• 제목/요약/키워드: 증착

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정전용량식 터치스크린 패널을 위한 SiO2 버퍼층 두께에 따른 ITO 박막의 전기적 및 광학적 특성 (Electrical and Optical Properties of ITO Thin Films with Various Thicknesses of SiO2 Buffer Layer for Capacitive Touch Screen Panel)

  • 정윤근;정양희;강성준
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제17권6호
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    • pp.1069-1074
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    • 2022
  • 본 연구에서는 Nb2O5/SiO2 이중 버퍼층위에 ITO박막을 증착하여, SiO2버퍼층 두께 변화 (40~50 nm)에 따른 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. Nb2O5/SiO2 이중 버퍼층을 도입한 ITO박막의 표면 거칠기는 0.815에서 1.181 nm 범위의 작은 값을 가지는 매끄러운 형상을 보였고, 면저항은 99.3~134.0 Ω/sq. 범위로 정전용량식 터치스크린 패널에 적용하는데 문제가 없는 것으로 나타났다. 특히 Nb2O5 (10 nm) / SiO2 (40 nm) 이중 버퍼층을 삽입한 ITO박막의 단파장(400~500 nm) 영역에서의 평균 투과도와 색도(b*)는 83.58 % 와 0.05로 이중버퍼층이 삽입되지 않은 ITO박막의 74.46 % 와 4.28에 비해 상당히 향상된 결과를 나타내었다. 이를 통해 Nb2O5/SiO2 이중 버퍼층을 도입한 ITO박막에서 인덱스 매칭 효과로 인해 단파장 영역의 투과도 및 색도와 같은 광학적 특성이 현저히 향상되었음을 확인할 수 있었다.

PEDOT:PSS/MWNT 나노복합체의 나노주름 임프린팅을 통한 투명전극-배향막 복합 기능 박막의 액정 구동 (Liquid Crystal Driving of Transparent Electrode-Alignment Layer Multifunctional Thin Film by Nano-Wrinkle Imprinting of PEDOT:PSS/MWNT Nanocomposite)

  • 장종인;정해창
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제16권1호
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    • pp.8-17
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    • 2023
  • 기존 liquid crystal display(LCD) 공정에서 Indium Tin Oxide(ITO) 투명전극과 폴리이미드 배향막의 러빙 공정은 액정을 정렬하고 전계를 인가하기 위하여 필수적인 공정이다. 하지만 ITO의 증착은 높은 진공을 요구하며, 러빙 공정은 정전기에 의해 소자가 손상될 수 있는 단점이 존재한다. 본 논문에서는 기존 ITO 투명전극을 대체하기 위하여 PEDOT:PSS와 Multi-wall carbon nanotube(MWNT)를 혼합하여 PEDOT:PSS 나노복합체를 제조하고, 러빙 공정을 대체하기 위하여 나노 주름 구조 몰드를 통한 나노임프린팅을 통하여 박막을 형성함으로써 기존 액정 디스플레이의 투명전극과 배향막 두 가지 박막을 PEDOT:PSS/MWNT 나노복합체 박막 하나만으로 기능하게 하여 공정을 단순화 하였다. 전사된 나노 주름을 따라 액정이 잘 배향됨을 확인하였으며, 이를 기반으로 만들어진 액정 셀에서 박막 내 MWNT의 함량이 높아질수록 박막의 전기전도도가 증가하여 낮은 구동 전압과 빠른 응답 속도를 갖는다는 것을 확인하였다. 본 연구를 통해 공정 단순화와 용액공정에 의한 공정 단가 절감, 기존 러빙 공정의 단점을 해결하는데 기여 할 수 있을 것으로 기대된다.

