본 연구는 일주일 동안의 컴퓨터 사용시간이 몸통 근육 두께와 압력 통증 역치에 미치는 영향을 분석하였다. 33명의 대상자를 일주일에 컴퓨터를 10시간 이하(A 그룹), 10시간에서 20시간(B 그룹), 20시간 이상 사용하는 그룹(C 그룹)으로 나누어 위 등세모근, 작은가슴근, 앞 목갈비근, 중간 목갈비근의 근 두께와 위 등세모근, 작은가슴근, 앞 목갈비근, 중간 목갈비근, 어깨올림근의 압력 통증 역치를 측정하였다. 본 연구의 결과 C 그룹의 작은가슴근, 앞 목갈비근, 중간 목갈비근은 다른 그룹들의 근 두께에 비해 유의하게 증가되었고(p<.05) 위 등세모근, 앞 목갈비근, 작은가슴근, 어깨올림근의 압력통증역치는 다른 그룹들에 비해 유의하게 감소하였다(p<.05). 그러므로, 본 연구는 1주일 동안 컴퓨터를 장시간 사용하는 사람들은 장시간 컴퓨터 사용이 다양한 근골격계 질환의 원인이 될 수 있음을 인지하고 그에 따른 적절한 예방적 접근을 수행할 것을 권장한다.
터보펌프-가스발생기 연계시험에서 작동점 변경을 위해 거치는 중간 작동점의 특성을 시스템 모사 프로그램으로 검토하였다. 중간 작동점에서 펌프 토출압, 가스발생기 혼합비, 가스발생기 온도, 가스발생기 압력 등의 변수를 안전한 시험기 운용을 고려하여 검토하였다. 터보펌프-가스발생기 연계시험기와 엔진시스템을 비교한 결과 중간 작동점이 차이는 작지만 서로 다르고 이는 엔진 시스템에서 연소기 유량에 따른 연소압 변화가 발생하기 때문이다. 연소기 배관의 밸브 변경을 우선할 때 중간 작동점이 보다 안전한 영역에 위치한다.
하천 횡단구조물 하류부에서는 고유속 및 ±압력에 의해 하상재료가 유실되는 세굴현상이 발생한다. 이러한 세굴을 방지하기 위해 횡단구조물 하류부에는 석재, 콘크리트 및 콘크리트 블록 등을 설치 및 포설하여 하상보호공을 설치한다. 하상보호공을 설치하면 설치된 부분은 세굴이 방지 되지만, 하상보호공 끝단 이후에는 지반이 노출되어 있어 노출된 지반에서 고유속 흐름 및 압력변화에 의한 세굴이 발생하는 경우가 많다. 이에 본 연구에서는 하상보호공 끝단 즉, 하상이 노출된 지반에서 압력변화에 따라 하상재료가 유실되므로 압력에너지를 감쇄시키기 위한 하상보호장치를 개발하였다. 개발한 하상보호장치는 본래 다수개가 열을 지어 메트릭스 형태로 설치되도록 하여야 하지만 실험 여건상 단일체로 수리실험을 진행하였다. 하상보호장치는 상판과 하판이 조립된 형태이며 상판과 하판 사이에 이격공간이 구비되어있다. 하상보호장치 검증을 위해 상판과 하판에 쓰이는 판은 수로재질과 같은 아크릴로 제작하였으며, 하상재료의 공극률을 반영하여 다공성 판으로 제작하였다. 다공판의 전체 구멍 면적 대비 판 면적은 35 % 로 동일하다. 상판 구멍 지름 15.0 mm, 4.5 mm 2가지로 제작하였으며, 하판 구멍 지름 3.0 mm 으로 동일하다. 압력변화가 큰 곳에서 작은 곳으로 물이 이동하게 되므로 고유속 수리조건에서 상판과 하판 사이에서의 압력변화를 측정하기 위해 판 중간에 압력계를 설치하였다. 하상보호장치 설치지점 앞 0.3 m 부근에 PIV를 설치하여 유속을 측정하였다. 실험결과 상판의 구멍 직경(15.0 mm)이 클 경우 상판부 압력이 하판부로 전달되어 하판에서 측정되는 압력이 증폭 되었으며, 상판의 다공성 구멍 직경(4.5 mm)이 작을 경우 상판부에서 하판부로 전달되는 압력이 감소하여 하판에서 측정되는 압력이 감소하였다. 상판과 하판의 다공성 구멍의 직경을 적절한 사이즈로 조절하면 상판부의 압력이 하판부로 전달되는 것을 막고 압력에 의해 하상에서 흡출되는 유사를 막을 수 있는 것으로 판단되며 추후 상판과 하판의 다공성판 구멍 직경의 상대적 차이에 따른 압력 감소효율에 관한 연구가 필요하다고 판단된다.
