• 제목/요약/키워드: 진공백

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Nanotransfer Printing for Large-Scale Integrated Nanopatterns of Various Single-Crystal Organic Materials

  • 백장미;박경선;성명모
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.361.2-361.2
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    • 2016
  • The manufacture of organic electronic circuits requires effective heterogeneous integration of different nanoscale organic materials with uniform morphology and crystallinity in a desired arrangement on a substrate. Herein, we present a new direct printing method, which enables monolithic integration of crystalline nanowire arrays with a diverse range of organic materials. In this method, we use a nanoscale patterned soft mold, which contains an assembly of simple nanoline patterns but, in combination with droplet of various organic inks, can produce a large-scale integration of various nanopatterns with multiple kinds of organic materials. The morphology of organic nanowires can controlled by nanoconfinement in nanoline of mold. And mutual alignment of nanopatterns can be controlled by adjusting the ink droplet size, number of droplets, ink deposition locations.

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Epitaxial growth of Tin Oxide thin films deposited by powder sputtering method

  • 백은하;김소진;강현철
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.185.2-185.2
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    • 2015
  • Tin Oxide (SnO2) has been widely investigated as a transparent conducting oxide (TCO) and can be used in optoelectronic devices such as solar cell and flat-panel displays. In addition, it would be applicable to fabricating the wide bandgap semiconductor because of its bandgap of 3.6 eV. There have been concentrated on the improvement of optical properties, such as conductivity and transparency, by doping Indium Oxide and Gallium Oxide. Recently, with development of fabrication techniques, high-qulaity SnO2 epitaxial thin films have been studied and received much attention to produce the electronic devices such as sensor and light-emitting diode. In this study, powder sputtering method was employed to deposit epitaxial thin films on sapphire (0001) substrates. A commercial SnO2 powder was sputtered. The samples were prepared with varying the growth parameters such as gas environment and film thickness. Then, the samples were characterized by using XRD, SEM, AFM, and Raman spectroscopy measurements. The details of physical properties of epitaxial SnO2 thin films will be presented.

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탄소섬유 에폭시 복합재료의 평면 연삭온도 특성에 관한 연구 (A Study on the Surface Grinding Temperature Characteristics of the Carbon Fiber Epoxy Composite Materials)

  • 한흥삼
    • 한국공작기계학회:학술대회논문집
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    • 한국공작기계학회 2000년도 춘계학술대회논문집 - 한국공작기계학회
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    • pp.441-446
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    • 2000
  • Although the net-shape molding of composites is generally recommended, molded composites frequently required cutting or grinding due to the dimensional inaccuracy for precision machine elements. During the composite machining operations such as cutting and grinding, the temperature at the grinding area may increase beyond the allowed limit due to the low thermal conductivity of composites, which might degrade the matrix of composite. Therefore, in this work, the temperature at the grinding point during surface grinding of carbon fiber epoxy composite was measured. The grinding temperature and surface roughness were also measured to investigate the surface grinding characteristics of the composited. The experiments were performed both under dry and wet grinding conditions with respect to cutting speed, feed speed, depth of cut and stacking angle. From the experimental investigation, the optimal conditions for the composite plain grinding were suggested.

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SiNx의 Substrate temperature와 gas ratio의 변화에 따른 특성

  • 백경현;장경수;이원백;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.250-250
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    • 2010
  • Flexible display의 발전에 따라 점차 고온 공정에서 plastic 기판에 영향을 주지 않는 저온 공정으로 변화해 가고 있다. 이러한 발전에 따라 공정온도에 따른 SiNx의 특성 분석을 위해 우선 150C~300C에서 SiNx의 박막을 증착하였다. gas ratio (SiH4:NH3=4:60)와 Power (50W), 공정시간(25min)을 고정하고 온도만을 가변하여 박막의 특성을 분석하였다. 이후에 150C로 온도를 고정 후 gas ratio를 가변하고 Power (40W)와 온도(150C)는 고정 후 실험을 진행하여, 150C에서 최적화된 gas ratio를 알아내도록 하였다. 위의 실험은 p-type 실리콘 웨이퍼 위에 SiNx 박막 증착 후 굴절률과 증착률을 측정하였고, Al 전극을 증착하여 MIS구조를 구현하여, gate voltage에 따른 capacitance를 측정하였다. 이번 논문에서는 SiNx의 Substrate temperature와 gas ratio의 변화에 따른 다양한 특성을 확인하고 이를 체계적으로 분석하였다.

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플렉시블 디스플레이 백플레인 기술 (Backplane Technologies for Flexible Display)

  • 이용욱
    • 진공이야기
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    • 제1권2호
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    • pp.24-29
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    • 2014
  • Display is a key component in electronic devices. OLED is growing very fast recently due to the explosion of the smart phone market although still LCD is the dominating display technology in the display market at the moment. Also needs for the large area and high resolution TVs and flexible displays are increasing these days. Especially flexible display is expected to be one of the key technologies in mobile devices requiring small device size and large display size. Contrary to the conventional displays, flexible display requires organic materials for the substrate, the active driving element and also for the display element. Plastic film as a substrate, organic semiconductor as an active component of the transistor and organic light emitting materials or electronic paper as a display element are studied actively. In this article, mainly backplane technologies such as substrates and the transistor materials for flexible display will be introduced.

multi-stack gate dielectric 구조를 통한 LTPS TFT 특성

  • 백경현;정성욱;장경수;박형식;이원백;유경열;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.200-200
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    • 2010
  • 이 논문에서는 field-effect mobility를 향상시키기 위해 triple-layer (SiNx/SiO2/SiOxNy stack 구조)를 gate dielectric material 로 LTPS TFTs에 적용하였다. 이는 플라즈마 처리 기법과 적층구조의 효과적인 in-situ 공정을 이용하여 interface trap과 mobile charge를 낮추어 높은 이동도의 결과를 생각하고 실험하였다. 실험은 SiO2 gatedielectric과 triple-gate dielectric의 C-V curve를 1 MHz의 주파수에서 측정하였다. 또한 Transfer characteristics를 single SiO2 gatedielectric과 triple-gate dielectric of SiNx/SiO2/SiOxNy를 STA 장비를 이용해 측정하였다. 위의 측정을 통해 threshold voltage, mobility, subtheshold swing, driving current, ON/OFF current ratio를 비교 분석하였다.