브로민화 수은(I)(Hg2Br2) 물리적 증착공정의 2차원 밀폐공간에서 이중확산 자연 대류에서의 물질전달 연구: Part II. 물질전달 (Mass transfer study of double diffusive natural convection in a two-dimensional enclosure during the physical vapor transport of mercurous bromide (Hg2Br2): Part II. Mass transfer)

  • 하성호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제33권4호
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    • pp.145-152
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    • 2023
  • 2.31 × 104 ≤ Grt ≤ 4.68 × 104의 범위에서 온도 Grashof 수(Grt)의 변화에 대하여, 소스와 결정영역에서의 평균 Nusselt수를 나타내고 있다. 결정영역에서의 평균 Nusselt 수가 소스영역에서의 평균 Nusselt 수 보다 2배 이상 큰 것으로 나타나고 있다. 소스영역에서의 평균 Nusselt 수는 온도 Grashof 수(Grt)에 대하여, 증가하는 경향을 보여주고 있으며, 반면에 결정영역에서의 평균 Nusselt 수는 온도 Grashof 수(Grt)에 대하여, 감소하는 경향을 나타나고 있다. 3.28 × 105 ≤ Grs ≤ 4.43 × 105의 범위에서 농도 Grashof 수(Grs)의 변화에 대하여, 소스와 결정영역에서의 평균 Sherwood 수를 나타내고 있다. 소스영역과 결정영역에서의 평균 Sherwood 수는 농도 Grashof 수(Grs)가 증가함에 따라, 감소하는 경향을 보이고 있다. 결정영역에서의 평균 Sherwood 수는 소스영역에서의 평균 Sherwood 수보다 약 4배 정도 크다.

미스트화학기상증착 시스템의 Hot Zone 내 사파이어 기판 위치에 따른 β-Ga2O3 이종 박막 성장 거동 연구 (Growth Behavior of Heteroepitaxial β-Ga2O3 Thin Films According to the Sapphire Substrate Position in the Hot Zone of the Mist Chemical Vapor Deposition System)

  • 김경호;이희수;신윤지;정성민;배시영
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제36권5호
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    • pp.500-504
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    • 2023
  • In this study, the heteroepitaxial thin film growth of β-Ga2O3 was studied according to the position of the susceptor in mist-CVD. The position of the susceptor and substrate was moved step by step from the center of the hot zone to the inlet of mist in the range of 0~50 mm. It was confirmed that the average thickness increased to 292 nm (D1), 521 nm (D2), and 580 nm (D3) as the position of the susceptor moved away from the center of the hot zone region. The thickness of the lower region of the substrate is increased compared to the upper region. The surface roughness of the lower region of the substrate also increased because the nucleation density increased due to the increase in the lifetime of the mist droplets and the increased mist density. Therefore, thin film growth of β-Ga2O3 in mist-CVD is performed by appropriately adjusting the position of the susceptor (or substrate) in consideration of the mist velocity, evaporation amount, and temperature difference with the substrate, thereby determining the crystallinity of the thin film, the thickness distribution, and the thickness of the thin film. Therefore, these results can provide insights for optimizing the mist-CVD process and producing high-quality β-Ga2O3 thin films for various optical and electronic applications.

RF Power변화에 의한 CdTe 박막에 관한 연구 (A Study on CdTe Thin Film by RF Power Change)

  • 박정철
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제16권4호
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    • pp.187-192
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    • 2023
  • 본 논문은 스퍼터링 장비를 이용하여 ITO 유리 기판에 CdTe 박막을 RF Power로 변화주면서 CdTe 박막을 증착하였다. 박막의 두께를 측정한 결과, 100W 일 때 1481Å, 150W는 2985Å, 200W는 4684Å로 측정되었다. 그리고 이동도는 100W일 때 8.43cm2/Vs, 150W는 7.91cm2/Vs, 200W는 6.57cm2/Vs로 측정되었다. 시편의 두께와 이동도는 반비례한 한다는 것을 알 수가 있었다. 투과율을 확인한 결과, 100W 일 때 905nm에서 투과율은 84%, 150W는 825nm에서 투과율이 71%, 200W는 874nm에서 77%로 측정되었다. 이것은 시편의 두께가 100W일 때 시편의 두께가 얇았으므로 투과율이 높게 측정되었다. 즉 투과율과 두께의 상관관계를 알 수가 있는 부분이다. RF Power를 변화주어 반치폭과 입자의 크기를 측정한 결과, 반치폭은 100W일 때 0.18, 150W는 0.19, 200W는 0.73으로 계산되었다. 입자의 크기는 100W에서는 8.47Å, 150W에서는 7.98Å, 200W일 때 가장 큰 8.7Å으로 형성된 것으로 확인되었다. 결론적으로 반치폭과 입자 크기는 반비례하는 것을 알 수 있었다.