본 연구는 대퇴의족착용자의 정적중립상태 및 자유보행시에 단단부와 소케의 경계에 작용하는 압력 분포를 측정하였다. 정적중립상태에서는 단단부의 외측과 내측면과 후면에서 압력집중현상이 나타나고, 자유보행시는 이러한 압력집중이 보행중에 일정한 형태로 이동함을 알 수 있었다. 최대 소켓압력은 중간입각기나 발뒤축들림기에 외측, 내측 앞쪽, 후면에서 나타나고 있고, 소켓과 단단부 사이의 상태를 확인하는 방법중 하나로 소켓 압력 측정을 사용할 수가 있다.
본 연구에서는 복합 수소분리막 중간층의 pin hole, crack 및 defect를 최소화하기 위하여 powder type과 sol type의 금속산화물을 이용하여 복합화하였다. 중간층의 표면 형상과 투과 특성은 주사전자현미경(SEM) 분석과 $N_2$ 투과도 테스트를 통해 평가하였으며, 제조한 수소분리막의 성능평가를 위해 $N_2$와 $H_2$를 이용하여 단일가스 투과 테스트를 수행하였다. Powder type과 sol type의 금속산화물을 각각 이용하여 중간층을 적층한 결과 sol type 금속산화물을 이용하여 적층한 중간층의 표면 조도가 매우 낮았으며, 특히 $TiO_2$ sol로 형성된 중간층의 pin-hole, crack 및 defect가 현저히 감소하였다. Powder와 sol을 복합화하여 적층한 중간층은 sol로 형성된 중간층과 거의 유사한 특성을 보였으며, 이를 기반으로 제조한 수소분리막은 1 bar의 압력구배, 672 K의 온도에서 약 $0.32mol/m^2s$의 수소 투과도를 나타내었으며, 선택도는 약 10,890 이상으로 측정되었다.
The present paper presents the experimental results for pressure drop in inclined tube bundles located in a rectangular duct. Measurements are made for pressure drop in triangular and rotated triangular tube arrays having P/d ratio of 1.6 and inclination angles of 30,45,60 and 90 degrees. The Reynolds number based on the free stream velocity and tube diameter ranges from $8{\times}10^2\;to\;6.3{\times}10^{4}$. The experimental results show that the magnitude of dimensionless pressure drop decreases significantly when the inclined angle is less than 45 degree. The measured data are compared with two existing correlations available in the literatures. The ESDU correlation agrees well with the present data far the triangular arrays. But some discrepancies are observed for the rotated triangular arrays when the inclined angles are 30 and 45 degrees. The Idel'chik correlation generally agrees well with the measured data for the rotated triangular arrays except for the inclined angle of 30 degree. The Idel'chik correlation needs modification for the triangular arrays. The modified Idel'chik correlation agrees well with the measured data within $10{\%}$. It is found that the present measured data can be applied to the evaluation and modification of previous correlations.
한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.304-307
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2000
고순도 니켈분말을 사용하여 성형, 소결, 압연 및 중간소둔 공정을 통해 cube-texture를 갖는 니켈테이프를 제조하였다. 제조된 니켈테이프의 texture는 성형압력, 성형체의 소결 온도 및 시간, 냉간 압하율 및 중간열처리에 따라 달라지는 것을 관찰하였다. 200kgf/cm$^2$ 의 성형압력으로 제조한 성형체를 1000$^{\circ}$C의 온도에서 8시간열처리한 소결체를 100${\sim}$50 $_{\mu}$m로 압연된 tape을1000$^{\circ}$C 1시간 열처리 할 때 가장 우수한 texture를 가지는 tape을 제조할 수 있었다. 긴 니켈테이프를 제조하기 위해 50cm 길이의 mold에서 성형한 green-pellet을 불활성 분위기(Ar:96%-H$_2$:4%)에서 1000$^{\circ}$C, 8시간동안 열처리하여 소결하였다 400mm길이에 17${\sim}$20mm 두께의 소결체를 압연하여 100$_{\mu}$m두께의 긴 니켈 테이프를 제조하였다. 제조한 테이프의 texture는 소형으로 제조한 테이프에 비해 떨어졌으며 이는 압연 시 시료에 너무 큰 인장력을 가했기 때문으로 사료된다.
