• 제목/요약/키워드: 초고주파 센서

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초고주파 라디오미터 센서를 이용한 적조 관측 실험

  • 김용훈;김성현;박혁;최준호;이호진;최승운;최재연;서승원
    • 한국GIS학회:학술대회논문집
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    • 한국GIS학회 2004년도 GIS/RS 공동 춘계학술대회 논문집
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    • pp.449-454
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    • 2004
  • 심각한 환경문제인 적조 피해를 줄이기 위해서 효과적인 모니터링 기술이 절실히 요구되고 있다. 본 연구에서는 초고주파 라디오미터 센서를 이용한 효과적인 적조 모니터링에 대한 가능성을 조사하였다. 초고주파 라디오미터를 이용해 관측되는 밝기 온도의 차이로 적조 해수를 모니터링 할 수 있다는 아이디어에 기반하여 연구를 수행하였다. 본문에서는 이론적인 배경과 가능성 확인을 위한 실험과정, 결과가 서술되어 있다 실제 해양에서의 측정 실험에서 적조지역의 밝기 온도가 청정지역의 밝기 온도보다 높게 측정되었다. 결론으로, 본 연구를 통하여 초고주파 라디오미터를 이용한 적조 모니터링이 가능함을 확인하였다.

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이중 센서를 이용한 유도탄 광축 정렬 연구 (A Study on the Optical Axis Alignment of Missile using the Dual-Mode Sensor)

  • 한석주;고상훈;윤경섭;박동현
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.337-344
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    • 2017
  • In this paper, the optical axis alignment(OAA) of an infrared sensor(IRS) using a microwave sensor(MWS) was presented as a method of an axis alignment to minimize the problems that could be caused by the misalignment of the two sensors in the missile including the dual-mode sensor. The azimuth(AZ) and elevation(EL) angles of the two targets used for each sensor test were calculated by using the transformation equation and the test results of the MWS and IRS, and then the proposed OAA was verified by comparing the angles. Furthermore, the validity of the proposed OAA was demonstrated by confirming the abnormality of the OAA through the test results of the electro optical head(EOH) of the IRS which was equipped with a tilt on the missile fuselage.

연성 인쇄 회로 기판을 이용한 초고주파 MEMS 송신기 연구 (A RF MEMS Transmitter Based on Flexible Printed Circuit Boards)

  • 명성식;김선일;정주용;육종관
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제19권1호
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    • pp.61-70
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    • 2008
  • 본 논문에서는 멤스 기술의 하나인 연성 인쇄 회로 기판을 이용하여 임의의 형태로 변형이 가능한 초고주파 멤스 송신기를 제안하였다. 연성 인쇄 회로 기판은 그 무게가 가볍고 두께가 얇아 경량 소형화 모듈을 만드는데 유리한 장점이 있다. 또한, 연성 인쇄 회로 기판은 종이와 같이 유연한 특성을 가지고 있어 평면이 아닌 임의의 곡면 등에 실장할 수 있는 장정을 가지고 있다. 본 논문에서는 근거리 센서 네트워크 구성을 위한 직교 주파수 분할 다중 전송 방식을 위한 선형 무선 송신기를 설계 제작하였다. 송신 모듈의 능동 회로는 전력효율이 높고 선형성이 우수하여 전력 증폭기에 많이 사용되고 있는 InGaP/GaAs HBT 공정을 사용하여 설계 및 제작하였으며, 매칭 회로 및 필터 등의 수동 회로는 연성 인쇄 회로 기판에 직접 집적화 하여 제작하였다. 제작된 멤스 송신기는 EVM 특성을 통하여 시스템 성능을 분석하였다.

InP HEMT의 2DEG계산 (2DEG Calculation in InP HEMT)

  • 황광철;안형근;한득영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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    • pp.316-318
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    • 2003
  • 양자우물 구조를 사용한 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 고속 스위칭 소자와 초고주파 통신용 소자 및 센서에에 우수한 동작특성을 갖고 있다. 본 논문에서는 AlInAs/InP HEMT의 heterostructure를 파동방정식과 Poisson 방정식을 self-consistent 한 방법으로 해석하였다. 파동방정식으로 junction의 전자농도를 계산하고, Poisson 방정식을 해석하여 potential profile에 의한 전자 농도가 heterostructure에서 self-consistent가 되도록 연산하였다. 끝으로 AlInAs/InP 구조에서 positively ionized donor, valance band에서의 hole, conduction band의 free electron과 구조내의 2DEG를 AlGaAs/GaAs 및 AlGaAs/InGaAs/GaAs와 비교하였다.

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초고주파 광대역 부분방전 센서를 내장한 지능형 스페이서 개발 (A development of intelligent spacer built in the Internal type UHF partial discharge sensor)

  • 김동석;황철민;김영노;최재옥;서왕벽;한봉수;최수헌
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.163-164
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    • 2007
  • In this study, we developed intelligent spacer built in the internal type UHF PD sensors. 3-Dimensional electro-magnetic simulations were performed to analyze electric-field distribution of the single-phase GIS and three-phase GIS. After considering the spacer's specification, Sensor structures were designed and analyzed using the 3-D EM Simulator. As a result of the simulation the internal type UHF PD sensors were built in. Performance of the sensor built into real scale GIS spacer was measured in terms of return loss and detected Max voltage. And we identified a character of the intelligent spacer by using 5pC partial discharge ceil.

