Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2007.06d
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pp.273-278
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2007
Snoop 프로토콜은 유 무선 혼합망에서 무선 링크에서 발생하는 TCP 패킷 손실을 효과적으로 보상하여 TCP 전송률을 향상시킬 수 있는 효율적인 프로토콜이다. 하지만, 무선 링크에서 연집한 패킷 손실이 발생하는 경우에는 지역 재전송을 효과적으로 수행하지 못하여 전송 효율이 떨어진다는 문제점이 있다. 본 논문에서는 Snoop 프로토콜의 이러한 문제점을 개선하기위해 MAC 계층의 재전송 메커니즘인 Stop &Wait ARQ 기법을 기반으로 하는 $A^2Snoop$ (ARQ Assistance Snoop) 프로토콜을 제안한다. $A^2Snoop$ 프로토콜은 현재 유 무선 혼합망에서 가장 널리 사용되는 IEEE 802.11 MAC 프로토콜 기반의 지역 재전송 메커니즘으로서, MAC 계층의 ARQ 기법과 TCP의 혼잡제어 메커니즘의 연동을 통해 효율적인 재전송을 수행한다. ns-2 시뮬레이터를 이용한 실험을 통해 $A^2Snoop$의 지역 재전송 기법은 무선 구간의 연집적인 패킷 손실에 대해 효율적인 보상을 수행하며, 전송률을 유지하는 것을 확인할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Society for Applied Microbiology Conference
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1978.10a
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pp.205.3-205
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1978
Methanol이용 미생물의 집적배양을 통해 토양 및 하수로부터 분리하여 그 중에서 비교적 생육속도가 빠른 균주를 선별하였다. 이 균주는 형태적, 생리적 특성에 따라 Methylomonas methanolica로 동정되었으며 obligate methylotroph 이었다. 균체 생산량을 높이기 위한 배지조성과 배양 최적조건을 검토한 결과, 탄소원으로는 methanol 0.8%(v/v), 질소원은 $(NH_4)_2SO_4$ 0.6%, 금속이온은 $MgSO_4.$$7H_2O$ 0.1%이었고, 최적 pH는 6.3, 최적 배양온도는 $32.5^{\circ}C이었으며,$ 생육인자는 요구되지 않았다. 그리고 최적 배양조건에서 1ι용 fer-mentor를 사용하여 회분배양을 하였을 때 최대 비증식속도 0.19$hr^{-1}$, 균체수율은 0.47g dry cell/g-methanol이었다. Chemostat를 이용한 연속배양시 균체생산을 위한 최적희석률은 D=0.1 $hr^{-1}$이었고 이때의 균체생산속도는 0.21g- dry cell/hr이었다. 생산된 건조균체의 단백질과 핵산함량은 각각 73%, 12% 이었다.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2007.06a
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pp.215-217
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2007
반도체 집적화 기술의 발달로 반도체 공정에서 디바이스의 선폭은 줄어들고, 박막의 다층화가 필수적인 과정이 되었다. 이에 따라 반도체에서 Si 기판과 금속 배선과의 열적 안정성에 대한 신뢰성이 더욱 중요시 되어가고 있다. 이를 방지하기 위하여 우리는 3개의 화합물로 구성된 Tungsten-Carbon-Nitrogen (W-C-N) 확산방지막을 사용하였다. 실험은 Si 기판위에 W-C-N박막을 물리적 기상 증착법(PVD)으로 질소비율을 변화하며 확산방지막을 증착하여 Si 기판과 W-C-N확산방지막의 특성을 여러 온도 열처리 조건에서 확인하였다. 특성을 분석을 위하여 ${\alpha}-step$과 ${\beta}-ray$를 이용하여 증착률을 확인한 후 4-point probe를 이용하여 비저항을 측정하였고, X-ray Diffraction 분석을 통하여 결정 내부의 변화를 확인하였다. 이를 통하여 W-C-N 확산방지막의 열적인 안정성을 질소변화에 따라 조사하였다.
