본 연구에서는 최근, 전기자동차 및 소형 레저용 선박을 중심으로 연구가 진행 중인, 대용량 이차전지의 용량 증대를 위하여 필요한 내부 전극 접합 기술에 관하여 연구하였다. 종래의 초음파 용접으로 적층할 수 있는 적층량의 한계를 극복하기 위한 방안으로 전극 소재에 직접 가열을 통한 용접 방법이 아닌 용가제 금속을 적용하여 전극을 접합시켜, 통전성과 인장강도를 증대시킴과 동시에 열적요인으로 인한 전극표면에 화학적 활성물질의 변성을 최소화할 수 있는 저온 접합 방법에 대하여 연구하였다. 부연하여 용접을 위하여 무리하게 출력을 상승시킬 경우 용접열의 영향으로 전극의 변형 및 활성물질의 변성을 야기함과 동시에 최종 페키징 이후 출력저하, 발열 등, 배터리의 안정성을 저하시키는 요인으로 작용한다. 따라서 본 연구에서는 고주파 유도가열을 통한 유도 가열 방식의 접합 방법과 용융 도금을 통한 용가제 금속의 전처리를 통한 종래와는 차별화된 전극접합 방법을 소개한다.
Kim, Seon-Myeong;Lee, Yeong-Cheol;Jeong, Deok-Yang;Kim, Young-Bum
The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
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v.21
no.1
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pp.17-23
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2009
Purpose: In treating head and neck cancer, it is very important to irradiate uniform dose on the junction of the bilateral irradiation field of the upper head and neck and the anterior irradiation field of the lower neck. In order to improve dose distribution on the junction, this study attempted to correct non uniform dose resulting from under dose and over dose using the field-in-field technique in treating the anterior irradiation field of the lower neck and to apply the technique to the treatment of head and neck cancer through comparison with conventional treatment. Materials and Methods: In order to examine dose difference between the entry point and the exit point where beam diffusion happens in bilateral irradiation on the upper head and neck, we used an anthropomorphic phantom. Computer Tomography was applied to the anthropomorphic phantom, the dose of interest points was compared in radiation treatment planning, and it was corrected by calculating the dose ratio at the junction of the lower neck. Dose distribution on the junction of the irradiated field was determined by placing low-sensitivity film on the junction of the lower neck and measuring dose distribution on the conventional bilateral irradiation of the upper head and neck and on the anterior irradiation of the lower neck. In addition, using the field-in-field technique, which takes into account beam diffusion resulting from the bilateral irradiation of the upper head and neck, we measured difference in dose distribution on the junction in the anterior irradiation of the lower neck. In order to examine the dose at interest points on the junction, we compared and analyzed the change of dose at the interest points on the anthropomorphic phantom using a thermoluminescence dosimeter. Results: In case of dose sum with the bilateral irradiation of the upper head and neck when the field-in-field technique is applied to the junction of the lower neck in radiation treatment planning, The dose of under dose areas increased by 4.7~8.65%. The dose of over dose areas also decreased by 2.75~10.45%. Moreover, in the measurement using low-sensitivity film, the dose of under dose areas increased by 11.3%, and that of over dose areas decreased by 5.3%. In the measurement of interest point dose using a thermoluminescence dosimeter, the application of the field-in-field technique corrected under dose by minimum 7.5% and maximum 17.6%. Thus, with the technique, we could improve non.uniform dose distribution. Conclusion: By applying the field-in-field technique, which takes into account beam divergence in radiation treatment planning, we could reduce cold spots and hot spots through the correction of dose on the junction and, in particular, we could correct under dose at the entry point resulting from beam divergence. This study suggests that the clinical application of the field-in-field technique may reduce the risk of lymph node metastasis caused by under dose on the cervical lymph node.
자동차 차체와 같은 박판을 접합하기 위해서 인버터 DC 저항 점 용접공정은 매우 널리 사용되어지고 있다. 이는 교류 용접에 비해 적은 전류로 용접이 가능하고, 더 넓은 적정 용접 영역을 가지며, 보다 적은 전극마모를 가지는 인버터 DC 저항 점용접의 특성에 기인한다. 아울러 최근에는 파워 소자와 같은 인버터 구성에 필요한 구성 요소의 가격이 낮아져, 전반적으로 용접기의 가격이 하락하였고, 구성 장치에 대한 신뢰성이 증가하였으며, 기존보다 전력의 사용량이 감소하여 인버터 DC 저항점 용접공정의 사용이 더욱 증가하고 있는 상황이다. 또한 차량의 경량화에 대한 요구가 증가함에 따라 고 장력 강판의 적용이 확대되고 있다. 이러한 재료의 우수한 용접을 위해 인버터 DC 저항 점 용접시스템의 개발이 더욱 활발하게 이루어지고 있다. 하지만 인버터 DC 저항 점용접 시스템을 구성하더라도 모재의 특성이 전류 파형에 영향을 주게 되어, 정 전류 제어가 적용되지 못하면 전류 파형이 불안정해지게 되고 원하는 전류가 발생되지 않게 되어 스패터가 발생하거나, 용접 품질에 영향을 줄 수 있게 된다. 본 연구에서는 인버터 DC 저항 점용접 시스템을 구성하고, 정 전류의 제어를 위한 퍼지 제어 알고리즘을 개발하여 적용하였다. 퍼지제어기의 환산 계수를 최적화하기 위해서 유전 알고리즘을 적용하였으며, 실험에는 고장력강을 대상으로 정 전류 용접 공정을 수행하였다.
