ITO (indium tin oxide)는 스마트폰을 비롯한 여러전자제품의 터치패널 투명전극으로 가장 많이 쓰이고 있는 물질이다. 산화 인듐(In2O3)과 산화 주석(SnO2)의 화합물로 우수한 전기적 특성과 광학적 특성을 지녀 태양전지 분야에서도 그 활용가능성이 높다. 또한 최근 고효율 태양전지인 HIT (heterojunction with intrinsic thin layer) solar cell의 경우 Si 기판의 두께가 얇고, 소자의 양면에서 태양광을 흡수하여 효율을 증가 시키데, 특히 투명 전극의 물리적 특성들과 계면의 트랩의 상태가 효율에 영향을 미친다. 본 연구에서는 HIT Si 기판의 태양전지 구조에 전극으로 쓰일 ITO 박막을 sputtering 방법으로 증착하여 물리적 특성을 연구하였다. ITO 타겟을 활용한 radio frequency magnetron sputtering 방법으로 Si 기판에 ITO 박막을 증착하였다. 50W의 방전전력과 Ar 10 sccm 분위기에서 성장시킨 ITO 박막을 Transmission Electron Microscope 로 측정하였다. X-ray Diffraction 측정으로 ITO 결정의 방향성을 확인하고 Photoluminescence 측정으로 성장된 ITO 박막의 밴드갭 에너지를 확인하였다. $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$에서 후열처리한박막의 광 투과율, 비저항, 이동도를 측정 비교하여 적절한 후열처리 온도를 찾는 연구를 진행하였다. Sputtering 방법으로 성장시킨 ITO 박막의 전기적, 광학적 특성을 측정하여 HIT solar cell에 활용될 가능성을 확인하였다.
본 연구에서는 기존의 추력측정 방법보다 간단한 추력측정 방법으로서 피토 압력을 이용한 방법을 제안하였고, 이의 검증을 위해 소형 추력측정기를 제작하였다. 추력측정기를 이용하여 모델로켓 모터 및 초음속 풍동의 추력측정을 통하여 그 가능성을 확인하였고 본 연구의 목표인 피토압력과 추력측정기를 이용한 측정 추력의 비교연구가 계획되어 있다.
하드웨어 비중이 큰 임베디드 시스템 특성상, 하드웨어 중심적인 품질 측정 및 평가가 이루어져 왔으나, 소프트웨어 규모 증가로 인해 임베디드 시스템에서도 소프트웨어 품질에 대한 체계적인 관리의 필요성이 대두 되고 있다. 이에 본 연구에서는 임베디드 시스템 소프트웨어 측정을 위한 품질 특성을 조사 하였으며, LG산전 인버터 시스템에 대한 품질 메트릭 추출을 통해 임베디드 시스템 제품의 품질 측정 가능성을 확인하였다.
본 연구는 해저지형 측정시스템을 이용하여 인공어초가 설치된 통영항 근처의 해저지형을 측정하였다. 인공어초는 해저의 지형 및 저질을 파악한 후 적정위치에 설치되어져야 한다. 본 조사에서는 이미 인공어초가 설치되어진 지역의 해저지형을 조사하여 인공어초가 측정되어진 해저지형에 대해 어떠한 형태로 설치되어져 있는지 조사하였다. 향후 인공어초 설치 시 적정지점을 정하는데 주요한 초기 기초 조사 방법으로써 본 해저지형시스템 사용의 가능성을 제시하고자 한다. (중략)
R&D 연구 투자의 문제점의 하나는 불확실성이 크다는 점이다. 이러한 불확실성이 기업에는 많은 부담을 주는 요인이 될 수 있다. 이러한 면에서 R&D 투자가 기업 가치에 양(+)의 영향을 미치기까지의 시간을 측정할 수 있는 연구의 필요성이 있다고 보여진다. 본 연구는 GMM-PVAR(Panel Vector Autoregression) IRF(Impulse Response function)를 사용하여 1900년부터 2015년까지 한국거래소의 코스피와 코스닥시장에 상장된 기업을 대상으로 R&D 투자가 기업가치에 양(+)의 영향을 미치기까지 걸리는 시간을 측정 하였다. 또한 기업의 재무적 특성 변수 중 기업의 크기, 성장 가능성, 그리고 산업 집중율이 R&D 투자가 기업가치에 양(+) 영향을 미치기까지 걸리는 시간을 단축시킨다는 점을 발견하였다. 그것은 이들 재무적 특성변수 들이 R&D 투자와 기업가치간의 관계에 긍정적인 영향을 미칠수록 즉 경쟁이 심화될수록 크기가 클수록 시간이 단축되며 작은 기업의 경우는 성장 가능성이 높을수록 시간이 단축되는 경향을 보였다. 흥미 있는 점은 큰 기업들의 경우에는 성장가능성이 낮은 기업들이 성장가능성이 높은 기업들보다 더 큰 양의 결과를 보였다.
결정질 태양전지의 변환효율은 이미 이론적 한계에 가까워져, 최근 산업에서는 이 대신 제조공정 단가를 낮추려는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 태양전지 도핑공정에 대기압 DBD 플라즈마를 응용하여 저렴하게 태양전지를 제작할 수 있는 방법을 모색한다. 대기압 DBD 플라즈마를 발생시키기 위해 DC-AC 인버터 구조의 전원을 사용하여 수십 kHz의 주파수, 수 kV의 전압을 인가하여 $5cm{\times}1cm$ 직사각형 모양의 아노다이징된 알루미늄 전극을 사용하였다. 전극과 Ground 사이에 Argon 가스를 주입하여 플라즈마를 발생시켰으며, 출력전류는 수십 mA의 전류가 측정되었다. $3cm{\times}3cm$의 P-type wafer에 스핀코팅 방식으로 H3PO4를 도포한 후, Wafer 표면에 플라즈마를 조사하여 대기압 DBD 플라즈마를 이용한 태양전지 도핑 가능성을 확인하였다. 플라즈마 출력 전류와 플라즈마 조사시간을 변수로 도핑된 Wafer의 특성을 확인하였다. 도핑 프로파일은 SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry)를 통해 측정하였으며, 전기적인 특성은 4 point probe로 면저항을 측정하였다. 대기압 DBD 플라즈마를 이용해 도핑된 wafer에 전극을 형성하여, 같은 도펀트를 사용하여 Furnace로 열 확산법을 이용해 도핑 공정을 진행한 wafer와 변환효율(Conversion efficiency)을 측정하여, 대기압 플라즈마를 이용한 도핑 가능성을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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