초임계이산화탄소를 이용한 플라즈마 손상된 다공성 저유전 막질의 복원 (Repair of Plasma Damaged Low-k Film in Supercritical Carbon Dioxide)

  • 정재목;임권택
    • 청정기술
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    • 제16권3호
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    • pp.191-197
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    • 2010
  • 초임계이산화탄소에서 실릴화제를 사용하여 반응시간, 압력, 온도를 변화하며 플라스마에 의해 손상된 다공성 p-SiOCH 필름의 실릴화 보수반응을 진행하였다. FT-IR 분석 결과 $3150{\sim}3560cm^{-1}$ 영역의 $SiOH/H_2O$ 특성밴드의 감소는 다소 확인할 수 있었지만, 메틸화 peak의 변화치는 관찰하기 어려웠다. 그러나 실릴화에 따른 표면 소수성은 빠른 반응시간 내에 복원되었다. 내부 복원반응을 효과적으로 유도하기 위하여 열 전처리 공정을 상압 또는 진공 조건에서 진행하였으며, 전처리에 따라 표면 접촉각이 약간 상승하였고, 뒤이은 초임계 실릴화반응으로 표면 소수성이 완전히 복원되는 것을 관찰하였다. 플라스마 손상과정에서 표면 내부 메틸기의 감소가 나타나지만 실릴화 보수반응에 따라 메틸기의 복원은 눈에 띄게 나타나지 않음을 FT-IR, spectroscopic ellipsometry 와 secondary ion mass spectroscopy의 분석결과를 통하여 확인하였다. 막질에 대한 Ti 증착 후 glow discharge spectrometry로 내부 Ti 원소를 분석한 결과, 초임계 실릴화반응을 통하여 손상된 p-SiOCH막질의 열린 기공의 봉인효과가 나타나는 것을 확인하였다.

스트레처블 기판상에 산화물 기반의 광센서 제작 (Fabrication of an Oxide-based Optical Sensor on a Stretchable Substrate)

  • 김무진
    • 산업융합연구
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    • 제20권12호
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    • pp.79-85
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    • 2022
  • 최근 전자소자는 플렉서블 기판상에 제작된 스마트폰이 출시되었으며, 스트레처블 한 전자소자의 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 실리콘 기반의 스트레처블한 소재를 만들어 이것을 기판으로 사용하여 산화물을 이용한 광센서 소자를 구현하여 평가하고자 한다. 이를 위해, 실리콘 기반의 용액성 고무를 이용하여 상온에서 잘 늘어나는 기판을 만들어 소재의 350% 연신율을 확인하였으며, 반사도, 투과도, 흡수도와 같은 광특성을 측정하였다. 다음으로 이러한 소재는 표면이 소수성을 나타내기 때문에 표면 세정 및 친수성으로 변화시키기 위하여 산소 기반의 플라즈마 표면 처리를 진행하였으며, 진공장비로 AZO(Aluminium Zinc Oxide) 기반의 산화막을 증착한 후 면봉을 이용하거나 메탈 마스트로 Ag 전극을 형성시켜 광센서를 완성하였다. 제작된 광전자소자는 빛을 조사했을 때와 하지 않았을 때의 전압에 따른 전류 변화를 분석하여 광에 의하여 생성된 캐리어들에 의한 광전류를 관찰하였으며, 벤딩 장비를 이용하여 폴딩에 따른 광센서소자 영향성을 추가 테스트하였다. 벤딩 테스트 전과 빛에 의해 생성되는 전류값 변화를 추가로 분석하였다. 향후 스트레처블 기판위에 늘어나는 반도체 물질 및 전극을 형성하여 폴딩(벤딩) 및 늘어나는 광소자를 집중적으로 연구할 계획이다.

