybean sprout. The conventional cooking method showed higher stress values than those of sous-vide cooking. Sprouts cooked by sous-vide released the moisture after thermal processing while sprout cooked by a conventional water bath method could hold the moisture content during thermal processing. The soybean sprouts treated by conventional cooking method showed a higher score in sensory evaluation.
Park, Il-Seo;Lee, Hyo-Chang;Kim, Yu-Sin;Kim, Dong-Hwan;Jeong, Jin-Uk
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.584-584
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2013
부유 고조화파 진단법을 이용할 경우에 직렬 커패시터가 달린 프로브에 정현파를 인가하게 되면 자기바이어스가 생긴다. 이런 자기바이어스에 의한 플라즈마 변수 측정에 대한 연구가 진행되어 왔다. 본 연구에서는 아르곤 유도 결합 플라즈마에서 실험을 진행하였으며 서로가 정수 배인 두 개의 주파수를 이용하였다. 이 두 개의 주파수를 평판형 프로브에 인가하여 각각 주파수의 위상 차이에 따라 자기바이어스를 측정하였다. 이 측정값은 이론적으로 구한 위상 차이에 따른 정현파 곡선과 잘 일치하였다. 또한 측정된 자기바이어스를 이용하여 플라즈마 변수를 계산하였으며 이는 랑뮤어 프로브로 측정한 결과와 비슷한 경향성이 나타남을 확인 하였다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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제38권7호
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pp.22-27
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2001
In this paper, the complex permittivity of various dielectrics such as powder(sugar and flour) and solid(teflon and acrvl) are measured by using an open ended coaxial-line probe, which is self designed and manufactured, The probe is connected to a vector network analyzer(VNA) through a coaxial cable, The end of the cable is corrected by using an OSL(open, short, and load) calibration kit, The phase difference, which is produced by inserting the probe at the end of the line. is compensated by using the numerically calculated reflection coefficient of distilled water, The complex permittivity is reconstructed by inserting the measured reflection coefficient, which is produced at the interface between the probe and measuring material, into ,an virtual conical cable conversion model. Over a wide frequency range from 30 MHz to 3 GHz, the measured complex permittivitis of various powder and solid using the our method are compared with the results, which are measured by using an transmission-line method of the Korea Research Institute of Standards and Science(KRISS).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.449-449
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2013
최근 반도체 소자의 집적회로는 점점 복잡해지고 있는 반면, 소자의 크기는 작아지고 있으며 그로 인해 패드의 크기가 작아지고 패드사이의 간격 또한 협소해지고 있다. 따라서 웨이퍼 단계에서 제조된 집적회로의 불량여부를 판단하기위한 검사 장비인 프로브카드(Probe Card)의 높은 집적도가 요구되고 있다. 하지만 기존의 MEMS 공법으로 제작되는 프로브 빔은 복잡한 제조 공정과 높은 생산비용, 낮은 집적도의 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 간단한 제조 공정과 낮은 생산비용, 높은 집적도를 가지는 프로브 빔을 개발하기 위하여 절연절단 방식으로 BeCu (Beryllium-Copper) 프로브 빔을 제작하였다. 낮은 소비 전력으로 우수한 프로브 빔 어레이를 제작하기 위해서 가장 고려해야할 대상은 프로브 빔의 재료와 구조(형상)이다. 절연전단 방식으로 프로브 빔을 형성할 때 요구되는 Fusing current는 프로브 빔의 구조(형상)에 크게 영향을 받는다. 낮은 Fusing current는 소비 전력을 줄여주고, 절연절단으로 형성되는 프로브 빔의 단면(끝)을 날카롭게 하여 프로브 빔과 집적회로의 패드 간의 접촉 저항을 감소시킨다. 프로브 빔의 제작은 BeCu 박판을 빔 형태로 식각하여 제작하였으며, 실리콘 비아 홀(Via hole) 구조의 기판위에 정렬하여 soldering 공정을 통해 실리콘 기판과 BeCu 박판을 접합시켰다. 접합된 프로브 빔의 끝부분을 들어 올린 상태로 전류를 인가하여 stress free 상태로 만들어 내부 응력을 제거하였으며, BeCu 박판에 fusing current를 인가하여 BeCu 박판 프레임으로부터 제거를 하였다. 제작된 프로브 빔의 길이는 1.7 mm, 폭은 $50{\mu}m$, 두께는 $15{\mu}m$, 절단부의 단면적은 1$50{\mu}m^2$로 제작되었다. 그리고 프로브 빔의 절단부의 길이는 $50{\mu}m$ 부터 $90{\mu}m$까지 $10{\mu}m$ 증가시켜 제작되었다. 이후에 절연절단 공정에 요구되는 Fusing current를 측정하였고, 절연절단 후의 절단면의 형상을 SEM (Scanning Electron Microscope)장비를 통하여 확인하였다. 절단부의 길이가 $50{\mu}m$일 때 5.98A의 fusing current를 얻었으며, 절연절단 후 절단부 상태 또한 가장 우수했다. 본 연구에서 제안된 프로브 빔 제작 방법은 프로브카드 및 테스트 소켓(Test socket) 생산에 응용이 가능하리라 기대한다.
