• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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• pp.22.2-22.2
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• 2011

Si 나노와이어를 합성하는 다양한 방법들 중에서 Si 기판을 나노와이어 형태로 제작하는 무전해 식각법은 쉽고 간단하기 때문에 최근 많은 연구가 진행되고 있다. 무전해 식각법을 이용한 Si 나노와이어는 p 또는 n형의 전기적 특성을 갖는 Si 기판의 도핑농도에 따라 원하는 전기적 특성을 갖는 나노와이어를 얻을 수 있을 것이라는 기대가 있었지만 n형으로 제작된 나노와이어의 경우 식각에 의한 표면의 거칠기 때문에 그 특성을 나타내지 못하는 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 무전해 식각법을 이용하여 p와 n형 나노와이어를 합성하고 field-effect transistors (FETs) 소자를 제작하여 각각의 특성을 구현하였다. 나노와이어와 절연막 사이의 계면 결함을 최소화하기 위하여 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 나노와이어를 삽입시킨 형태로 소자를 제작하였고, 특히 n형 나노와이어의 표면을 보다 평평하게 하기 위하여 열처리를 진행 하였다. 이렇게 각각의 특성이 구현된 나노와이어를 이용하여 soft-lithography 공정을 통해 complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) 구조의 인버터 소자를 제작하였으며 그 전기적 특성을 평가하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.141-141
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• 2003

전기-광 효과를 이용한 광변조기, 스위치 등의 소자 구현을 위해 고품질의 Ti:LiNbO$_3$ 광도파로 제작은 필수적이다. LiNbO$_3$ 광도파로는 양자교환(APE) 및 Ti 확산 법으로 제조할 수 있으며 전자의 경우 ne 는 증가, no는 감소되는 경향이 있어 편광도 파로의 제작에 용의하며 후자의 경우 ne 와 no 모두 증가하는 도파로 특성을 갖는다. 이러한, 도파로 소자의 특성 향상을 위해서는 Li out-diffusion 이 억제된 손실이 적은 도파로 제작이 필수적이다. 본 연구에서는 Ti 내부 확산법을 이용한 LiNbO$_3$ 광도파로를 확산분위기를 조건으로 하여 제작하였으며, 온도에 따른 각 이온의 반응 메커니즘에 관하여 관찰하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2010년도 추계학술대회
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• pp.311-314
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• 2010

본 논문에서는 밀리미터파 대역 전파특성 분석용 샘플홀더 제작을 위하여 전파의 도파이론을 정립하고 밀리미터파 W-bnad(75 GHz ~ 110 GHz) 주파수 대역에 알맞은 도파관형 샘플홀더를 설계 및 실 제작하였다. 그리고 제작된 샘플홀더를 테스트하기 위하여 샘플시료를 제작하여 재료정수 및 전파흡수능을 측정하고 분석하였다. 분석결과 샘플시료 특성을 정확하게 측정할 수 있음을 확인하였으며, 향후 이 측정 샘플홀더는 밀리미터파 대역 전파특성 분석을 위해 매우 유용하게 쓰일 수 있을 것이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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• pp.24.2-24.2
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• 2010

고분자 몰드를 이용한 nanoimprint lithography (NIL)는 고분자소재의 유연성과 투명성으로 인하여, 유기전자소자나 유연한 디스플레이소자 등 다양한 응용이 가능하다. 하지만, 고분자소재는 일반적으로 열저항성과 내구성이 낮아서, 고분자 몰드를 이용한 패턴형성 시, 자외선 경화방식이 주로 사용된다. 만약 복제가 쉽고, 가격이 저렴하며, 열저항성과 내구성이 강한 고분자 몰드를 제작한다면, thermoplastic-NIL 기술에 적용할 수가 있기 때문에, 고온을 요구하는 소자의 패턴형성 공정에 사용 가능하다. 본 연구에서는 이러한 고분자 몰드 제작을 위하여, 열저항성과 내구성이 강한 polyimide 필름과 polyurethane acrylate (PUA)를 기반으로 제작된 resin을 이용하였다. 먼저 Polyimide 필름 위에 자외선 노광을 사용하여, PUA resin 을 경화시킴으로써 패턴을 형성하였다. 이렇게 만들어진 몰드를 thermoplastic-NIL기술에 적용함으로써, Si 기판 위에 sub-마이크로 급 패턴을 형성하였다. 또한, 제작된 고분자 몰드를 사용하여 반복적인 NIL 공정을 수행함으로써 몰드의 내구성을 확인하였으며, 곡면 기판 위에 NIL을 함으로써 몰드의 유연성을 확인 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.408-411
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• 2003

최근 활발하게 연구가 진행되고 있는 마이크로 인덕터는 자기 데이터 저장을 위한 헤드, 자기장 센서, 마이크로 변압기와 휴대폰의 수동 소자와 같은 다양한 분야에 이용되고 있다. 마이크로 인덕터를 제작하기 위해 UV-LIGA 공정을 개발하였다. 도금 공정을 이용하여 마이크로 인덕터의 철심과 구리선 제작하였다. 도금 공정을 위해 필요한 마이크로 몰드는 여러 종류의 thick photoresist를 이용하여 저응력 공정으로 제작하였다. 도금 공정을 이용하여 toroid형 마이크로 인덕터를 제작하였다. 도금 공정에서 발생 할 수 있는 응력을 최소화할 수 있는 공정을 개발하였다.