The reason of the contamination in the VLSI industry is the electric charge of the wafer itself. We develop the corona discharged system of clearing static electricity with a fan. This system has automatic cleaner of discharging electrode, check the state of jot control a suitable mount of discharged ion, and monitor all state using Zigbee communication module.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.87-88
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2007
반도체 소자가 초고집적화 되어감에 따라 반도체 공정에서 선폭은 줄어들고 박막은 다층화 되어가고 있다. 이와 같은 제조 공정 하에서는 Si 기판과 금속 박막간의 확산이 커다란 문제로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 높은 확산성에 의하여 Si 기판과 접합에서 많은 확산에 의한 문제가 발생하게 되며, 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이러한 확산을 방지하기 위하여 이 논문에서는 Tungsten - Carbon - Nitrogen (W-C-N)에 Boron (B)을 첨가하였고, Boron 타겟 power을 조절하여 다양한 조성을 가지는 W-B-C-N 확산방지막을 제작하여 각 조성에 따른 증착률을 조서하였고 $1000^{\circ}C$까지 열처리하여 그 비저항을 측정하여 각 특성을 확인하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.270-270
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2007
전자 산업의 발달로 인해 전자기기에 소형화, 경량화 및 다기능화가 요구되면서 민쇄회로기판(PCB)에도 고밀도화, 고집적회가 필요하게 되었다. 이에 따라 embedded passive 기술을 이용하여 기판 내부에 가능한 많은 수동소자들을 실장시키려는 노력이 진행되어지고 있다. 가장 수요가 많은 capacitor의 경우 부피와 전기적 특성 측면에서 내장 효과가 가장 큰 passive 소자에 해당한다. 본 연구에서는 내장형 capacitor의 유전재료로서 중요한 $BaTiO_3$ powder를 filler로 사용하여 epoxy/BT 복합체에서 filler의 분율에 따른 유전상수률 측정하고, filler의 열처리에 따른 유전상수의 변화를 관찰하였다. 그러고 이들 복합체의 mixing rule과 미세구조 관찰을 통하여 기판용 RCC 소재로서의 적용성을 평가하고자 하였다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.172-173
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2000
TiN 박막은 부착력이 좋은 기계적 성질을 갖고 있으며 화학적 안정성이 뛰어난 장점을 갖고 있어 수명이 긴 박막으로 사용 할 수 있다. 또한 반도체 집적 회로소자에서는 Al과 Si 사이의 확산 방지막으로 널리 사용하고 있으며, 티타늄과 질소의 화학 조성비를 적절히 조절하여 노란 금빛을 띠는 TiN 박막을 시계나 장신구 등의 표면에 코팅하여 장식에도 많이 사용하고 있다$^{[1]}$ . 최근에는 얇은 전도성 TiN 박막을 사용하여 무반사 영역을 넓히고, 무정전 효과를 지니며, TiN 박막의 두께를 변화시켜 투과율을 조절하여 명도대비(contrast)를 향상시킬 수 있는 2층 무반사 무정전 박막을 연구하고 있다.$^{[2]}$ 여기서는 티타늄과 질소의 원소조성비에 따른 TiN 박막의 복소수 굴절률의 분산이 단 2층으로 넓은 가시광선 영역에서 무반사 효과를 가질 수 있도록 TiN 박막을 증착해야 한다. (중략)
Kim, Dong-Phil;Jung, Sung-Won;Lee, Seok-Ho;Lee, Sang-Cheol
Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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2006.05a
