• Electrical & Electronic Materials
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• v.13 no.1
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• pp.34-42
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• 2000

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.30 no.6
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• pp.42-49
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• 2015

질화물 반도체 기반 가시광 청색 Light Emitting Diode(LED) 기술은 디스플레이의 Back Light Unit(BLU)뿐 아니라 일반 조명에 활용되며 우리 실생활에서 매우 밀접하게 사용하고 있다. 가시광보다 짧은 파장을 가지는 자외선 LED의 경우 경화기 및 위폐감지기에 기존의 유해 가스를 사용하는 자외선 램프를 대체하고 있다. 자외선 광원의 또 다른 거대 시장으로 살균 및 정화, 의료 및 바이오 응용 시장에서 자외선 램프를 대체할 수 있는 자외선 LED 기술이 활발히 발전하고 있다. 본고에서는 이들 자외선광원 시장동향과 국내외 자외선 LED의 기술동향을 파악하므로 앞으로 연구개발의 방향을 모색하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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• 1993.12a
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• pp.35-38
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• 1993

질화규소는 고온에서 고강도, 고경도, 내열성, 내식성 등의 우수한 성질을 가지고 있기 때문에 열교환기, 공구, 기계밀봉(mechanical seal), 자동차용 엔진부품중의 피스톤 및 실린더 링 등의 중요한 부품의 재료로 크게 부목받고 있다. 이러한 질화 규소의 고온에서의 마모, 마찰거동이 중요한 부품으로의 활용범위를 넓히고 또한 기능성을 향상시키기 위해서 고온에서의 마모, 마찰거동에 대한 연구 및 이해가 절대적으로 필요하다. 공유결합성이 강한 질화규소의 소결시에 첨가되는 첨가제나 제조공정에서 들어갈 수 있는 불순물들은 소결체의 입자모양이나 입계에 존재하는 상의 점도를 변화시켜 고온에서의 기계적성질을 저하시키는 것으로 알려졌다.

• The Science & Technology
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• v.32 no.9 s.364
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• pp.86-89
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• 1999

제3회 국제 질화물 반도체 학술회의가 지난 7월5일부터 5일동안 프랑스 남부 지중해 연안에 있는 몽펠리에서 열렸다. 이번 학술회의에 한국대표로 참가한 성균관대 부진효교수는 '우리나라가 시급히 해결할 문제는 화합물 반도체의 박막성장기술을 빠른 시일내에 제품으로 연결시켜야하며 이를 위해서는 독자적인 연구에서 벗어나 산ㆍ학ㆍ연연구그룹을 형성하여 국가의 전략과제로 연구를 진행시켜야 한다"고 주장했다.

• Ceramist
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• v.16 no.4
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• pp.67-75
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• 2013

• 전기의세계
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• v.48 no.11
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• pp.4-8
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• 1999

• Korean Journal of Materials Research
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• v.10 no.1
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• pp.21-28
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• 2000

Refractory metals, W and Ti, and their nitrides, $W_2N$ and TiN, were investigated for using as an ohmic contact material with SiC single crystalline thin films. The possibility of nitride materials for using as a stable ohmic contact material of SiC at high temperatures was examined by considering the thermal stability depending on the heat treatment temperature, their electrical properties and protective behavior from the interdiffusion. W contact with SiC thin films, deposited by using new organosilicon precursor, bis-trimethylsilylmethane, showed the lowest resistivity, $2.17{\times}10^{-5}$Ω$\textrm{cm}^2$. On the other hand, Ti-based contact materials showed higher contact resistivity than W-based ones. The oxidation of contact materials was restricted by applying Pt thin films on those electrodes. Nitride electrodes had rather stable electrical properties and better protective behavior from interdiffusion than metal electrodes.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1995.05a
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• pp.78-79
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• 1995

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.116-116
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• 2000

질화물 반도체는 LED, LD, Transistor, 그리고 Photodetector 등 광소자 및 전자소자를 실현할 수 있는 소재로써 최근에 각광 받고 있으며, 또한 국·내외적으로 연구가 활발히 진행되고 잇다. 질화물 발광 다이오드 제작에는 소자의 효율과 수명시간의 향상을 위하여 질화물 반도체와 금속과의 접합시 고 품질의 오믹 접합이 필수적이다. 특히 p-형 GaN의 경우에는 높은 정공 농도를 갖는 p-형 GaN를 얻기가 어렵고 GaN의 일함수에 비하여 높은 일함수를 갖는 금속이 없기 때문에 매우 낮은 접합 저항을 가지며 안정성이 매우 우수한 금 접합을 얻기가 어렵다고 알려져 있다. 또한, GaN 계열의 발광 다이오드는 일반적으로 표면 발광 다이오드 형태로 제작되기 때문에 p-형 GaN 층의 오믹 접촉으로 사용되는 금속의 전기적 특성뿐만 아니라 발광 다이오드의 활성층에서 발광되어 나오는 빛에 대한 투과도 또한 우수하여야 발광 다이오드의 효율이 우수해진다. 본 연구에서는 p-형 GaN층의 접합 금속으로 Pt(80nm)과 Ni(5nm)/Au(7nm)를 사용하여 InGaN/GaN 다중양자우물 구조의 발광 다이오드를 제작하여 전기적 특성 및 발광효율을 측정하였다. 그리고, Pt(80nm)과 p-형 GaN와의 접합시 온도 변화에 따른 전기적 특성을 TLM 방법으로 조사하고, 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 UV/VIS spectrometer, X-ray reflectivity, 그리고 Atomic Force Microscopy 등을 이용하여 분석하였다.

• Journal of Ocean Engineering and Technology
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• v.15 no.3
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• pp.58-62
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• 2001

The objective of research is to clarify the interaction between dislocations and precipitates during high temperature creep deformation behaviors of high n austenitic steels. After measuring the internal stress in minimum creep rate state under applied stress of 236MPa at 873K, a transmission electron microscope (TEM) observation was performed to investigate the interaction between dislocations and precipitates during high temperature creep deformation. The band widths and values of internal stress increased when the nitride precipitates distribute more densely. Fine nitrides disturbed the dislocation movement with pinning the dislocations and perfect dislocations were separated into Shockley partial dislocations by fine nitrides. Coarse nitrides disturbed the dislocation movement with climb mechanism.