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Fabrication of Beta-phase Poly(9,9-dioctylfluorene) Nanowire Arrays for Polymer Light-Emitting Diode Using Direct Printing Method

  • 백장미;이기석;성명모
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.560-560
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    • 2012
  • We report a one-step fabrication method of Poly(9,9-dioctylfluorene) (PFO) nanowire array with pronounced ${\beta}$-Phase. We use liquid-bridge-mediated nanotransfer molding (LB-nTM) which is a new direct nano-patterning method based on the direct transfer of various materials from a mold to a substrate via liquid layer. The formation of the ${\beta}$-phase morphology in the resulting PFO nanowire array was evidenced by the presence of an absorption peak at 435nm. With the collection polarizer oriented parallel to the wire long axis, the PL emission was most intense and an emission dichroic ratio, DRE, of 3.7 was determined. The nanowire array have been investigated by scanning electron microscopy (SEM). Also, we simply fabricated structure of device of ITO/PFO nanowire arrays/Al and the electroluminescence spectra were recorded at various applied voltage.

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$H_2$ gas flow rate가 비정질 실리콘 박막 태양전지의 i-layer에 미치는 영향에 대한 simulation

  • 박승만;공대영;이원백
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.303-303
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    • 2010
  • 비정질 실리콘 박막 태양전지의 수광부인 i-layer는 비정질의 특성 상 많은 defect을 함유하고 있다. 이러한 defect들은 빛에 의하여 생성된 전자정공 재결합에 있어서 주도적으로 작용하게 된다. $H_2$는 이러한 defect들의 생성을 줄여주어 박막의 특성을 향상시켜주는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 비정질 박막 태양전지의 수광부로 사용되어지는 i-layer의 $H_2$ gas flow rate의 변화에 따른 태양전지의 특성을 simulation해 보았다. $H_2$는 1:0에 1:5까지 변화시켰고 그에 따른 태양전지의 QE, LIV, DIV 곡선을 통하여 특성을 알아보았다. 또한 추가적으로 i-layer의 두께에 따른 효율의 변화도 simulation해 보았다.

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Metal assisted etching으로 나노 구조 형성에 따른 단결정 실리콘의 표면조직화

  • 정현철;백용균;김형태;장효식
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.270-270
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    • 2010
  • 결정질 실리콘 태양전지는 표면반사에 의한 광 에너지 손실을 최소화 시키고자 식각을 통한 표면 조직화(texturing)가 이루어진다. 단결정 실리콘 웨이퍼의 경우 알칼리 용액(alkali solution)을 사용하여 이방성 식각(anisotropic etching)을 함으로써 표면에 피라미드를 형성하고 광 포획(light trapping) 효과에 의해 반사율을 줄이게 된다. 그러나 피라미드 형성을 통한 반사율 감소에는 한계를 가지고 있다. Metal assisted etching을 기반으로 한 새로운 형태의 텍스쳐링인 nano texturing은 피라미드가 이루어진 표면에 수많은 nm사이즈의 구조를 형성시킴으로써 표면에서의 반사율을 현저히 감소시킨다. 먼저 $AgNO_3$용액으로 웨이퍼 표면에 Ag입자를 코팅한 후, 그 웨이퍼를 다시 $HF/H_2O_2$ 용액으로 일정시간 동안 식각을 거치게 된다. 그로 인해 표면에는 수 nm 사이즈의 구조물들이 피라미드 위에 생성되고, $AgNO_3$의 농도 및 식각 시간에 따라 그 구조물의 크기 및 굵기가 달라진다. 결과적으로 평균 10%이상의 반사율을 보이던 기존 텍스쳐링 웨이퍼에서 3%이하의 낮은 반사율을 얻을 수 있었다. 또한 이런 nano texturing을 n-emitter 형성 공정 등에 따른 영향과 carrer lifetime에 대하여 연구하였다.

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게이트 블로킹 층에 high-k Al2O3 박막을 이용한 유리 기판상에 제작된 비휘발성 메모리의 전기적 특성

  • 장경수;이원백;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.462-462
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    • 2010
  • 유리기판상에 제작된 비휘발성 메모리의 블로킹 층으로 Al2O3 박막을 일반적으로 널리 사용되는 SiO2 대신 사용한 연구이다. 기본적인 Al2O3 박막의 특성을 확인하기 위해 MIS 형태의 구조를 제작한 후 전기적 특성을 확인하였으며, 또한 유리기판상에 제작하기 전 실리콘 웨이퍼상에 실제 제작할 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 특성을 확인하였다. 마지막으로 거친 표면을 가진 LTPS 유리기판상에 제작하였으며, 이에 대한 전기적 특성을 확인하였다. 여러 특성 중 retention 특성의 경우 10년 후 약 45% 이상으로 디스플레이 장치에 충분히 사용될 수 있다.

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