저항 점 용접은 1930년대에 Thomson에 의해 방법이 제안된 이후로 자동차, 전자, 항공기, 철도산업등에서 박판 금속(sheet metal)의 접합에 가장 널리 사용되고 있는 공정이다. 특히 자동차 차체와 같이 대부분 박판으로 구성되는 구조물에서는 저항 점 용접의 사용 범위가 매우 넓기 때문에 자동차 산업에서는 가장 기본적인 근본 기술 중의 하나로 인식되고 있다. 보통 자동차 한대를 생산하는데 소요되는 저항 점 용접 타점은 3000~4000개 정도로 자동차 차체 용접 공정의 대부분을 차지하고 있다. 또한 로봇과 연동된 자동화 공정으로 적용되고 있다. 최근의 자동차 차체를 구성하는 금속 재료가 자동차의 경량화, 친화경 소재의 사용자의 요구로 인해 새로운 강판이 사용된다. 자동차의 연비 향상을 위해서 다른 방법보다 자동차의 무게를 감소시키는 것이 가장 효율적이고, 쉽기 때문에 고장력 강판의 사용이 급속하게 증가하고 있다. 뿐만 아니라 차제의 부식성, 내마모성 향상을 위해 도금 처리된 강판의 사용도 활발하게 이루어지고 있다. 최근에 도장 공정 감소를 위해 도금 처리위에 도료 착색을 용이하게 하는 도료의 일부를 금속 표면에 처리된 강판의 개발도 진행되는 등 금속 소재의 변화가 다양하게 진행되고 있다. 이러한 새로운 강종은 기존의 AC 용접이나 DC 용접으로는 용접성 확보에 어려움을 가지고 있어, 새로운 저항 점 용접 공정의 연구 개발이 필요하다. 본 연구에서는 저항 점 용접 공정의 개선을 위해서 인버터 저항 점 용접기에서 용접 공정 중 전류를 제어하기 위한 효율적인 제어기 개발 방법과 개발된 제어기를 바탕으로 용접 중에 용접부의 품질을 예측하여, 용접 전류 및 가압력을 실시간 제어하여 안정적인 용접부의 품질을 갖질 수 있는 지능형 저항 점 용접기의 적응 제어기를 개발하는데 있다.
Kim, Hae-Mi;Yun, Jun-Ho;Choi, Yearn-Ik;Jo, Jung-Yol
Proceedings of the KIEE Conference
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2008.10a
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pp.127-128
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2008
Baliga는 구형 PN 접합에 대한 해석적인 항복전압을 유도하였으며, 이 식은 ${\gamma}(r_j/W_{pp})$ 값이 1보다 큰 구간에서 구형 접합의 항복전압이 원통형 및 평면형 항복진압 보다 큰 값을 가지게 된다. 기본적으로 구형 접합의 한복전압이 원통형과 평면형 접합의 항복전압보다 클 수 없기 때문에 이는 명백한 오류이다. 이 오류는 식을 구하는 과정에서 소수점 두 자리를 무시하고 계산을 하였기 때문임을 밝혀냈으며, 또한 이러한 작은 실수가 구형 접합의 항복전압에 미치는 영향이 지대할 수 있다는 결과를 보고하고자 한다.
The InAs multi-quantum dots (MQDs) solar cell and InGaAs multi-quantum wells (MQWs) solar cell to cover 1.1 eV and 1.3 eV were designed by 1D poisson, respectively. The MQDs and MQWs of 5, 10, 15 layers were grown by molecular beam epitaxy. The photo luminescence results showed that the 5 period stacked MQDs have the highest intensity at around 1.1 eV with 57.6 meV full width at half maximum (FWHM). Also we can observe 10 period stacked MQWs peak position which has highest intensity at 1.31 eV with 12.37 meV FWHM. The density and size of QDs were observed by reflection high energy electron diffraction pattern and atomic force microscope. Futhermore, AlGaAs/GaAs sandwiched tunnel junctions were modified according to the width of GaAs layer on p-type GaAs substrates. The structures with GaAs width of 30 nm and 50 nm have backward diode characteristics. In contrast, tunnel diode characteristics were observed in the 20 nm of that of sample.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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