• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.17 no.6
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• pp.226-231
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• 2007

High frequency loss property of nanocrystalline amorphous ribbon with a high resistivity insulation layer of $TiO_2$ and $SiO_2$ was studied. The insulation layer was fabricated by sol-gel method using dip-coating. The optimum composition ratio of metal alkoxide and slurry for fabrication of insulation layer was established and insulation layer with high adhesion was coated on the nanocrystalline amorphous ribbon. Frequency loss of magnetic core material manufactured on nanocrystalline amorphous ribbon with the surface insulation layer decreased over 40 % compared with that of magnetic core material without surface insulation layer. The insertion loss of an inductive coupler, which was prepared by using magnetic core material coated insulation layer, decreased due to reduction of frequency loss for magnetic core material and insertion loss decreased in proportion to frequency.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.3
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• pp.237-241
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• 2000

The structural, electrical and etching characteristics of Al alloy thin film with low impurity concentrations AlNd deposited by using do magnetron sputtering deposition are investigated for the applications as gate bus line in the TFt-LCD panel. And ITO thin film was deposited on AlNd, then the contact resistance was measured by Kelvin resistor. The deposited thin films show the decrease of resistivity and the increase of grain size after the RTA at $300^{\circ}C$ for 20 min. Moreover, the resistivity of AlNd does not show appreciable grain size dependence after RTA. It is concluded that the decrease of resistivity after RTA is due to the increase of grain size. The annealed AlNd is found to be hillock free. The etching profiles of AlNd was good and the minimun contact resistance was about $110\;{\mu\Omega}cm$. Calculation results reveal that the AlNd (2wt.%) thin film can be applicable to 25" SXGA class TFT-LCD panels.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.1045-1046
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• 2006

최근 반도체 및 FPD 산업에서 Glass의 사이즈, 무게의 증가함에 따라 물류 이송 장비의 전원장치인 비접촉 전원장치의 크기와 용량이 증가하는 추세이며, 또한, 클린룸의 규모가 커짐에 따라 물류 이송 장비 시스템의 길이가 길어지고 Vehicle의 수가 증가하는 추세이다. 본 논문에서는 여러 대의 Vehicle간 독립제어가 가능하고, 물류 이송 장비의 구조가 직선부분과 곡선부분이 혼용되어진 구조에서도 사용 가능한 정전류 비접촉 전원장치의 주요 전력변환 토플로지 별 해로해석, 제어방법을 제시하였고 특히 직 병렬 공진 컨버터의 회로해석, 특성평가를 행하였다. 이 특성평가를 바탕으로 정전류 비접촉 전원장치의 시제품을 제작하여 저항성 부하와 선형 구동 시스템에 적용한 Vehicle 2대를 부하로 사용하여 실험을 행하여 실제 적용, 가능함을 보이고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1999.05a
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• pp.38-38
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• 1999

매설배관은 도로 혹은 철길올 횡단하는 경우와 같이 굴착에 의한 시공이 불가능한 경우에 압업관을 사용하여 시공하며 이러한 압업관은 배관이 토양의 하중으로부터 안 전하게 유지되도록 하는 기능도 한다. 압엽관은 배관과 접촉이 되지 않도록 절연체 를 배관과의 사이에 삽업올 하도록 규정되어 있는데 여러 가지 이유로 배관과 접촉이 되기도 한디 배관과 압업관이 전기적으로 접촉되면 배관을 방식하기 위한 방식전류 를 압입관에 빼앗기게 되고 압업관 내부의 배관은 비방식 상태에 놓이게 되어 부석이 일어날 가능성이 높다. 본 연구는 실제 매설배관 현장에서 배관과 압입관의 접촉여부 에 대하여 조사한 방법 및 결과에 대한 것이다. 본 연구에서는 압업관의 접촉여부를 확인하기 위하여 다음과 같은 방법을 사용하 였다. 첫째. 배관과 압입관의 방식선위를 단순하게 측정하는 것이다. 배관과 압업관 의 전위가 같은가 다른가를 측정하는 방법이다. 둘째, 배관의 방식전류를 on, off하면서 배관과 압입판의 전위거동을 살펴보는 것이다. 셋째, 배관과 압업관을 언위적으로 접촉시켜 흐르는 전류량을 확인함으로써 접촉여부를 확인할 수 있었다. 넷째 배관을 따라 흐르는 방삭전류량을 측정하였다. 이상과 같은 방법을 사용하여 배판과 접촉된 압압관을 확인할 수 있었다. 접촉된 압입관에서 접촉지점을 확인하기 위하여 배관과 압입관 사이에 전류를 인가하고 압입 관의 양단의 배판 사이의 전위 변화를 측정하여 그 전위변화값과 인가한 전류값을 통 하여 계산된 저항올 배관의 길이로 환산하여 대략적인 접촉지점을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.73-77
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• 2002