• 기계저널
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• 제18권2호
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• pp.84-89
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• 1978

공작기계의 수입현황을 볼때 76년에 7200만불로 수입의존도가 78%가 달하고 있으며, 81년도에는 35%로 감소시킬 게획으로 있다. 한편 공작기계 보유현황은 현재 4만천대중 선반의 35.6%인 1만 6천7백만이며 공작기계중에서 가장 많은 수를 점하고 있다. 이 실적을 감안하고 또 품질향상을 위한 기술적인 면에서 그 제작기술의 향상을 설계면, 제작가공면, 재료면에서 재검토되어야 할 것이다. 품질수준을 살펴보면 선반에 있어서 76년도 생산실적 3천316대중 1급이 1,300대이며 이것 은 39.2%에 불과하다. 2급 17.5%, 불합격이 1%이며 여타 42.3%(1400대)는 검사도 받지 않은 상 태에 상거래가 이루어진 것이다. 77년 2월말 현재에서 선반 1급합격율이 45%, 2급합격율이 36%, 불합율이 6%이며, 여타 13%는 검사에 불응하고 있다. 특히 밀링머신인의 검사결과는 매우 불량 한 것으로 나타났으며, 양과 또 질에서 더욱 높은 수준의 것이 요구되는 이때, 이에 대처하기 위한 설계, 재료, 제작기준을 설정하여, 각 제작회사의 기술진으로 하여금 그지침을 제시하는데 본기준의 목적이 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.29-32
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• 1996

AlGaAs/GaAs 에피 구조와 제조 공정에 사용될 마스크를 설계 및 제작하여, 이를 이용하여 다양한 크기의 HBT를 제작하였다. 제작될 소자의 특성에 영향 을 미치는 공정에 대해서는 단위 공정을 수행하여 발생될 수 있는 문제점들을 사전에 제거하고, 안정된 공정 조건을 확립하도록 하였다. 금속의 저항성 접촉특성 향상을 위한 단위 실험 결과, n형 및 p형 금속에 대하여 각각 3.5$\times$$10^{-6}$-$ extrm{cm}^2$와 1.0$\times$$10^{-5}$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항 특성을 얻었다. 또한, 제작된 HBT는 HP4145B 와 HP8510C의 장비를 이용하여 DC 및 AC 특성을 측정하였는데, 에미터 크기가 3$\times$10um$^2$인 소자의 경우, $\beta$=51, f$_{T}$= 42GHZ 및 f$_{max}$=19GHz의 특성을 얻었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.171-174
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• 2006

본 연구에서 새로 합성한 적색 도판트 Red-1을 Physical vapor Deposition (PVD) 법을 이용하여 다층구조의 유기 발광 다이오드를 제작하였다. 적층된 유기물 층으로 정공주입층은 4,4',4"-tri [2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine(2-TNATA) 정공 수송층으로4-4bis [N-(1-napthyl-N-phenyl-amino)biphenyl] (NPB)를 사용하였으며 전자 수송층은 tris (8-quinolinolato)-aluminum ($Alq_3$), 발광층에서의 host 재료로 사용한 물질은 $Alq_3$. 4,4'- N-N'-dicarba zole-biphenyl (CBP), 게스트재료는 Red-1, 정공저지층으로 2,9-dimethyl-4, 7-diphenyl -1 10-phen antroline (BCP), 전자 주입층으로는 lithiumquinolate (Liq)를 사용하여 보다 향상된 전기적, 발광특성을 보이는 소자를 제작하였다. 전하를 주입하는 전극으로 일함수가 큰 투명전극인 ITO (indium-tin-oxide)를 양전극으로, Al을 음전극으로 사용하였다. 그리하여, 발광층 내에서의 host재료 $Alq_3$와 CBP와의 energy transfer의 관점에서 그 특성을 연구하였다.

• Composites Research
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• 제14권1호
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• pp.15-21
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• 2001

고강성 카본 섬유 복합재료의 높은 비강성을 이용하여 가압 롤러를 설계·제작하였다. 롤러 제작을 위한 최적의 적층 순서는 유한요소해석을 통해 얻어졌으며, 고무코팅층의 형상은 롤러의 축 길이를 따라 필름에 가해지는 균일 압력에 대해 계산되어진 변형에 근거하여 결정하였다. 제작된 가압 롤러의 정적 변형을 해석결과와 실험적으로 비교하였으며, 그것의 동적 독성은 진동 시험을 통하여 측정하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.180-180
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• 2003

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)은 DRAM(Dynamic Random Access Memory)in 커패시터 재료을 상유전체 물질에서 강유전체 물질로 대체하여 전원 공급이 차단되어도 정보를 기억할 수 있고, 데이터의 고속처리가 가능하고 저소비전력과 집적화가 뛰어난 차세대 메모리 소자이다. 본 연구에서는 n-Well/P-Si(100) 기판위에 $Y_2$O$_3$ 박막을 중간층 (buffer layer)으로 사용하여 (Bi,La) Ti$_3$O$_{12}$ (BLT) 강유전체 박막을 졸-겔 방법으로 형성하여 MFM(I)S(Metal Ferroelectric Metal (Insulation) Silicon) 구조의 커패시터 및 전계효과형 트랜지스터(Field Effect Transistor) 소자를 제작하였다. 제작된 소자에 대해 형상학적, 전기적 특성을 조사, 분석하였다.