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유전율 측정을 위한 MEMS 프로브 (MEMS Probes for Permittivity Measurement)

  • 정근석;정음민;김정무;박재형;조재원;천창율;김용권;권영우
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신설비학회 2004년도 하계학술대회
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    • pp.226-229
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    • 2004
  • 본 논문은 초고주파 영역에서 개방 단말 동축선을 대신해서 복소 유전율을 측정할 수 있는 MEMS 프로브와 그 응용예로 MEMS 프로브 어레이를 제안한다. MEMS 프로브는 기존의 동축선 프로브와 달리 커넥터와의 연결이 간단하여 일회용으로 프로브를 사용할 수 있다는 점에서 의료용으로 사용할 수 있는 가능성이 있다. 샘플의 유전율 분포를 구하기 위해서 기존의 센서는 반복 접촉을 요구하고 이로 인한 번거로움과 측정 오차를 줄일 목적으로 MEMS 프로브 어레이를 개발 하였다. MEMS 프로브 어레이는 RF 스위치를 사용하여 다수의 측정 포인트를 한번의 센서 접촉으로 측정할 수 있는 새로운 개념의 프로브이다. 1GHz부터 40GHz까지의 광대역에서 0.9% 식염수의 유전율을 측정하여 MEMS 프로브의 성능을 검증하였다.

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초고주파 광대역 부분방전 센서를 내장한 지능형 스페이서 개발 (Development of an Intelligent Spacer Built in the Internal type UHF Partial Discharge Sensor)

  • 김동석;황철민;김영노;최재옥;서왕벽;한봉수;최수헌;장용무
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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    • pp.1378-1379
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    • 2008
  • In this study, we developed intelligent spacer built in the internal type UHF PD sensors. 3-Dimensional electro-magnetic simulations were performed to analyze electric-field distribution of the single-phase GIS and three-phase GIS. After considering the spacer's specification, Sensor structures were designed and analyzed using the 3-D EM Simulator. As a result of the simulation the internal type UHF PD sensors were built in. Performance of the sensor built into real scale GIS spacer was measured in terms of return loss and detected Max voltage. And we identified a character of the intelligent spacer by using 5pC partial discharge cell.

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복합 산화법과 MEMS 기술을 이용한 RF용 두꺼운 산화막 에어 브리지 및 공면 전송선의 제조 (Fabrication of Thick Silicon Dioxide Air-Bridge and Coplanar Waveguide for RF Application Using Complex Oxidation Process and MEMS Technology)

  • 김국진;박정용;이동인;이봉희;배영호;이종현;박세일
    • 센서학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.163-170
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    • 2002
  • 본 논문에서는 양극반응과 복합 산화법($H_2O/O_2$ 분위기에서 $500^{\circ}C$, 1시간 열산화와 $1050^{\circ}C$, 2분간 RTO(Rapid Thermal Oxidation) 공정)을 이용한 두꺼운 OPSL(Oxidized Porous Silicon Layer)을 형성하여 이를 마이크로머시닝 기술을 이용함으로써 $10\;{\mu}m$ 두께의 OPS(Oxidized Porous Silicon) 에어 브리지를 제조하고, 그 위에 전송선로를 형성하여 그 RF 특성을 조사하였다. OPS 에어 브리지 위에 형성된 CPW(Coplanar Waveguide)의 손실이 OPSL 위에 형성된 전송선의 삽입손실보다 약 2dB 정도 적은 것을 보여주었으며, 반사손실은 OPSL 위에 형성된 전송선의 반사손실보다 적으며 약 -20 dB를 넘지 않고 있다. 본 연구에서 개발한 산화된 다공질 실리콘 멤브레인 및 에어 브리지 구조는 CMOS 공정 후에 사용 가능하며, 초고주파 회로 설계시 편리성과 유용성을 제시하고 있다.

아몰퍼스 FeCoSiB 박막의 고감도 스트레인 검출특성 (High Sensitive Strain Detection of FeCoSiB Amorphous Films)

  • 신광호;황정현일;사공건
    • 센서학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.22-27
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    • 2000
  • 고자왜특성과 연자성특성을 가짐으로서 우수한 자기기계결합특성을 나타내는 아몰퍼스 FeCoSiB 박막의 스트레인 검출특성에 대해 연구하였다. 투자율은 박막기판을 마이크로메타를 이용하여 벤딩시켜 박막에 스트레인을 인가하면서 조사하였으며, 이때 박막에 스트레인이 인가되면 박막의 자기기계결합에 의해 투자율이 변화하였다. 스트레인에 의한 성능지수 $F=({\Delta}{\mu}/{\mu})/{\varepsilon}$ (단위스트레인에 대한 투자율의 변화)가 $1.2{\times}10^5$라는 매우 높은 값을 나타내어 본 연구에서 제작한 박막이 스트레인에 대하여 고감도특성을 가지고 있음을 알 수 있었다. 또한 제작된 박막을 센서소자로 응용하기 위해 박막을 미세 가공하고, 스트레인에 대한 고주파 임피던스의 변화를 조사하였으며, 박막의 우수한 자기기계결합특성으로 박막패턴의 임피던스는 인가된 스트레인에 의해 민감하게 변화되었다. 특히, 100MHz의 구동주파수에 있어서 $300{\times}10^{-6}$의 스트레인이 인가된 경우 46%의 임피던스변화율이 얻어졌다. 따라서 본 연구에서 제작한 박막소자는 초고감도의 스트레인 센서로 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

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