Characteristics of Cu/Si/Cu ohmic contacts to n-type 4H-SiC were investigated systematically. The ohmic contacts were formed by rf sputtering of multi layer Cu/Si/Cu sputtered sequentially. The annealings were peformed With 2-Step using RTP in vacuum ambient. The specific contact resistivity($\rho$c), sheet resistance(Rs), contact resistance(Rc), transfer length(L$_{T}$) were calculated from resistance(R$_{T}$) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. Best results were obtained for a sample annealed at vacuum as $\rho$c = 1.0x10$^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$, Rc = 2$\Omega$ and L$_{T}$ = 1${\mu}{\textrm}{m}$. The physical properties of contacts were examined using XRO and AES. The results showed that copper silicide was formed on SiC and Cu was migrated into SiC.o SiC.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.106-106
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• 2003

반도체 소자의 고집적화에 따라 채널길이와 배선선 폭은 점차 줄어들고, 이에 따라 단채널효과, 소스/드레인에서의 기생저항 증가 및 게이트에서의 RC 시간지연 증가 등의 문제가 야기되었다. 이를 해결하기 위하여 자기정렬 실리사이드화(SADS) 공정을 통해 TiSi2, CoSi2 같은 금속 실리사이드를 접촉 및 게이트 전극으로 사용하려는 노력이 진행되고 있다. 그런데 TiSi2는 면저항의 선폭의존성 때문에, 그리고 CoSi2는 실리사이드 형성시 과도한 Si소모로 인해 차세대 MOSFET소자에 적용하기에는 한계가 있다. 반면, NiSi는 이러한 문제점을 나타내지 않고 저온 공정이 가능한 재료이다. 그러나, NiSi는 실리사이드 형성시 NiSi/Si 계면의 산화와 거침성(roughness) 때문에 높은 누설 전류와 면저항값, 그리고 열적 불안정성을 나타낸다. 한편, 초고집적 소자의 배선재료로는 비저항이 낮고 electro- 및 stress-migration에 대한 저항성이 높은 Cu가 사용될 전망이다. 그러나, Cu는 Si, SiO2, 실리사이드로 확산·반응하여 소자의 열적, 전기적, 기계적 특성을 저하시킨다. 따라서 Cu를 배선재료로 사용하기 위해서는 확산방지막이 필요하며, 확산방지재료로는 Ti, TiN, Ta, TaN 등이 많이 연구되고 있다.

• Geophysics and Geophysical Exploration
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• v.5 no.1
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• pp.23-32
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• 2002

Capacitively-coupled resistivity (CCR) system is known to be very useful where galvanic contact to earth is impossible, such as the area covered with thick ice, snow, concrete or asphalt. This system injects current non-galvanically, i.e., capacitively to earth through line antenna and measures potential difference in a same manner. We derived geometric factor for two types of antenna configuration and presented the method of processing and converting the data obtained with CCR system suitable to conventional resistivity inversion analysis. The CCR system, however, has limitations on use at conductive area or electrically noisy area since it is very difficult to inject sufficient current to earth with this system as with conventional resistivity system. This causes low SM ratio when acquiring data with CCR system and great care must be taken in acquiring data with this system. Additionally the uniform contact between line antennas and earth is also crucial factor to obtain good S/N ratio data. The CCR method, however, enables one to perform continuous profiling over a survey line by dragging entire system and thus will be useful in rapid investigation of conductivity distribution in shallow subsurface.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.358-359
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• 2012

최근 분극 특성이 상이한 무분극 GaN 에피성장에 관한 심도 있는 연구와 함께 전자-전공 캐리어의 주입 및 캐리어의 거동, 방출되는 편광 특성 및 다양한 물리적 특성들에 대해 보고되고 있으며, 광학적 특성 및 물리적 특성의 확보를 위한 많은 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. GaN의 ohmic 접촉(ohmic contact)의 형성은 발광 다이오드(light emitting diode), 레이저 다이오드(Laser), 태양전지(solar cell)와 같은 고신뢰도, 고효율 광전자 소자를 제조하기 위해서는 매우 중요하다 [2]. 그러나 이와 함께 병행 되어야 할 무분극 p-GaN 의 ohmic contact에 관한 연구는 많이 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 r-plane 사파이어 기판 상에 성장된 p-GaN에서의 ohmic 접촉 형성 연구를 위하여 Ni/Au ohmic 전극의 접촉저항 특성을 연구하였다. 본 실험에서는 성장된 a-plane GaN의 Hole농도가 $3.09{\times}1017cm3$ 인 시편을 사용하였다. E-beam evaporation 장비를 이용하여 Ni/Au를 각각 20 nm 그리고80 nm 증착 하였으며 비접촉저항을 측정하기 위해 Circle-Transfer Length Method (C-TLM) 패턴을 사용하였다. 샘플은 RTA (Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 $300^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도를 변화시키며 전기적 특성을 비교하여 그림 1(a) 나타내었다. 그림에서 알 수 있듯이 $400^{\circ}C$에서 가장 낮은 비접촉저항 값인 $6.95{\times}10-3{\Omega}cm2$를 얻을 수 있음을 발견하였다. 이 때의 I-V curve 도 그림1(b)에 나타낸 바와 같이 열처리에 의해 크게 향상됨을 알 수 있다. 그러나, $500^{\circ}C$ 이상 온도를 증가시키면 다시 비접촉 저항이 증가하는 것을 관찰하였다. XRD (x-Ray Diffraction) 분석을 통하여 $400^{\circ}C$ 이상열처리 온도가 증가하면 금속 표면에 $NiO_2$가 형성되며, 이에 따라 오믹특성이 저하 된다고 사료된다. 또한 $Ni_3N$의 존재를 확인 하였으며 이는 nonpolar surface의 특성으로 인해 nitrogen out diffusion 현상이 동시에 발생하여 계면에는 dopant로 작용하는 질소 공공을 남기고 표면에 $Ni_3N$을 형성하여 ohmic contact의 특성이 저하되기 때문인 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.293-293
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• 2013