반도체 산업의 중심 소재인 실리콘(Si)은 사용 목적과 환경에 따라 물성적 한계가 표출되기 시작했다. 그래서 각각의 목적에 맞는 재료의 개발이 필요하다는 것을 인식하게 되었다. SiC wafer는 큰 band gap energy와 고온 안정성, 캐리어의 높은 드리프트 속도 그리고 p-n 접합이 용이하다. 또한 소재 자체가 화학적으로 안정하고 $500\sim600^{\circ}C$에서 소자 제조 시 고온공정이 가능하며, 실리콘이나 GaAs에 비해 고출력을 낼 수 있는 재료이다. 반도체 소자로 이용하기 위한 wafer 가공 공정에 있어 물리적 힘에 의한 stress를 많이 받아 wafer가 휘는 현상이 생긴다. 반도체 소자의 기본이 되는 wafer가 휨 현상을 일으키면 wafer 위에 소자가 올라갈 경우 소자의 불균일성 때문에 반도체의 물성에 나쁜 영향을 미치게 된다. 그래서 반도체 소자의 기본이 되는 wafer의 휨 현상 개선이 중요하다. 본 연구에서는 산화로에서 Ar 분위기에서 압력 760torr, 온도 $1100^{\circ}C$ 부근에서의 조건으로 진행을 하여 wafer의 Flatness Tester(FT-900, NIDEK) 장비로 SORI, BOW, GBIR 값의 변화에 초점을 맞추었다. SiC 단결정을 sawing후 가공 전 wafer를 열처리하여 가공을 진행하는 것과 열처리 하지 않은 wafer의 SORI, BOW, GBIR 값 비교, 그리고 lapping, grinding, polishing 등의 가공 진행 중간 중간에 열처리를 하여 진행하는 것과 가공 진행 중간 중간에 열처리를 하지 않고 진행한 wafer의 SORI, BOW, GBIR 값의 비교를 통해 wafer의 휨 현상 개성에 관해 알아본다.
본 연구에서는 $30^{\circ}$ 경사진 층리면을 가진 이방성 암반내 위치한 쌍굴터널에서 터널간 이격거리와 터널 단면의 형상이 서로 다른 다섯 가지 모형에 대해 측압계수 2의 하중조건으로 축소모형실험을 실시하였다. 실험을 통해 모형별 균열개시압력과 터널 주변지반의 변형거동을 조사하였으며, 이 조건들이 터널의 안정성에 어떠한 영향을 미치는지를 알아보았다. 터널간 이격거리가 작은 모형일수록 필라에서는 층리면을 따른 전단파괴가 발생하였으며 낮은 압력수준에서 균열이 발생하여 터널의 안정성은 상대적으로 작은 것으로 평가되었다. 사심아치형, 원형, 반원아치형 터널 모형들에 대한 실험에서 반원아치형 터널이 가장 작은 균열개시압력을 보여 터널 안정성이 가장 작게 나타났으며, 원형 터널의 안정성이 가장 크게 나타났다. 또한, 사심아치형 터널의 변형거동은 원형 터널과 반원아치형 터널의 중간적인 형태를 나타내었으며 터널 안정성도 중간정도에 해당하였다. FLAC을 사용한 수치해석 결과는 모형실험의 결과와 정성적으로 부합하였다.
Mo 박막은 열적 안전성과 전기 전도성이 우수한 소재로 CIGS 태양전지의 배면전극으로 사용되고 있다. 스퍼터링법에 의한 Mo 박막의 전도성은 공정압력에 민감하여 높은 압력과 낮은 압력에서 이중박막으로 제조되고 있다. 연구에서는 압력에 크게 영향을 받지 않으면서 전도성이 $10{\mu}{\Omega}-cm$ 이하로 우수한 Mo 박막을 얻을 수 있는 아크 이온플레이팅법으로 Mo 박막을 제조하였다. 그러나 Mo 박막 증착시에 나타나는 높은 압축응력은 기재(Soda lime Glass; SLG)와의 밀착성을 떨어뜨렸다. 기재(SLG)와의 밀착성을 확보하기 위해 Ti 중간층($0.3{\mu}m$, $0.9{\mu}m$)을 증착하고 그 위에 Mo 박막을 증착하여 전도성이 우수한 박막을 제조하였으나 여전히 압축잔류응력의 문제점을 보였다. 압축응력의 완화를 위해 CIGS 박막이 제조되는 $550^{\circ}C$의 온도에서 열처리를 1시간 수행하였다. 열처리를 통해 열처리 전과 후에 나타나는 전도성과 잔류응력의 변화를 공정압력(5 mTorr~30 mTorr)별로 알아보았다. 사용된 시험편은 Si wafer, SLG, SUS계 소재를 이용하였으며 공정압력별로 아크 타겟에 인가되는 전류는 100 A로 고정하였고, 바이어스 전압은 0V, -50V를 인가하였다. 열처리 전과 후에 전도성은 크게 변화가 관찰되지 않았으나 잔류응력에는 많은 변화가 관찰 되었다. 잔류응력은 공정압력(5mTorr~30mTorr)별로 응력 완화가 일어났으며, 바이어스 전압이 0V에서 공정압력이 5 mTorr일 때 열처리 전에 측정된 1346 MPa 압축응력이 열처리 후에는 188 MPa의 인장응력을 나타내었다. 이러한 응력 변화에 대해 XRD와 SEM으로 구조분석을 통해 Mo 박막의 결정성과 전도성 및 잔류응력의 상관관계에 대해 알아보았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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