• 한국정밀공학회지
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• 제17권4호
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• pp.155-162
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• 2000

전해 인프로세스 드레싱(ELID)의 응용기술로써 간헐적 드레싱(ELID II) 및 무전극 드레싱(ELID III)이 원통내면 마무리 연삭에 이용되고 있다. 주철본드(CIB-D) 및 메탈레진본드 다이아몬드 숫돌(HRB-D)이 이 방식들에 사용되고 있다. 경면 가공에 있어서 이 두방식은 미립의 숫돌이용으로 일반연삭기에 정밀부속 장치의 보완없이 이용될 수 있다. ELID II 연삭에서 CIB-D숫돌은 파이프 형상의 전극에 의하여 간헐적으로 드레싱되고, 반면에 MRB-D 숫돌은 인프로세스 드레싱 되며 전극은 필요로 하지 않는다. 본 연구에서는 ELID II 및 ELID III 방식에 있어서, 연삭조건 및 연삭입자크기에 대한 연삭특성을 비교검토 하였다. 그 결과, ELID II, III방식 공히 대단히 작은 표면거칠기를 갖는 경면이 얻어짐을 확인하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제16권1호통권94호
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• pp.18-25
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• 1999

Chipping is an unavoidable phenomenon in the slot grinding process of hard and brittle materials. However, it should be reduced for the improvement of surface integrity in the manufacture of optical and semiconductor components. Electrolytic In-process Dressing (ELID) technique for metal bonded superabrasive grinding wheel has been developed for mirror surface grinding of hard and brittle materials. Electrically dressed wheel surface has sharply exposed abrasives and results in lower grinding force, higher grinding efficiency in grinding. The paper deals with a newly developed method for slot grinding using ELID and was implemented to improve grooved surface quality and decreases chipping size on the edge of the groove. As a result, we accomplished chipping-free grooves and obtained the clear ground surfaces on glass and WC.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.48-52
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• 1995

Chipping is an unavidable phenomean in the slot grinding process of hard and brittle materials. However,it should be reduced for the improvement of surface integrity in the manufacture of optical and semiconductor components. Electrolytic In-process Dressing (ELID) technique for metal bonded superabrasive grinding wheel has been developed for mirror surface grinding of hard and brittle materials. Electrically dressed wheel surface has sharply exposed abrasives and results in lower grinding force, higher grinding efficiency in grinding. The paper deals with a newly developed method for slot grinding using ELID and was implemented to improve grooved surface quality and decreases chipping size on the edge of the groove. As a result, we accomplished shipping-free grooves and obtained the clear ground sufaces on glass and tungsten carbide.

• 한국공작기계학회:학술대회논문집
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• 한국공작기계학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.410-415
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• 2003

Electrolytic In-process Dressing (ELID) technique for metal bonded diamond grinding wheel has been developed for mirror surface grinding of hard and brittle materials. This study process optical glass in using Electrolytic In-process Dressing. In using to main variable wheel speed (400rpm~2000rpm),feed rate (5$\mu\textrm{m}$/min~25$\mu\textrm{m}$/min),depth of cut (3$\mu\textrm{m}$~5$\mu\textrm{m}$),dressing and spray. We measured surface roughness in representative brittle materials

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1993년도 추계학술대회 논문집
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• pp.161-165
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• 1993

