• Membrane Journal
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• v.6 no.4
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• pp.250-257
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• 1996

Surface crosslinked chitosan composite membranes were prepared with glutaraldehyde and surfuric acid. Effects of neutralization for complex between chitosan and acetic acid and of water permeability for substrate membranes on pervaporation performance were investigated. For ionically crosskinked membranes, effect of active layer thickness on separation factor of water/ethanol mixture was studied. With increasing the water permeability of the substrate, the membrane showed an increased separation factor, while it maintained a constant permeate flux. Neutralized chitosan composite membranes revealed a decreased separation factor and a constant permeate flux. When the thickness of the active layer increased, an optimum crosslinking time to achieve higher separation factor shifted to a prolonged times.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.169-169
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• 2016

크롬산 용액에 황산을 촉매로 하여 Sargent에 의해 개발된 크롬도금은 경도, 내식성, 내마모성 등의 특성이 우수하다. 이로 인해 장식용 박막 도금뿐만 아니라 경질의 후막 도금층을 형성이 가능함으로써 기계 부품류를 비롯한 산업 전반에 걸쳐 폭넓게 적용되고 있다. 이러한 크롬도금이 적용된 소재부품에 대해 장수명화와 더불어 가혹한 환경에서의 사용요구가 점차 증가하고 있으며, 이를 위해서는 보다 더 우수한 내식성과 기계적 물성을 확보해야할 필요성이 높다. 한편 경질 크롬 도금의 내식성과 관련해 도금 과정에서 발생하는 마이크로 크랙에 의해 제품의 내식성의 한계를 나타내게 된다. 본 연구에서는 내식성이 우수할 뿐만 아니라 표면 경도가 우수한 도금층을 얻기 위해 도금 전류 조건으로 펄스 전류를 적용하는 방안을 시도한 것으로 펄스전류를 적용하여 경질크롬도금 시 크랙 발생에 미치는 영향을 조사하였다. 도금욕은 일반적인 경질크롬도금에 사용되는 Sargent 욕을 이용하였고, duty ratio를 조절하여 전류 조건 변화에 따른 단면 내 크랙의 수 변화를 관찰하여 최적의 전류 조건을 도출하였다. 그리고 도출된 전류 조건을 이용해 도금 두께에 따른 크랙 수 변화를 관찰하였고, 이때의 경도를 측정하였다. 또한 XRD 분석을 통해 도금 전류 조건 및 시간 변화에 따른 결정구조 변화를 확인하였다. 실험결과 펄스 전류를 적용하는 경우, 기존 직류 적용 시에 비해 크랙 발생을 현저하게 감소시킬 수 있었으며, 사실상 크랙프리(Crack free) 도금이 가능하였다. 또한 크랙의 감소와 함께 경도 저하가 나타나게 되나 펄스 전류 인자의 최적화에 따라 이러한 경도 저하 현상의 최소화가 가능하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.201.2-201.2
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• 2013

원자층 증착법(ALD)을 통해 최적의 Al doped ZnO (AZO)박막을 얻기 위해 기판온도와 Al도핑농도 등의 공정변수를 조절하여 최적의 성막 조건 연구특성을 분석하였다. 증착당시 Zn와 Al의 precursors는 diethylzinc(DEZ), trimethylaluminum(TMA)을 각각 사용하였으며, reactants로는 Deionized water를 사용하였다. DEZ와 TMA의 증착비율을 통하여 1%에서 12%까지 Al의 도핑농도를 조절하였다. 이후 Hall effect measurement를 이용하여 기판온도와 Al도핑농도에 따른 AZO박막의 운반자 농도, 이동도, 저항을 분석했고, X-ray diffraction을 통하여 물리적 구조의 변화를 관측했다. 공정 최적화를 통하여 Al도핑농도의 변화가 AZO박막의 전기적 특성에 미치는 영향을 해석하였다. 또한, 공정의 최적화 이후 AZO박막을 나노 구조체 석영(quartz)기판위에 250도의 온도에서 Al ~3%의 농도로 10nm부터 150nm까지의 두께로 증착하였다. SEM 분석을 통해 나노 구조체 기판에 균일한 AZO 박막이 형성되었는지 확인하였고, AZO박막의 두께에 따른 전기적 특성 및 광 투과도를 측정한 결과 나노구조체 석영 기판위에 증착된 AZO박막은 가시광선 영역에서 80%이상의 광 투과도를 보였으며 ${\sim}10^{-3}{\Omega}cm$의 저항을 보였다.

• Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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• v.10 no.2
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• pp.76-81
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• 2005

This research approached electrical characteristics of organic light emitting diodes getting into the spotlight by next generation display device. Basic mechanism of OLED's emitting is known as that electron by cathode of lower work function and hole by anode of higher work function are driven and recombine exciton-state being flowed in emitting material layer passing carrier transport layer In order to make many electron-hole pairs, we must manufacture device in multi-layer structure. There are Carrier Injection Layer(CIL), Carrier Transport Layer(CTL) and Emitting Material Layer(EML) in multi-layer structure. It is important that regulate thickness of layer for high luminescence efficiency and set mobility of hole and electron.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.25 no.11
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• pp.1367-1372
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• 1988

In this paper, we have optimized the computation of the CSP - LOC (Channel Substrate Planar-Large Optical Cavity) structure to design the gith power (Ga, Al) As/GaAs CSP-LOC laser diode. The parameters of the device on the bases of experimental datas include the effects of the various layer thickness, material absorption coefficients, stripe width and so forth. At active layer ($d_2$)=0.08 um with optical layer ($d_3$)=0.5 um and $d_2$ = 0.1 um with $d_3$ = 0.4 um, we find the narrower beam divergence and stable high power in the lowest-order mode without the phenomenon of spatial hole burning. The results of theoretical computation show good agreement with experimental measurements made on LPE grown CSP-LOC. Finally, we developed an practical program and the program is applicable to the CSP-LOC lasers with any materials.

• Journal of the Society of Naval Architects of Korea
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• v.29 no.2
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• pp.115-122
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• 1992

A sandwich element is a special Hybrid structural form of the composite construction, which is consisted of three main parts : thin, stiff and relatively high density faces separated by a thick, light, and weaker core material. In a sandwich construction, the shear deformation of the faces. Therefore, in the calculation of the bending stiffness, the shear effect should be included. In this paper, the minimum weight is selected as an object function, as the weight critical structures are usually composed of these kind of construction. To obtain the minimum weight of sandwich panel, the principle of minimum potential energy is used and as for the design constraints, the allowable bending stress of face material, the allowable shear stress of core material, the allowable value of panel deflection and the wrinkling stress of faces are adopted, as well as the different boundary conditions. For the engineering purpose of sandwich panel design, the results are tabulated, which are calculated by using the nonlinear optimization technique SUMT.

• KOREAN JOURNAL OF PACKAGING SCIENCE & TECHNOLOGY
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• v.8 no.1
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• pp.15-22
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• 2002

We received 2 types flexible packaging films from two companies that laminated PET $16{\mu}m/dry$ lamination/aluminium foil $7{\mu}m/dry$ lamination/CPP $80{\mu}m$ films. For the reason of hot sealing's trouble through filling process, We separated each layer and compared thicks, film types and tested IR, DSC and sensory test. At the result, one sample's thick is different but film types is same between samples. Optimum hot-sealing conditions between two samples is $195^{\circ}C\;and\;210^{\circ}C$. The difference is $15^{\circ}C$. According to test of direct filling packaging process by four face fluid filling machine, two sample's sealing strength of hot-sealing is $4.76kg/cm2/15mm$(sample of optimum hot-sealing condition is $195^{\circ}C$) and $3.84kg/cm2/15mm(210^{\circ}C)$.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.15 no.2
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• pp.23-28
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• 2008

