한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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- 2010
multi-stack gate dielectric 구조를 통한 LTPS TFT 특성
- 백경현 (성균관대학교) ;
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정성욱
(성균관대학교)
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장경수
(성균관대학교)
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박형식
(성균관대학교)
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이원백
(성균관대학교)
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- 유경열 (성균관대학교) ;
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이준신
(성균관대학교)
- Baek, Gyeong-Hyeon ;
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Jeong, Seong-Uk
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Jang, Gyeong-Su
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Park, Hyeong-Sik
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Lee, Won-Baek
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- Yu, Gyeong-Yeol ;
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Lee, Jun-Sin
- 발행 : 2010.08.18
초록
이 논문에서는 field-effect mobility를 향상시키기 위해 triple-layer (SiNx/SiO2/SiOxNy stack 구조)를 gate dielectric material 로 LTPS TFTs에 적용하였다. 이는 플라즈마 처리 기법과 적층구조의 효과적인 in-situ 공정을 이용하여 interface trap과 mobile charge를 낮추어 높은 이동도의 결과를 생각하고 실험하였다. 실험은 SiO2 gatedielectric과 triple-gate dielectric의 C-V curve를 1 MHz의 주파수에서 측정하였다. 또한 Transfer characteristics를 single SiO2 gatedielectric과 triple-gate dielectric of SiNx/SiO2/SiOxNy를 STA 장비를 이용해 측정하였다. 위의 측정을 통해 threshold voltage, mobility, subtheshold swing, driving current, ON/OFF current ratio를 비교 분석하였다.
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