최근 산업의 발달과 함께 제품의 고정도화,다양화,생산성 향상등의 요구에 의해 연삭가공에 있어서도 고능률.고정도가공이 주목되고 있다. 특히 반도체산업,광산업 등에 넓게 응용되고 있는 광학소자 가공에서는 가공정도와 가공능률이 동시에 달성되는 것에 대한 요구가 많지만, 이러한 광학소자의 가공에 있어서 기존의 연마방법은 가공정도와 가공능률에 한계가 있었다. 그런데 연삭가공에서 고능률,고정도가공의 한가지 방법으로 "전해 인프로세스드레싱(Electrolytic In-Process Dressing;ELID)연삭법"이 개발되어 고강도 메탈본드숫돌에 의한 초경합금,세라믹재료등의 경취성재료를 고품위 가공하고 있다. ELID연석법이란 숫돌의 다이아몬드나 cBN등의 연삭입자를 결합하고 있는 금속결합재를 전기분해에 의해 적당량 제거하여 일반적인 연삭과 같이 연삭입자를 연속적으로 돌출시켜 가공이 유지되도록 하는 연삭방법이다. 본 연구는 ELID연삭기술을 이용하여 원통연삭에서 철갈재료 및 세라믹재료의 고능률.고정도 가공특성을 살펴보았다. 원통연삭에서의 주철파이바본드숫돌 및 코발트본드숫돌에 의한 ELID연삭과 비트리파이드본드숫돌에 의한 일반연삭과의 고능률 가공특성을 비교하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제17권3호
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• pp.122-128
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• 2000

세라믹, 다이야몬드등과 같은 고경질재료에 대한 미소형상의 가공은 대단히 어렵고 일반적인 방법으로는 상당한 시간을 요구한다. 이러한 재료의 고능률 가공을 실현하기 위하여, 메탈본드 다이야몬드휠에 전해 인프로세스 드레싱(Electrolytic In-Process Dressing)을 적용한 연삭을 머시닝센타에서 시도하였다 본 연구에서, 메탈본드 다이야몬드휠은 전기방전에 의하여 고능률로 트루잉(truing)되었다. 알루미나 세라믹의 핀선단($\phi$50$\mu\textrm{m}$)과 로커웰 경도측정기의 다이야몬드 압입자(indenter)($\phi$40$\mu\textrm{m}$)를 ELID연삭에 의하여 창성하였다. 그 결과를 본 논문에서 보고한다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1995년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.108-112
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• 1995

최근, 제품의 다양화, 생산성향상 등의 요구에 의해 소성가공 분야인 압연가공에 있어서도 절삭가공에서와 같이 고능률, 고정도가공이 주목되고있다. 본 연구에서는 온라인 압연롤 그라인딩(On-line Roll Grinding :ORG)법에 전해인프로세스드레싱법(ELID)을 적용하여 압연롤의 경면가공을 수행하고 최종적으로 경면압연을 수행함을써 압연품의 고부가가치화를 이루고자 한다. 이를 위해 ELID법을 적용한 ORG를 제시하여 압연기에 설치하고 정압 연삭으로 압연롤의 경면가공을 실현하며, 압연시발생하는 흠집을 고능률로 제거하기 위한가공능률 평가를 중심 으로 검토하고자 한다.

• 한국정밀공학회지
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• 제12권8호
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• pp.99-105
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• 1995

This paper provides a highly efficient grinding for ferrous materials using ELID-grinding method. The grinding efficiency using ELID gring method with CIFB-cBN wheel and CB-cBN wheel is compared with general grinding method with V-cBN wheel. This paper measured grinding ratio for plunge grinding and grinding resistance for traverse grinding in order to investigate grinding ability. The results show that ELID grinding methods is useful for the high efficient grinding of ferrous materials.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2000년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.599-602
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• 2000

A new dressing technique with utilizes electrolytic phenomenon for realizing effective mirror surface grindings with metal bonded super-abrasive wheels is called “Electrolytic In-process Dressing Grinding”. This technique enabled metal bonded micro-grain wheels, such as micro-grain cast iron fiber bonded wheels, to be used for mirror surface finish processes effectively. But this technique requires a lot of knowledge and experience to perform. And the condition of dressing is variable according to the time. Therefore adaptation of Monitoring and Control technique is needed.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.53-56
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• 1995

Electrolytic In-Process Dressing grinding technique which enables application of metal bond wheels with fine superabrasives in mirror surface grinding operations has developed. This paper provides charateristic evaluation of power supply supply that we developed and general charateristics of ELID grinding. The electric behaviors are compared each about two different electrode which has 1/4, 1/6 the area of entire wheel surface, and two different fluids which has 1:50, 1:30 the quantity of water was used to dillute grinding fluids. The results show that ELID grinding method is useful for mirror surface machining.