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pp.1756-1761
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2006
본 연구의 목적은 임진강 유역을 대상으로 2005년에 발생한 유출특성을 분석하는데 있다. 임진강 유역은 유역전체 면적중 2/3이상이 북한지역에 위치하고 있어서 전체적인 수문관측 자료를 수집하기 어려운 상황에 있으나, 가용한 수문관측 자료 및 유량측정성과를 이용하여 5개 지점에 대한 유출특성을 분석하였다. 임진강 유역에서는 30분 단위의 연속적인 우량 및 수위관측(건설교통부)을 하고 있으며, 기상청에서는 1시간 단위의 기상관측을 하고 있다. 우량 및 수위자료의 수집과 검토를 통하여 유역면적우량과 5개 수위관측소의 수위를 최종 확정하였다. 그리고 2005년에 측정한 유량측정성과를 통하여 유량측정성과에 대한 불확실도, 기본 수리특성 분석, 수위-유량관계곡선식을 개발하여 유량을 산정하였다. 산정된 유량은 월별, 주요 호우사상별 유출률 분석을 통하여 합리적인 유출률 범위내에서 재 조정절차를 거쳐 최종 유량을 확정하였다. 산정된 유출률은 57.0%(영중)${\sim}$72.1%(적성)의 유출률을 보였으며, 2004년 임진강 유량측정용역 보고서의 유출률과 비교한 결과 일부지점을 제외하고는 비교적 일치하는 것으로 나타났다. 임진강 유역의 일부인 설마천 시험유역에서의 2005년 연간 유출률은 60.9%로 상기의 값은 매우 타당하다고 할 수 있다. 그리고, 남북한 수문자료의 공유 및 기술적 교류, 유역 전체의 정밀한 수문관측 및 신뢰성 있는 수문자료 생성이 이루어진다면 보다 정확한 유출특성 거동을 분석할 수 있을 것이며, 효과적인 치수 및 이수계획의 수립 등 수자원 개발을 위한 기반을 확보할 수 있을 것이다.수리모형실험과 연계하여 댐 설계에 효율적으로 사용될 수 있을 것으로 전망된다.지는 것으로 평가되었다. 그러나 본 연구결과를 통하여 투수성 포장과 지하수에 관련된 매개변수의 집적과 분석결과는 현장기술 적용 시 매개변수의 유용한 선택과 도시유역의 물 순환 건전화 대안기술 적용에 효과적인 방법론을 제시할 수 있을 것으로 사료된다.첨두홍수량을 저류하기 위해서 상대적으로 넓은 저류면적이 필요한 것으로 나타난다. 대등한 수위감소값의 홍수저감효과를 발휘하기 위해서 본 연구에서는 On-Line 저류지 면적은 Off-Line 저류지에 비 두배 이상이 필요한 것으로 보여졌다.들에 관한 정보는 종종 현장관측에서 조차 무시되는 경우가 많다. 이에 본 연구에서는 수질모형의 매개변수 중 특히 수리특성에 관련된 매개변수들이 수질에 미치는 영향을 파악하는 것을 목적으로 하고 있다. 이를 위해 적용된 수질모형은 QualKo를 사용하였으며, 대상 하천은 낙동강 본류 경남구간 시점 부근인 회천 합류 전부터 낙동강 본류 경남구간 종점 부근인 밀양강 합류 전까지의 경남 오염총량관리 기본계획 시 구축된 모형 매개변수를 바탕으로 분석을 수행하였다. 일차오차분석을 이용하여 수리매개변수와 수질매개변수의 수질항목별 상대적 기여도를 파악해 본 결과, 수리매개변수는 DO, BOD, 유기질소, 유기인 모든 항목에 일정 정도의 상대적 기여도를 가지고 있는 것을 알 수 있었다. 이로부터 수질 모형의 적용 시 수리 매개변수 또한 수질 매개변수의 추정 시와 같이 보다 세심한 주의를 기울여 추정할 필요가 있을 것으로 판단된다.변화와 기흉 발생과의 인과관계를 확인하고 좀 더 구체화하기
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.213-213
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2016
현재 반도체 산업에서는 디바이스의 고 집적화, 고 수율을 목적으로 패턴의 미세화 및 웨이퍼의 대면적화와 같은 이슈가 크게 부각되고 있다. 다중 패터닝(multiple patterning) 기술을 통하여 고 집적 패턴을 구현이 가능해졌으며, 이와 같은 상황에서 각 패턴의 임계치수(critical dimension) 변화는 패턴의 위치 및 품질에 큰 영향을 끼치기 때문에 포토마스크의 임계치수 균일도(critical dimension uniformity, CDU)가 제작 공정에서 주요 파라미터로 인식되고 있다. 반도체 광 리소그래피 공정에서 크롬(Cr) 박막은 사용되는 포토 마스크의 재료로 널리 사용되고 있으며, 이러한 포토마스크는 fused silica, chrome, PR의 박막 층으로 이루어져 있다. 