• Electric Engineers Magazine
• /
• v.253 no.9
• /
• pp.27-33
• /
• 2003

기체분자는 보통상태에서는 전기적으로 중성이다. 그러나 기체 분자가 운동에너지를 가지고 있는 다른 원자나 전자 등과 충돌하게 되면 기체 분자내의 전자가 에너지를 흡수하여 여기나 전리하게 된다. 여기나 전리의 상태는 불안정한 상태이므로 순간적으로 안정상태로 복귀하는데 이 때의 에너지차가 빛으로 방출된다. 이와 같이 온도방사와는 달리 냉광으로 발광하는 현상을 루우미네슨스라고 한다

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.100.1-100.1
• /
• 2015

중이온가속기에서 잔류기체 분자와 가속 이온의 충돌이 발생하면 이온빔 전류의 손실을 야기하는 직접적인 효과 외에 잔류 기체분자 중에서 전리된 이온들이 반발력에 의해 용기 벽에 부딪힐 때 표면에 흡착되어 있던 기체분자들을 충격탈리(stimulated desorption)시킨다. 더 심각한 경우는 산란된 고속 이온이 용기 벽과 충돌하면서 핵반응을 일으켜 방사화 시키거나 벽에서 다량의 기체를 방출시키는 것이다. 최악의 경우에는 고속이온의 에너지에 의해 용기벽이나 부품들이 열적인 손상을 입을 수도 있다. 현재 설계 및 연구개발이 진행중인 기초과학원(IBS) RISP (Rare Isotope Science Project)의 RAON 중이온가속기는 입사기에서 실험영역까지 각 부분의 진공도 조건이 일반적으로 10-8~10-9 mbar 대에 있어서 이온빔 전류의 손실이나 전리 이온들에 의한 충격탈리는 무시할 수도 있지만 고속이온의 기체방출 수율이 ~104 정도로 높은 것을 감안할 때 고속이온의 충격탈리에 의한 압력 증가가 감내할 수준인지 검토할 필요가 있다. 압력증가는 추가적인 손실을 유발하고 이것은 다시 압력을 상승시키는 진공 불안정성(vacuum instability)을 야기할 수 있다는 축면에서 조심하는 것이 좋다고 판단된다. 고속 중이온과 잔류기체 분자와의 충돌에서 이온이 손실되는 반응에는 쿨롬(coulomb) 산란과 전하교환(charge exchange)이 있는데 전자는 후자에 비해 일반적으로 1/10000 가까이 낮아서 무시할 수 있고, 전자 포획(electron capture) 또는 전자 손실(electron loss, 이온의 전리에 해당)로 대별되는 전하교환 반응이 이온 손실을 주도하는 것으로 알려져 있다. 이 연구에서는 다양한 전하교환 반응 단면적을 아우르는 비례칙(scaling law)을 사용하여 대표적인 중이온인 U33+ 및 U79+의 손실 및 잔류 기체의 전리율을 계산하고 충격탈리에 의한 표면방출 및 압력상승을 일차적으로 고려하여 진공도 조건의 타당성을 입증하려고 한다.

• 전기의세계
• /
• v.29 no.6
• /
• pp.349-353
• /
• 1980

본고에서는 기체중에서 전자의 전이과정을 관찰하기 위하여 많이 적용되어지는 방법에 대해서 기초적인 사항만 언급을 하였으나 이러한 technique를 사용함으로써 전하의 공간적인 분포상태를 파악할 수 있으며 avalanch의 전자나 이온의 이동으로 인하여 외부회로에 전류를 발생시키는데 이것은 amplifier와 oscilloscope에 의하여 측정을 할 수 있다. 또한 인가한 전계의 작용으로 전자가 양극으로 이동할 때 충돌전리작용에 의하여 새로운 전자를 생성할 뿐만 아니라 여기방사작용에 의하여 광자를 생성시킨다. 이러한 광자는 photomultiplier나 image-intensifier를 사용하므로써 감지할 수 있다. 이러한 결과로부터 우리는 전이현상의 기본적인 Data 즉 전자, 양이온 및 음이온의 이동속도, 전리계수 .alpha.와 부착계수 .eta.등을 유도할 수 있다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.4 no.2
• /
• pp.143-149
• /
• 1991

전계가 인가된 H$_{2}$와 CO기체중을 통과하는 전자의 탄성과 비탄성 충돌 단면적을 볼츠만방정식을 이용하여 추정하였는데 충돌 단면적은 운동량변환, 진동여기, 해리, 전자 여기 및 전리 충돌 단면적을 이동속도의 측정값 및 계산값을 비교하므로써 결정하였다. Gibson과 Phelps가 각각 계산한 H$_{2}$ 및 CO의 운동량변환 충돌단면적을 본 연구의 결과와 비교하였으며 이를 기초로하여 온도는 293.deg.K, 상대전계의 세기 E/N은 1*$10^{-17}$ [V$cm^{2}$].leq.E/N.leq.200*10 $^{17}$ [V$cm^{2}$]의 범위에서 전자에너지 분포함수를 산출하였으며 이렇게 산출된 에너지 분포함수 및 충돌단면적은 실험적으로 측정한 모든 수송계수의 값들을 만족하였다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.6 no.1
• /
• pp.63-68
• /
• 1993