To improve the external quantum efficiency by means of the optimization of the polymer light emitting diodes(PLEDs) structure, the PLED with ITO/PEDOT:PSS/(PFO)/PFO:MEH-PPV/LiF/Al structure were fabricated and investigated the electrical and optical properties for the prepared devices. ITO(indium tin oxide) and PEDOT:PSS [poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrene sulfolnate)] were used as transparent anode film and hole transport materials, respectively. PFO[poly(9,9-dioctylfluorene)] and MEHPPV[poly(2-methoxy-5(2-ethylhe xoxy)-1,4-phenylenevinyle)] were used as the light emitting host and dopant materials. The doping concentration of MEH-PPV was 9wt% with thickness of about $400{\AA}$. We investigated the dependence of the PFO thickness ranging from $200{\AA}$ to $300{\AA}$ on the electrical, optical properties of PLEDs. Among prepared PLED devices with different PFO thicknesses, the highest value of the luminance was obtained for the PLED device with $250{\AA}$ in thickness. As a result, the current density and luminance ware found to be about $400mA/cm^2$ and $1500cd/m^2$ at 13V, respectively. In addition, the luminance and current efficiency of PLED device with double emitting layer (PFO/PFO:MEH-PPV) were improved about 3 times compared with the one with single emitting layer (PFO:MEH-PPV).

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.150-150
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• 2010

비휘발성 메모리의 구조는 ONO($SiO_2$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$), 혹은 NNO($SiN_X$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$)등으로 구성된 blocking layer, charge storage layer, tunneling layer 등이 일반적이다. 본 연구에서 제작된 OSO구조는charge storage layer를 a-Si을 사용한 것으로, 기존에 사용되던 charge storage layer인 $SiN_x$ 대신에 a-Si:H 를 사용하였다. 최적의 전하 저장층 조건을 알기 위하여 가스비에 따른 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 전하 저장량 및 flatband 전압의 shift 값을 측정 및 분석하였다. 실험 결과, bandgap이 작아 band edge 저장 가능하며, SiNx 와 마찬가지로 a-Si:H 내 트랩에 저장이 가능하였다. 또한 $SiO_2$/a-Si:H와 a-Si:H/SiOxNy 계면의 결함 사이트에 전하의 저장되며, bandgap이 작아 트랩 또는 band edge에 위치한 전하들이 높은 bandgap을 가지는 blocking 또는 tunneling layer를 통하여 빠져 나오기 어려운 특성이 있었다. 본 연구에서는 최적의 전하 저장 층 조건을 알기 위하여 가스비에 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 flatband 전압의 shift 값을 측정하여 결과를 논의하였다. 또한 OSO 구조의 두께에 있어 MIS 결과와 poly-Si 상에 실제 제작된 NVM 소자의 switching 특성을 논의하였다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1996.04a
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• pp.65-66
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• 1996

투과증발법은 상부에 액체공급액이 반투과막과 접촉하고 있고 하부에 진공에 가까운 낮은 압력을 걸어줌으로써 투과물이 수증기로 제거되는 막공정의 하나이다. 막을 통한 분리는 혼합물의 각 성분이 막내에서 다른 용해도와 확산도를 가지고 있기 때문에 발생한다. 이 공정의 지배적인 전달 메카니즘은 용해-확산 모델을 기초로 하고 있기 때문에 전형적으로 투과증발막은 대개 미세다공성 지지체에 얇은 선택성을 가진 재료를 입힌 복합막을 사용한다. 본 연구의 목적은 선택성을 가진 상부층막이 키토산인 복합막에서 지지체 구조의 영향을 살펴보고 키토산 복합막에 대한 물-에탄올 분리에 대해 최적의 모델을 찾는 것이다. 투과증발막소재로서의 키토산은 친수성기를 가지고 있으므로 물과 알코올의 분리에서 물만을 선택적으로 흡수하여 투과시키는 우수한 성능을 지니고 있으나 더욱 효과적인 막성능을 발휘하기 위해서는 지지체의 역할 및 막성능에 영향을 끼치는 여러 가지 인자들을 고려해서 막을 설계하는 것이 필요하다. 여기서는 상부층의 막두께, 지지체의 특성, 피드 농도 등을 변화시켜 가장 적당한 모델을 예측하였다.