• Title/Summary/Keyword: 집속이온빔

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단원자 팁 기반 가스장 이온빔(Gas Field Ionization Beam)생성

  • Park, In-Yong;Jo, Bok-Rae;Han, Cheol-Su;An, Jong-Rok;;Kim, Ju-Hwang;Sin, Seung-Min;An, Sang-Jeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.402.2-402.2
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    • 2014

  • 과학과 기술이 발전할수록 나노크기를 넘어서 나노 크기미만의 관찰 분해능과 가공능력이 필수로 요구되어 측정장비와 가공장비의 연구 및 개발이 매우 중요하다. 현재는 주사전자현미경과 투과전자현미경의 발달로 나노크기 이하의 이미징 분해능에는 도달하였지만, 전자 입자의 가벼운 무게 때문에 가공측면에서는 한계를 가지고 있다. 또한 지난 수십 년간 정밀가공에 사용된 갈륨이온 LMIS(Liquid Metal Ion Source)기반의 집속이온빔 시스템은 수십 nm의 가공정밀도를 가지지만 10 nm 미만의 가공정밀도까지 구현하기에는 현재 기술적인 한계로 힘들다. 나노크기 이하의 이미징 분해능과 수 nm의 가공정밀도를 갖는 이온현미경이 최근에 상용화되어 판매되고 있는데, 이 이온 현미경에 사용되는 것이 가스장 이온원(GFIS:Gas Field Ionization Source)이다. 가스장 이온원은 작은 발산각, 작은 가상 이온원 크기 그리고 좁은 에너지 퍼짐의 특징을 가지며 이에 따라 구면수차 및 색수차에도 둔감한 특징을 가지고 있다. 또한 LMIS 는 갈륨이온이 시편속에 파고들어 시편의 물질 특성이 변화되는 문제가 있지만, GFIS에서는 주로 He, Ne 와 같은 불활성 기체를 주로 사용하므로 시편과 반응을 최소화 할 수 있는 장점도 있다. 위와 같은 특징을 갖는 이온빔을 GFIS 로 생성하고 이온현미경에 사용하기 위해서는 이온빔이 팁의 단원자 내지 수 개 정도의 원자에서 생성되도록 해야 한다. 본 연구에서는 GFIS 의 원리를 소개하고 장(전계)이온현미경(Field Ion Microscope)실험을 통하여 GFIS기반으로 생성된 이온빔의 형상을 보여준다. 또한 높은 각전류밀도 구현을 위하여 질소가스 에칭으로 텅스텐 팁 끝 단원자에서만 이온빔을 생성하고, 각전류 밀도 계산과 안정도 실험결과로 본 연구에서 개발한 이온원이 이온총으로서의 이온현미경 적용 가능성에 대해 보여준다.

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Focused Ion Beam Milling for Nanostencil Lithography (나노스텐실 제작을 위한 집속이온빔 밀링 특성)

  • Kim, Gyu-Man
    • Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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    • v.28 no.2
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    • pp.245-250
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    • 2011

  • A high-resolution shadow mask, a nanostencil, is widely used for high resolution lithography. This high-resolution shadowmask is often fabricated by a combination of MEMS processes and focused ion beam (FIB) milling. In this study, FIB milling on 500-nm-thin SiN membrane was tested and characterized. 500 nm thick and $2{\times}2$ mm large membranes were made on a silicon wafer by micro-fabrication processes of LPCVD, photolithography, ICP etching and bulk silicon etching. A subsequent FIB milling enabled local membrane thinning and aperture making into the thinned silicon nitride membrane. Due to the high resolution of the FIB milling process, nanoscale apertures down to 60 nm could be made into the membrane. The nanostencil could be used for nanoscale patterning by local deposition through the apertures.

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Analysis on FIB-Sputtering Process using Taguchi Method (다구찌 기법을 이용한 FIB-Sputtering 가공 특성 분석)

  • Lee, Seok-Woo;Choi, Byoung-Yeol;Kang, Eun-Goo;Hong, Won-Pyo;Choi, Hon-Zong
    • Transactions of the Korean Society of Machine Tool Engineers
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    • v.15 no.6
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    • pp.71-75
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    • 2006

  • The application of focused ion beam (FIB) technology in micro/nano machining has become increasingly popular. Its usage in micro/nano machining has advantages over contemporary photolithography or other micro/nano machining technologies such as small feature resolution, the ability to process without masks and being accommodating for a variety of materials and geometries. The target of this paper is the analysis of FIB sputtering process according to tilt angle, dwell time and overlap for application of 3D micro and pattern fabrication and to find the effective beam scanning conditions using Taguchi method. Therefore we make the conclusions that tilt angle is dominant parameter for sputtering yield. Burr size is reduced as tilt angle is higher.

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Fabrication of Electrostatically Actuated Nano Tweezers Using FIB(Focused Ion Beam) (집속이온빔 장치를 이용한 정전기 구동 나노트위저의 제작)

  • Chang Ji-Young;Kim Jong-Baeg;Min B.K.;Lee S.J.
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 2006.05a
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    • pp.495-496
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    • 2006

  • Electrostatically actuated nanoscale tweezers are fabricated on micro processed electrodes using FIB-CVD. Heavily doped electrode works as interconnection platform for controlling nanoscale devices. Short bent pillars are deposited to control the gap distance of main tweezers fabricated on bent ones. Two types of tweezers which have different gap distances are fabricated and tweezing motion was successfully demonstrated. The threshold voltages at snap-down of the pillars are dependent on the initial gap distance of the unactuated pillars, and the measured values were 93V for 3.6um and 30V for 2.2um. The dimension of nano tweezers and initial gap distances are controllable as demonstrated and we expect more complicated 3-dimensional shapes are also possible.

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