In this paper, the sensitivity compensation method for three-dimensional acoustic intensity probe in the higher frequency range has been studied. The measurement error in the higher frequency range is generated from the phase mismatch between microphone's signals of the probe. If the wavelength of sound signal measured is less than those of the distance between microphones of the probe, that is, the higher frequency of the sound signal, the bigger measurement error is generated. In this study, we proposed the compensation methods for one-dimensional acoustic intensity probe with two-microphones, and the efficiency of those methods were investigated by numerical calculation of computer. It was most effective method to compensate the phase mismatch between microphone for the acoustic intensity probe was investigated for the sound estimated. and the efficiency of this method in a three-dimensional probe was investigated for the sound wave travelling in the arbitrary direction by numerical calculation of computer. In this result, the efficiency was proved that, for the measurement error of 1dB or less with the three-dimensional probe of 60mm space, the frequency should be less than 1.2kHz without the error compensation method, but the frequency increased up to 2.8kHz with the error compensation method.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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한국표면공학회 1998년도 춘계학술발표회 초록집
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pp.95-95
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1998
현장에서 부식속도를 측정하는 방법의 하나인 전기저항 프로브(Electric Resistance Probe, ER probe)는 시편이 부식되는 양에 비례하여 저항이 증가하는 원리를 이용한 것으로 부식기구에 무관하게 직접적인 부식속도의 측정이 가능하다. 그러나, 와이어나 판형으로 기계 가공된 프로브로 제작되어 미량의 부식에는 저항변화폭이 작아 긴 측 정시간이 필요하고, 특히 국부 부식의 경우 부식이 상당히 진행되더라도 전체 저항변 화가 크지 않은 문제점이 있다. 박막형 전기저항프로브는 미량의 부식에서도 저항변화폭이 크게 나타나도록하기 위 하여 금속 박막을 스퍼터링으로 증착하여 동일 부식량에서 저항 변화율을 크게 향상 시킨 프로브이다. 이 프로브는 좁은 선폭(O.25-1mm)의 세선을 복수개 포함한 형상으로 프로브를 설계하여 핏팅이 발생하면 하나의 세선이 끊어지도록 하여 국부적인 부식이 일어날 경우에도 저항변화가 크게 나타나도록 고안되었다. 탄소강의 경우 일반적인 환경에서는 부식속도가 결정립의 크기, 가공경화의 정도등 에 민감하게 변화되지 않는 것으로 알려져 있으나, 박막으로 증착되었을 경우에는 별 크재료와는 전혀 다른 미세구조를 가지므로 벌크의 부식거동과는 다른 거동을 보일 수 있다. 이 연구에서는 증착조건을 달리하여 증착된 철 박막의 결정성, 비저항, 표면 상태, 조성등을 4 point 프로브, SEM, Auger spectroscopy등을 이용하여 조사하고 각각의 전위, 부식속도등과의 상관관계를 조사하였다. 증착된 박막의 비저항은 증착중 혼입된 산소의 양에 따라 매우 민감하게 변화하였다. 산소가 l0at%이상 함유된 철은 강의 알려진 비저항보다 수십배 높은 비저항을 보이며, 부식전위가 높아지고 실제 부식속도 또한 매우 낮게 나타났다. 박막의 부식거동은 미량 불순물에 의해서도 크게 변화하였는데 동일한 수준의 비저 항을 갖는 철 박막에서도 99.9% 순도의 철을 타켓으로 하여 증착된 막은 일반 저탄소 강을 타켓으로 하여 증착된 막보다 훨씬 낮은 부식속도를 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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