피접지체의 접지는 전력설비의 절연파괴,낙뢰 등으로 전압이 침입할 경우 접지전극의 접지저항이 높으면 접지전극으로 유입되는 전류와 접지저항의 곱에 해당하는 접지전극의 전위가 상승하게 되므로 설비의 파손 인축의 피해 등이 발생 할 수 있다. 따라서 접지저항은 낮은 값으로 유지하는것이 필요하고 정기적으로 측정하여 관리하도록 규정하고 있다. 대표적인 접지저항측정방법으로는 3전극법(Fall of potential method)과 Hook-on 측정법이 있다. 그러나 3전극법은 측정하고자 하는 접지전극으로부터 일정한 거리에 전류를 흘려주고 이때 대지 전위를 측정 할 수 있는 2개의 보조전극 설치가 필수적이나 접지극과 접지선의 단자와는 설치 위치가 다르므로 접지전극의 설치점을 확인하기 곤란하고 건물내부, 지하철, 터널 등에는 보조전극의 설치가 거의 불가능하므로 처음 설치한 접지극의 접지저항측정관리에 어려움이 크다. 또한 Hook-on 측정법은 다중 접지 계통에 사용하는 방법으로 접지극이 수십 또는 수백개를 병렬로 연결한 경우 측정하고저 하는 접지그의 접지저항값에 비해 나머지 접지전극 전체의 합성저항이 무시할 수 있을 만큼 적은 경우에만 측정할 수 있으므로 건물이나 변전실 등 수개의 접지극이 설치된 경우는 사용할 수 없다. 본 연구는 보조전극을 설치하지 않고 측정하고자하는 접지전극 상호간의 전류분배 비율을 저항의 역수 비율로 하여 각각의 접지 전극의 접지저항값을 운전 중인 상태에서 간단하고 정확하게 측정할 수 있는 새로운 접지저항 측정 방법에 관한 연구이다.
현재 배전선로는 4가지 접지종별을 준용하여 피뢰기, 가공지선, 변압기, 기기류, 중성선 둥을 접지시공하고 있다. 또한 규정된 접지저항값에 따라 접지전극을 시공하고 2년에 1회 주기적으로 접지저항값을 측정하고 관리하고 있다. 현재 접지저항값의 측정에는 휴대가 간편하고 측정이 용이한 HOOK-ON 접지저항계가 주로 이용되고 있다. 그러나 HOOK-ON 접지저항계는 $\pm$5[\%]$정도의 측정오차 뿐만 아니라 측정선 전류가 1[A]를 초과하는 경우 변류용 철심이 포화되어 측정이 어렵다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 HOOK-ON 측정기법의 단점을 보완하여 다중접지 배전계통에서 부하 불평형 및 고조파 둥에 의해 발생하는 접지선 누설전류를 전류원으로 이용하는 접지전극의 접지저항을 측정하는 새로운 측정기법을 제안하였다. 또한 이를 실제 배전계통에 적용하여 전위강하법을 이용하여 측정한 접지저항값과 비교하였다.
Lee, Hwa-Seok;Thayalan, I. Daniel Thena;Park, Joung-Hu
Proceedings of the KIPE Conference
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2012.07a
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pp.103-104
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2012
기존의 저항 전류측정 방법의 경우 샘플링이 되지 않는 시간에도 전류가 센서 저항에 흐르게 되어 전력낭비가 있었다. 본 논문에서는 센서저항에 병렬로 바이패스 MOSFET를 달아줌으로써 샘플링이 되는 시간에서는 MOSFET off동작을 통해 저항에 전류를 흐르게 하여 전류를 측정하고 샘플링이 되지 않는 시간에서는 MOSFET on동작을 통해 전류가 센서저항에 흐르지 않게 하여 전력낭비를 막고, 센서저항이 감당하는 정격전력도 낮추는 이점이 있는 저항 전류 측정방법을 제안하고자 한다.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.38
no.6
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pp.539-545
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2014
Contact resistivity between silver electrodes and the emitter layer of a silicon solar cell wafer has been measured using either the circular transmission line method or the linear transmission line method. The circular transmission line method has an advantage over the linear transmission line method, in that it does not require an additional process for mesa etching to eliminate the leakage current. In contrast, the linear transmission line method has the advantage that its specimen can be acquired directly from a silicon solar cell. In this study, measured resistance data for the calculation of contact resistivity is compared for these two methods, and the mechanism by which the linear transmission line method can more realistically reflect the impact of the width and thickness of a silver electrode on contact resistivity is investigated.
Park, Su-Dong;Kim, Bong-Seo;Lee, Hee-Woong;Chung, Hyun-Woock
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.613-614
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2005
재료의 상변태 현상을 규명하기 위한 목적으로 이용되는 전기저항 측정법은 "비열측정", "선팽창율 변화 측정"등의 주요 분석방법에 비해 상대적으로 우수한 정밀성과 편이성으로 많은 연구자들에 의해 이용되고 있다. 그러나 전기저항 측정법은 전기저항의 온도민감성, 크기효과(size effect) 등으로 인해 실험결과에 대한 폭넓은 응용과 해석에 제한을 받고 있다. 최근 전기저항 변화율을 미분한 "DVRC 측정법"을 통해 보다 정밀하게 상변태 현상을 규명하고자 하는 노력들이 진행 중에 있다. 본 연구에서는 Al-Mg합금을 대상으로 수행된 전기저항 측정결과와 DVRC측정결과를 비교 분석함으로서 미시적 상변태 해석을 위한 기초적 해석 자료를 도출하고자 하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.267-269
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2003
반도체 웨이퍼 및 각종 박막의 면/비저항(sheet/resistivity resistance)의 측정에 비교적 간단히 측정할 수 있고 측정정확도가 높은 4탐침(four-point probe)방법이 널리 사용되고 있다 또한 4탐침 측정방법은 높은 분해능의 contour map작성과 ion implantation의 doping accuracy 및 doping uniformity의 측정에도 사용된다. 최근 재료의 소형, 박막화 경향으로 볼 때 정확한 비저항 측정의 필요성이 요구되고 있으며 이에 따라 4탐침 측정기술인 single 및 dual configuration method로 실리콘 웨이퍼에 대한 비저항의 측정 정확도를 고찰한 결과 dual configuration 측정방법이 single configuration측정 방법에 비하여 정밀 정확도가 더 좋은 것으로 고찰되었다.
