• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.11a
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• pp.100-100
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• 1993

• Electrical & Electronic Materials
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• v.15 no.8
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• pp.3-7
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• 2002

• Electrical & Electronic Materials
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• v.15 no.8
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• pp.8-18
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• 2002

• Electrical & Electronic Materials
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• v.19 no.1
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• pp.22-32
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• 2006

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1992.07a
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• pp.36-36
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• 1992

• Korean Journal of Materials Research
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• v.1 no.1
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• pp.54-61
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• 1991

YBCO films deposited on MgO(100) and Si(100) by rf-magnetron sputtering using stoichiometric single target were annealed under oxygen atmosphere at $880^{\circ}C$ for 1 hr. The microstructure and superconducting properties of YBCO thin films depended on the composition of pre-annealed thin films. Basal planesuperconducting particles grown on MgO(100) substrate had small and rod-like shade due to preferred orientation, while superconducting film grown on the basal plane-superconducting particles showed round-shape particles. If pre-annealed thin film had nonstoichiometric composition, liquid phase was formed during the heat treatment, which made it easy for particles to grow in the preferred orientation and thus to form textured structure. But the thin films with the textured structure did not show good superconducting properties, especially $T_c$, since the liquid phase transformed into second phase in the grain boundary during the cooling. The effect of the second phase on $T_{c, \;zero}$ was greater than that on $T_{c, \;on}$.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.7 no.3
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• pp.154-164
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• 1992

고온초전도체의 전자응용 예를 들면, 죠셉슨접합과 같은 diode-type 의 초전도소자 뿐만 아니라 반도체 트랜지스터와 같은 고온초전도 삼단자소자의 개발 및 실용화를 위해서 해결해야 할 당면문제는 많다. 그 중에서 특히, 실리콘 기판위에 고온초전도 단결정박막을 성장시키는 것과 양질의 유전체 buffer층을 제조하는 것등이 있다. 초전도체/반도체구조에서 초전도전자쌍은 근접효과에 의해 반도체속으로 확산되어 가며, 이러한 현상을 이용하여 초전도 트랜지스터와 초전도 전자파소자와 같은 신기능 초전도소자를 구현할 수 있다. 그리고 이들 소자의 동작원리는 반도체속에서의 초전도 파동함수(질서파라미터)의 제어에 기초를 두고 있다. 고온초전도 일렉트로닉스를 겨냥하며, 중요한 응용으로서 거론되고 있는 분야는 1) one-wafer computer의 꿈을 실현하기 위한 기반기술로 꼽고 있는 초전도배선연구, 2) 성능에서 반도체소자를 능가하는 초전도소자, 3) 21세기를 전망하면서 집적회로 연구자들의 타깃이 되고 있는 초전도집적회로 및 일렉트로닉스, 그리고 4) 광범위한 응용이 기대되는 초정밀 센서인 SQUID 소자 등이 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.806-807
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• 2008

2세대 고온초전도 선재는 전기적, 기계적 특성이 1세대 고온초전도 선재보다 더 우수하지만, 1세대 고온초전도 선재보다 더 높은 교류손실 밀도를 발생시킨다는 단점이 있다. 본 논문에서는 2세대 초전도 선재인 박막형 YBCO CC(Coated Conductor)에서 발생하는 교류 손실을 감소하기 위한 방법으로 선재의 초전도층을 분할하여 단면의 종횡비를 줄이는 방법을 제안하였으며, 실제로 제작 및 특성 측정을 통해 제안된 방법의 타당성을 보였다. 박막형 선재의 초전도층을 분할하기 위해 포토마스킹을 이용한 에칭 방법을 이용하였다. 샘플의 제작을 위해 안정화층이 없는 폭 12mm 의 YBCO CC를 사용하여 샘플의 길이는 15cm로 하고 선재의 분할수를 다르게 하여 각 샘플에 대한 자화 손실과 각 소선의 임계전류를 측정한 후 선재의 전기적 특성 변화를 알아보았다.

• Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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• 2003.02a
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• pp.51-54
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• 2003

We investigated the quench characteristics of thin film type SFCLs with shunt layers of various thickness. The SFCLs ware based on 2 inch diameter YBa$_2$Cu$_3$O$_{7}$ thin films coated in-situ with a gold shunt layer. The shunt layer thickness was varied by Ar ion milling. The limiters were tested with simulated fault currents at various source voltages. The thinner the shunt layer was, the slower was the rise of SFCL temperatures. This means SFCLs of thinner shunt layers had higher voltage ratings. The voltage rating was approximately inversely proportional to the square root of the shunt layer thickness. This result could be understood through the concept of heat balance.e.

• Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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• 2003.02a
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• pp.242-245
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• 2003

We investigated the quench characteristics of thin film type SFCLs with shunt layers of various thickness. The SFCLs ware based on 2 inch diameter YBa$_2$Cu$_3$3O$_{7}$ thin films coated in-situ with a gold shunt layer. The shunt layer thickness was varied by Ar ion milling. The limiters were tested with simulated fault currents at various source voltages. The thinner the shunt layer was, the slower was the rise of SFCL temperatures. This means SFCLs of thinner shunt layers had higher voltage ratings. The voltage rating was approximately inversely proportional to the square root of the shunt layer thickness. This result could be understood through the concept of heat balance.e.