CuO Nanoparticles/polyaniline/CNT fiber 유연 전극 기반의 H2O2 검출용 비효소적 전기화학 센서 (A Non-enzymatic Hydrogen Peroxide Sensor Based on CuO Nanoparticles/polyaniline on Flexible CNT Fiber Electrode)

  • 송민정
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제61권2호
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    • pp.196-201
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    • 2023
  • 우리는 금속 산화물 CuO nanoparticles (CuO NPs)과 전도성 고분자 Polyaniline (PANI)가 접목된 CNT fiber 유연 전극(CuO NPs/PANI/CNT fiber 전극)을 개발하여 H2O2 검출용 비효소적 전기화학센서에 적용하였다. CNT fiber 표면 위에 PANI와 CuO NPs을 전기화학적 합성/증착을 통해 제작된 CuO NPs/PANI/CNT fiber 전극은 주사전자 현미경(SEM)과 에너지분산형 분광분석법(EDS)을 통해 표면 분석이 수행되었으며, 순환전압 전류법(CV)과 전기화학 임피던스법(EIS), 시간대전류법(CA)을 이용하여 전기화학적 특성 및 H2O2 센싱 성능이 분석되었다. CuO NPs/PANI/CNT fiber 전극은 대조군인 bare CNT fiber 전극과 비교하여 약 4.78배의 유효 표면적 증가를 보였으며, 약 8.33배의 전자 전달 저항(Ret) 감소로 인한 우수한 전기 전도성 및 효율적인 전자전달 등의 전기화학적 특성을 나타냈다. 이런 향상된 전극 특성은 CuO NPs와 PANI의 접목을 통한 시너지 효과에 기인한 것으로, 결과적으로 H2O2 검출에 대한 센싱 성능이 개선되었다.

증착 및 열처리 조건에 따른 AZO/Cu/AZO 박막의 전기적·광학적 특성 평가 (Effect of Deposition and Heat Treatment Conditions on the Electrical and Optical Properties of AZO/Cu/AZO Thin Film)

  • 김찬영;임하은;양가은;권숙정;강찬희;임상철;이택영
    • 한국재료학회지
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    • 제33권4호
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    • pp.142-150
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    • 2023
  • AZO/Cu/AZO thin films were deposited on glass by RF magnetron sputtering. The specimens showed the preferred orientation of (0002) AZO and (111) Cu. The Cu crystal sizes increased from about 3.7 nm to about 8.5 nm with increasing Cu thickness, and from about 6.3 nm to about 9.5 nm with increasing heat treatment temperatures. The sizes of AZO crystals were almost independent of the Cu thickness, and increased slightly with heat treatment temperature. The residual stress of AZO after heat treatment also increased compressively from -4.6 GPa to -5.6 GPa with increasing heat treatment temperature. The increase in crystal size resulted from grain growth, and the increase in stress resulted from the decrease in defects that accompanied grain growth, and the thermal stress during cooling from heat treatment temperature to room temperature. From the PL spectra, the decrease in defects during heat treatment resulted in the increased intensity. The electrical resistivities of the 4 nm Cu film were 5.9×10-4 Ω·cm and about 1.0×10-4 Ω·cm for thicker Cu films. The resistivity decreased as the temperature of heat treatment increased. As the Cu thickness increased, an increase in carrier concentration resulted, as the fraction of AZO/Cu/AZO metal film increased. And the increase in carrier concentration with increasing heat treatment temperature might result from the diffusion of Cu ions into AZO. Transmittance decreased with increasing Cu thicknesses, and reached a maximum near the 500 nm wavelength after being heat treated at 200 ℃.