최근 디스플레이산업이 발달하면서 투명전도성 물질에 대한 산업의 요구도가 높아지고 있다. ITO투명전도성 박막은 낮은 비저항과 우수한 식각특성을 가지고 있어 평면표시소자, 광소자, 터치패널 그리고 가스 센서 등 다양한 분야에 응용되고 있으며 디스플레이 소자가 소형화 되어감에 따라 박막의 다기능화가 요구되고 있다. 본 실험에서는 전기적 특성과 친, 발수특성을 동시에 가지는 다기능성 ITO 박막을 연구하였다. RIE방식으로 식각을 통하여 Poly Si-wafer 표면에 미세구조를 만든 기판과 Slide Glass기판에 RF-magnetron sputtering 방법을 이용해 ITO박막을 증착하여 비교분석 하였다. ITO박막 증착시 $100{\sim}400^{\circ}C$ 열처리와 산소를 사용하지 않고 Ar 가스만을 사용하여 실험한 후 열처리온도에 따른 전기적 특성 및 접촉각에 대하여 조사하였다. 3 uL의 Di-water를 사용하여 접촉각을 측정한 결과 $400^{\circ}C$ 열처리가 된 Poly si-wafer 위에 증착된 ITO 박막에서 초-친수 특성을 나타냈으며, 그 위에 PTFE을 증착하였을 경우 12 uL의 Di-water를 사용하여 약 $150^{\circ}$ 이상의 초-발수 특성을 나타내었다. 전기적 특성은 $5.8{\times}10^{-4}$의 비 저항을 나타내었다. 이러한 전기적 특성과 친 발수 특성을 동시에 가지는 ITO 박막은 Anti-Fogging, self-Cleaning, Solar cell 및 디스플레이소자 등 다양한 산업에 이용 가능할 것으로 생각된다.

• Journal of the korean Society of Automotive Engineers
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• v.17 no.3
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• pp.11-18
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• 1995

본 논문에서는 주철 라이너를 삽입한 알루미늄 블럭 엔진 개발과정에서 주조 불량이 발생하였을때, 냉각계에 일어나는 제반 현상을 분석하고, 이를 해결해 나가는 과정을 기술하였다. 이를 위하여 주철 블럭과 알루미늄 블럭을 장착한 엔진의 피스톤 온도와 블럭의 열유속, 열정산을 측정하였다. 측정한 결과는 다음과 같다. 1. 알루미늄 블럭 제작시 주철 라이너와 알루미늄 블럭 사이에 공기층이 크거나, 용탕 충진이 불완전한 주조 불량이 발생하면 열접촉 저항이 커져 엔진 열전달 경로에 큰 영향을 준다. 2. 알루미늄 블럭 제작시 주조 불량이 발생하면 피스톤에서 라이너로의 전열량이 줄어듦에 따라 냉각수로의 전열량은 감소하는데, 6,000rpm, 전부하에서 알루미늄 블럭의 출력 대비 냉각수로의 방열량의 비는 38.3%이고, 주철 블럭은 44.1%이다. 3. 알루미늄 블럭 제작시 주조 불량이 발생하면, 피스톤 온도가 15-20.deg.C 정도 상승하여 피스톤 손상을 유발시킬 수 있다. 4. 알루미늄 블럭의 주조가 완벽하게 되어 주철 라이너와 알루미늄 몸체 사이에서의 열접촉저항이 없어지면, 스토로크 방향에 따른 금속면 온도 분포가 균일하게 된다. 5. 실린더 라이너의 주조상태 개선없이 오일젯을 사용한 결과 피스톤의 온도를 만족할 만한 수준으로 감소시켰다. 6. 6000rpm, 전부하에서 오일젯 적용시 출력 대비 냉각수로의 방열량의 비가 38.3%에서 36.2%로 감소하고, 출력대비 오일로의 방열량의 비는 9.6%에서 11.2%로 증가한다. 7. 오일젯 작용시 오일 펌프의 용량 증대와 오일 쿨러의 장착이 필수적이다.