포토마스크의 패턴은 플라즈마 식각 장비를 이용하여 형성하게 되므로, 식각 공정의 플라즈마 균일도를 계측하고 관리 하는 것은 공정 결과물 관리에 필수적이며 전체 반도체 공정 수율에도 큰 영향을 미친다. 흔히, 포토마스크 임계치수는 플라즈마 공정에서의 라디칼 농도 및 식각 선택비에 의해 크게 영향을 받는 것으로 알려져 왔다. 본 연구에서는 Cr 포토마스크 에칭 공정에서의 Cl2/O2 공정 플라즈마에 대해 O2 가스 주입량에 따른 식각 선택비(etch selectivity) 변화를 계측하여 선택비 제어를 통한 Cr 포토마스크 임계치수 균일도 향상을 실험적으로 입증하였다. 연구에서 사용한 플라즈마 계측 방법인 발광분광법(OES)과 optical actinometry의 적합성을 확인하기 위해서 Cl2 가스 주입량에 따른 actinometer 기체(Ar)에 대한 atomic Cl 농도비를 계측하였고, actinometry 이론에 근거하여 linear regression error 1.9%을 보였다. 다음으로, O2 가스 주입비에 따른 Cr 및 PR의 식각률(etch rate)을 계측함으로써 식각 선택비(etch selectivity)의 변화율이 적은 O2 가스 농도 범위(8-14%)를 확인하였고, 이 구간에서 임계치수 균일도가 가장 좋을 것으로 예상할 수 있었다. (그림 1) 또한, spatially resolvable optical emission spectrometer(SROES)를 사용하여 플라즈마 챔버 내부의 O atom 및 Cl radical의 공간 농도 분포를 확인하였다. 포토마스크의 임계치수 균일도(CDU)는 챔버 내부의 식각 선택비의 변화율에 강하게 영향을 받을 것으로 예상하였고, 이를 입증하기 위해 각각 다른 O2 농도 환경에서 포토마스크 임계치수 값을 확인하였다. (표1) O2 11%에서 측정된 임계치수 균일도는 1.3nm, 그 외의 O2 가스 주입량에 대해서는 임계치수 균일도 ~1.7nm의 범위를 보이며, 이는 25% 임계치수 균일도 향상을 의미함을 보인다.
To investigate the seasonal variation patterns of tidal flat sediments in semi-enclosed Hampyong and Kwangyang Bays, respectively west and south coasts of Korea, accumulation rate and grain-size in the sediments were monitored during 2${\sim}$4 years. The mud flats in the northern and eastern parts of Hampyong Bay were eroded in summer and deposited in winter, but mixed flats in the southern part of the bay show reversed seasonal variations to the mud flats. These variations are most likely connected with wave actions induced by monsoon and physiographic setting of the tidal flats in the bay. In contrast, the tidal flats of Kwangyang Bay were eroded in summer and deposited in other seasons except summer, different from the case of Hampyong Bay. The physiography of Kwangyang Bay are characterized by dominant flood tides and weak wave actions. However, in summer, the surface sediments were abruptly eroded by occasional typhoons and heavy rainfall. These weather conditions appear to be important factors to accelerate erosion on the tidal flat in semi-enclosed bays, south coast of Korea.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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