하계 전기, 전자연합학술회의 및 산학협동 심포지엄 초록

  • 대한전기학회
    • 전기의세계
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    • 제27권5호
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    • pp.33-54
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    • 1978
  • (차례) 1.산학협동심포지업 (1)우리나라에서의 연구개발과 산학협동 (2)산학협동과 산업계의 역할 (3)산학협동의 현황과 진로 2.학술회의A (1)전력게통의 계층구조와 협조원리에 관한 연구 (2)2중층괴상회전자 유도전동기의 이론해석 (3)초고주파가열장치에 사용하는 철공진변압기의 해석적 설계 (4)한국전기기시험연구소 대전력단락 시험설비설계 (5)직류전동기제어를 위한 Thyristor Chopper정류회로에 관한 연구 (6)선로의 개폐정보를 포함하는 전력계통의 상태추정 (7)단일신경세포에 대한 ITEM 신호 특성 3.학술회의B (1)MMM-1 Computer System의 설계 및 제작 (2)Adaptive Delta Modulation System의 성능비교 연구 (3)6GHZ FMD마이크로파 무선전송장치의 개발 (4)적선도에 의한 회로망함수의 결정 (5)동맥혈압의 해석과 그의 전기적 유사모델 (6)피부감각의 정보전달 특성에 관하여 (7)선형직접회로의 공정설계 및 그 특성 조성 (8)DH L.D의 전기적포화현상에 관한 이론적 해석 (9)Potocoupler를 이용한 Isolator 4.학술회의C (1)Al-Al$_{2}$O$_{3}$ -Al박막구조의 전기적 특성 (2)이종금속에 샌드위치된 고분자물질의 단락전조 (3)유전체가 일부체워진 직 6면체의 캐비티의 다중모오드 해석 (4)반도체 가스 검지소자의 제조 및 그의 전기적 특성 (5)실리콘 산화공정에 대한 실험적 고찰 (6)진공증착법에 의한 InSb 박막제도에서 열처리효과 (7)(Ba$_{1}$-xBix) Tio$_{3}$ PTC thermistor의 첨가량의 최적건안 (8)금속박막증착시 두께조절 5.특별강연회 (1)일본에 있어서의 절력계통공학연구 (2)Linear Motor의 최근개발동향량도 높았다. valine과 leucine 및 aspartic acid, glycine과 glutamic acid, leucine과 aspartic acid 간에는 고도의 정상관, glycine과 serine, valine과 phenylalanine, threonine과 proline, phenylalanine과 arginine, methionine과 glutamic acid, histidine과 lysine 간에는 유의 정상관, 그리고 isoleucine과 lysine 간에는 유의한 부상관이 있었다. 4. lysine 함량은 단백질 함량과 정산곤, isoleucine 함량은 단빅질 함량과 부상관을 보였으며, alanine, valine, leucine 함량은 지방함량과 각각 유의한 정산관을 보였다. 5. 대두 단백질은 7.5% acrylamide gel 전기영동에 의해 품종에 따라 12~16개의 구성분으로 분리되었으며, 이들중 주구성분들은 상대이동도가 0.06(a), 0.14(b). 0.24(d) 이었고, 구성분 b의 함량이 품종간에 가장 변이가 컸으며, 구성분 b는 그밖의 주요 구성분들의 함량과 부의 상관이 있었고, 구성분 a는 단백질 함량과 정상관이 있었다. 6. 종실단백질 구성분들의 조합 특성 면에서 공시 86품종은 11개 유형군으로 분류되었으며, 우리나라와 일본품종은 미국품종에 비해 단백질구성분 조성이 훨씬 다양하였다. 7. 이동도가 매우 빠른 단백질 구성분 o(Rm 0.77) p(Rm 0.81)를 모두 갖고 있는 품종은 3품종, 모두 갖고 있지 않은 품종은 1품종이었고, 나머지 82품종은 o나 p중 한 구성분을 갖고 있었으며 그 분포율은 30 : 65 이었는데 미국계 품종은 우리나라 품종에 비해 구성분 o를 간고 있는 비율이 현저히 적었다. 8. 대두 종실은 개화후 22일까지 완만히, 그 이후 20~30일간 급속히

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