CO$_{2}$기체의 운동량변환, 진동여기, 전자여기 및 전리충돌 단면적의 결정은 온도 293[.deg.K], 상대전계의 세기 E/N은 1.0[Td].leq.E/N.leq.200[Td]의 범위에서 볼츠만 방정식을 Backward-Prolongation 방법으로 해석하여 전자 이동속도의 계산값을 산출하고 이것을 M. T. Elford에 의해 실험적으로 측정된 이동속도의 값과 비교하였다. 본 연구에서 운동량변환충돌단면적은 Hake & Phelps의 값을 기초로 하였으며 온도 293[.deg.K], 상대전계의 세기 E/N은 3.0[Td].leq.E/N.leq.50[Td]인 범위 전자에너지분포함수 및 전자특성에너지는 상대전계의 세기 E/N이 1.0[Td].leq.E/N.leq.200[Td]인 범위에서 산출하였다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.7 no.3
• /
• pp.225-230
• /
• 1994

In this paper, we have fabricated short channel MOSFETs with these parameters to verify the validity of process parameters extraction by DTC method. The experimental results of fabricated short channel devices according to the optimal process parameters demonstrate good device characteristics such as good drain current-voltage characteristics, low body effects and threshold voltage of$\leq$+-.1.0V, high punch through and breakdown voltage of$\leq$12V, low subthreshold swing(S.S) values of$\leq$105mV/decade.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
• /
• v.1 no.1
• /
• pp.55-60
• /
• 1987

본 연구의 목적은 스펙트럼의 재흡수를 이용하여, 수은-아르곤 방전중의 63P 여기원자 농도를 결정하는 데 있다. 먼저, 평면거울을 사용한 경우의 재흡수 이론을 전개한 다음, 이를 수은-아르곤 방전에 적용시켜, 복잡한 미세구조를 갖는 수은의 visible-triplet lines에 있어서의 스펙트럼의 흡수계수와 측정된 흡수율사이의 수치적 관계를 구하였다. 이와함께, 흡수계수와 흡수원자농도사이의 관계를 이용하여, 방전관의 관벽온도를 변화시킨 경우와 방전전류를 변화시킨 경우에 있어서, 측정 흡수율에 상응하는 수은의 63P 여기원자 농도를 구하였고 다음과 같은 결과를 얻었다. ⅰ) 측정범위내에서 준안정원자의 농도는 63P1 상태의 농도보다 높다. ⅱ) 방전전류를 증가시킴에 따라 435.8[nm]의 재흡수가 급격히 증가하고, 그 결과 63P1 여기상태의 농도는 준안정원자에 비해 상대적으로 높은 증가속도를 보인다. ⅲ) 방전전류 증가시 준안정원자와 전자사이의 충돌이 빈번해져서 준안정원자의 증가속도가 둔화하는 대신 축적여기 또는 전리의 확률이 높아진다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2000.07a
• /
• pp.592-595
• /
• 2000

The electron transport coefficients in $SF_6$+$N_2$ gas is analyzed in range of E/P values from 70~240(V/cm $Torr^{-1}$) at 2$0^{\circ}C$ by Boltzmann method that using set of electron collision cross sections determined by authors. The result of this Boltzmann simulation such as ionisation coefficient, attachment coefficient, effective ionisation coefficient and breakdown voltage are in nearly agreement with the respective experimental and theoretical for a range of E/P.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• v.16 no.2
• /
• pp.17-26
• /
• 1991

Beta ray $(^{90}Sr+^{90}Y)$ absorbed dose at tissue surface was measured from the distance of 30cm by use of extrapolation chamber. In the measurement, following factors were considered: effective area of collecting electrode, polarity effect, ion recombination and window attenuation. The measured absorbed dose rate at tissue surface was $1.493{\mu}Gy/sec$ with ${\pm}2.9%$.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
• /
• v.22 no.8
• /
• pp.104-108
• /
• 2008

Accurate sets of electron collision cross sections and the electron transport coefficients for atoms and molecules are necessary for quantitative understanding of plasma phenomena Kr and Xe atom are used in many industrial applications, such as in PDP and fluorescent induction lamps(FILs). Therefore, we analysed and calculated the electron transport coefficients, the electron drift velocity W, the longitudinal and transverse diffusion coefficient $ND_L$ and $ND_T$, and the ionization coefficient $\alpha$/N in pure Kr and Xe gases over the wide E/N range from 0.001 to 500[Td] at 1[Torr] by two-tenn approximation of the Boltzmann equation.