변전소와 같은 대규모의 전력설비 뿐만 아니라 통실설비에서도 낙뢰의 침입시와 스위치의 동작시 과전압이 발생 될 수 있는 안전상의 문제와 설비의 보호라는 측면에서 접지계통의 중요성은 아무리 강조하여도 부족하다. 그러나 운전중에는 설비의 누설전류와 불평형전류에 의해 형성된 대지전위의 영향으로 운전중인 전력설비를 대상으로 기존의 접지저항측정방식으로 접지저항 측정이 불가능하다. 본 논문에서는 기존의 접지저항 측정방식과 측정법이 동일하면서도 설비가 운전중인 경우에도 접지저항의 측정이 가능한 방법과 측정 장치를 소개한다. 본 방법은 운전중인 전력설비에서 이미 형성된 대지전위성분을 분석하고 이와 간섭을 일으키지 않는 독립적인 주파수를 선정하는 방식을 채택하고 있다. 또한 이러한 방식의 실증을 위하여 대규모 접지망인 변전소를 대상으로 하여 건설 후 운전전과 운전후의 접지저항 측정을 시도하고 이를 비교하였다. 실증시험결과 대규모접지망의 경우에도 설비가 운휴중인 경우의 접지저항간과 운용중인 경우의 접지저항값이 일치함을 실증하였다. 결과적으로 본 논문에서 제안한 방법과 장치의 경우 운전중인 대규모 접지망의 접지저항 측정이 가능하다는 것을 입증하였다.
Touch panel 및 Touch screen 등의 투명전극으로 많이 사용되고 있는 ITO(Indium Tin Oxide)나 CNT(Carbon Nano Tube) 등 전도성 박막의 면저항을 쉽고 빠르게 측정하기 위하여 van der Pauw method를 이용한 면저항 측정기를 개발하였다. 이 면저항 측정기는 대면적 시료의 면저항을 측정 할 수 있어 매우 편리하다. 면저항 측정은 주로 Four Point Probe method로 측정하는 것이 일반적이나 본 연구에서는 van der Pauw method를 이용한 측정값과 Four Point Probe method로 측정한 결과를 비교한 결과 1 % 이내에서 일치하였다. 개발된 측정기의 측정 정확도는 지시값의 1.0 % 이하이고, 측정범위는 $2{\Omega}/{\square}{\sim} 5k{\Omega}/{\square}$이다.
Ku, Ja-Hun;Kim, Jong-Dae;Kim, Yu-Seop;Park, Chan-Young;Lee, Wan-Yeon;Song, Hae-Jung
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2010.06c
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pp.221-225
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2010
본 연구에서는 제한된 온도 영역에서 보통 정밀 온도 측정 소자로 많이 쓰이는 NTC 써미스터를 사용하여 전압 분배 회로(voltage divider circuits)를 구성하였다. 분압 저항이 온도측정 해상도에 미치는 영향을 분석하고, 회로의 분압 저항을 결정하는 방법으로서 측정하고자 하는 온도 구간의 최대 온도와 최저 온도의 NTC 써미스터 저항 값을 조화평균을 사용하여 분압 저항(divider resistance)으로 사용하였다. 선택한 분압 저항이 이상적인 저항인지에 대하여 조화평균으로 계산한 분압 저항과 대조군 저항으로 전압 분배 회로를 병렬로 구성하였다. 센서들을 항온조 넣어 설정온도($50^{\circ}C$, $70^{\circ}C$, $90^{\circ}C$)에서 각각의 온도를 측정한 후 측정 데이터의 표준편차를 구하여 평균 온도 분해능을 비교 하는 실험을 하였다. 실험결과 측정온도 구간의 최대 온도와 최소 온도에서의 NTC 써미스터 저항 값을 조화평균으로 계산한 분압 저항 값이 대조군 저항에 비해 설정온도에서 보다 높은 평균 온도 분해능(sensing resolution)을 보였다.
금속의 전기 비저항 측정방법은 일반적으로 4단자, van der Pauw, Four-Point Probe(FPP), eddy current 방법 등이 있다. 이들의 측정방법들은 각각 다르지만 동일한 시료에 대한 전기 비저항 측정값은 거의 같은 결과를 나타내어 야 한다. 금속 전기 비저항의 정밀측정에 대한 연구를 위하여 비자성 금속인 STS 316 시료를 선정하여 측정한 결과 4단자와 van der Pauw 방법으로 측정된 비저항은 각각 $75.86{\mu}g\Omega{\cdot}cm$(2.273 %IACS), $75.80{\mu}g\Omega{\cdot}cm$(2.275 %IACS)이며, 측정 불확도는 0.25 %로서 거의 동등한 결과를 나타냈고, Four Point Probe(FPP) 방법으로 측정된 비저항은 $75.36{\mu}g\Omega{\cdot}cm$(2.288 %IACS), 측정 불확도는 0.45 %, eddy current 방법으로 측정된 비저항은 $76.63{\mu}g\Omega{\cdot}cm$(2.25 %IACS), 측정 불확도는 0.64 %로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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