• 제목/요약/키워드: 차세대 에너지절감 반도체

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에너지절감 차세대 GaN 반도체 소자

  • 문재경;배성범;안호균;고상춘;남은수
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.105-105
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    • 2012
  • 본 논문에서는 전세계적으로 차세대 에너지절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN 소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 고출력용 GaN RF 전력증폭 소자의 전력밀도는 기존 Si-기반 LDMOS 트랜지스터보다 10배 이상 높아 제품의 소형화와 경량화를 통하여 30% 이상의 전력절감이 가능하며, 레이더, 위성등 송수신 트랜시버 모듈에 GaN 전력증폭기를 이용할 경우 기존 GaAs-기반 전력증폭기에 비하여 높은 전력밀도(>x8)와 높은 효율(>20%)로 인하여 모듈 크기를 50% 이상 줄임과 동시에 경량화를 이룰 수 있어 비행기, 위성등 탑재체의 에너지 절감에 크게 기여할 수 있다. 고전력용 GaN 전력 스위칭 소자는 기존 Si-기반 IGBT에 비하여 스위칭 손실과 온-저항 손실이 낮아 30% 이상의 에너지 절감이 가능하다. 뿐만 아니라, 일본 도요타 자동차사의 보고에 의하면 HEV등 전기자동차의 DC-DC 부스터 컨버터나 DC-AC 인버터에 GaN 전력반도체를 적용할 경우 경량화, 변환효율 향상, 전용 냉각시스템을 제거할 수 있어 연료소모를 10% 이상 줄일 수 있어 연간 400불 이상의 에너지 절감 효과를 가진다. 이러한 에너지절감 효과는 미국, 유럽, 일본등 선진국을 중심으로 차세대 GaN 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 치열한 경쟁 구도의 구동력이 될 것이며, 본 논문을 통하여 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.

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차세대 광원 LED 응용을 위한 형광체 기술 현황

  • 김영국;박영조
    • 기계와재료
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    • 제21권2호
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    • pp.110-118
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    • 2009
  • 최근 유력한 차세대 광원으로 떠오르고 있는 발광 다이오드(LED, light emitting diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로 에너지 효율이 매우 높고, 수명이 길어 교체 비용이 적으며, 진동이나 충격에도 강하고, 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 매우 유리하다. 현재 LED 분야에 있어 주로 연구개발이 진행되고 있는 분야는 조명용 백색 LED 분야 및 디스플레이 소자 분야이다. LED를 이용한 백색 조명 및 디스플레이 기기의 개발을 위해서는 그 응용 분야에 맞는 효율이 우수한 형광체의 개발이 필수적이다. 본고에서는 현재 조명용 백색 LED 및 디스플레이 분야에 응용되는 형광체의 개발 현황을 위해 주로 연구동향을 분석하였다.

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LED산업 전망과 LED클러스터 조성

  • 김영집
    • 광산업정보
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    • 통권35호
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    • pp.10-13
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    • 2006
  • 발광다이오드(LED)산업은 21세기 빛의 산업으로 세계시장에서 매우 유망한 산업의 하나이며, 국가성장을 위한 미래전략산업의 하나다.LED라는 것은 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상으로 빛을 내는 조명방식인데 기존의 조명과는 달리 무한대의 색과 높은 휘도를 낼 수 있다. 아울러 고유 가시대에 에너지 절감과 환경보호효과가 커서 새로운 차세대 광원으로 떠오르고 있다.

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차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력소자 연구개발 현황 (Next Generation Energy Efficient Semiconductors: Status of R&D of GaN Power Devices)

  • 문재경;민병규;김동영;장우진;김성일;강동민;남은수
    • 전자통신동향분석
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    • 제27권4호
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    • pp.96-106
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    • 2012
  • 차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭($E_g=3.4eV$)과 고온($700^{\circ}C$) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.

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가시광 파장 대역을 고려한 무선통신 채널 특성 연구

  • 이권형;강태규;박현철
    • 정보와 통신
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    • 제26권5호
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    • pp.23-29
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    • 2009
  • 가시광 무선통신은 차세대 조명으로 주목받고 있는 LED(light emitting diode)조명 기술과 무선통신 기술을 융합한 그린 IT 기술이다. 즉, 실내 가정 또는 사무실 환경에서 조명 고유의 기능을 그대로 유지하면서 무선통신을 가능하게 하여야 한다. 가시광 무선통신은 LED 조명이 있는 곳에서는 항상 통신이 가능하여, 병원이나 항공기내와 같이 기존 무선통신에 제약을 받는 환경에서도 통신이 가능한 기술이다. 또한, 실내 LED 조명을 이용함으로써 국소 지역에 특정 서비스를 제공하여 보안성을 높일 수 있다. 가시광 무선통신은 조명산업과의 연계를 통해 통신뿐만 아니라 기존의 조명과, 디스플레이 분야에서 새로운 가치를 창출할 수 있다. 본 고에서는 친환경, 에너지 절감형 반도체 광원을 이용한 LED조명에 대한 실내의 조도 분포와 가시광 무선통신의 채널 연구에 필요한 항목을 제시한다.