• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.2
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• pp.224-227
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• 2006

We have chained 459nm blue laser radiation generated by intracavity sum frequency generation( SFG ) due to the mixing of the 1064 nm laser output of a Nd:YVO4 pumped by diode and the 809nm radiation from higg-power semiconductor laser(500mW). The maximum blue output power of 0.95 mW was obtained using 400 mW input power of semiconductor laser at the type II phase matching condition (${\psi}=90^{\circ}\;{\theta}=90^{\circ}$). The threshold input power of blue laser generation was 120 mW.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2003.10a
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• pp.938-940
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• 2003

고출력 반도체 레이저(500mW)의 출력광 파장 809nm과 반도체 레이저로 여기되는 Nd:YVO4레이저의 출력광 파장 1064nm를 공진기 내부에서 비선형 광학 소자인 KTP(Potassium titanyl posphate : KTPiOPO$_4$)를 사용하여 합주파 발생 실험을 행하여 459nm의 청색레이저를 얻었다. 제2의 위상 정합 정합조건($\psi$=90$^{\circ}$, $\theta$=90$^{\circ}$)에서 반도체 레이저의 입력광 세기가 400mW일 때 청색레이저의 최대 출력 0.95mW를 얻었으며, 청색레이저의 발진문턱입력 세기는 120mW이었다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.53 no.9
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• pp.129-134
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• 2016

This paper studies the high frequency PWM (pulse width modulation) driving technique to increase an optical efficiency and to prevent an optical color quenching of blue laser for head up display on vehicles using digital micro mirror device (DMD) panel and yellow phosphor wheel. The proposed approach adaptively drives the current pulse width modulated signals of high optical power of blue laser to increase the lifetime and to decrease the stem temperature of laser. This method stabilizes the temperature of laser according to the driving environment and the forward current capacity. By the proposed method, the brightness of blue laser is improved by about 37% compared to the continuous waveform current driving method.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.98-98
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• 1994

최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.242-243
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• 2000

매우 짧고 결맞는 극자외선 광원의 개발에 대한 기대로 강력한 레이저 장과 상호작용하는 원자에서 일어나는 비선형 다광자 현상에 대한 연구가 최근에 활발하게 전개되고 있다. 이 상호작용 과정에서 발생하는 빛은 매우 넓은 파장 영역에 걸쳐있으며, 입사 레이저의 홀수 배에 해당하는 매우 높은 차수의 조화파들을 포함하고 있다고 알려져 있다$^{(1,2)}$ . 최근의 이론 및 실험에 의하면, 강력하고 짧은 레이저 펄스를 사용하면 고차조화파의 파장에 청색변이를 일으킬 수 있다$^{(3.4.5)}$ . 실제 관측된 청색변이는 이웃하는 홀수 조화파의 간격보다 더 크다$^{(5)}$ . 따라서, 원리적으로는 매우 넓은 가변 폭을 갖고 연속적으로 파장을 조정할 수 있는 파장가변 극자외선 광원의 개발이 가능하다. (중략)

• The Inventors News
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• no.27
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• pp.13-13
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• 2004

WIPO, 새 방송 저작권법 제정 - 북한, 지적재산권자에 30$\%$ 이익 배당 - 일본 전자업계 청색 레이저 일제히 양산

• 정보저장시스템학회:학술대회논문집
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• 2005.10a
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• pp.42-43
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• 2005

Higher density in the holographic storage can be obtained by using shorter wavelength laser and higher numerical aperture (NA). In this paper, we adopted a blue laser diode with a wavelength of 405nm and high NA object lens. And the phase conjugation method is applied to prevent image distortion due to high NA. The performance of the system has been shown experimentally.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2007.02a
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• pp.82-83
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• 2007

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.02a
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• pp.156-157
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• 2004

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.97-97
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• 1994

Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.