Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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2002.04a
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pp.127-130
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2002
섬유공업에서 섬유원료단계의 세정을 출발로 실 및 직물제조 단계를 거쳐 제조된 직물의 가호, 탈호, 정련ㆍ표백, 염색ㆍ가공 공정 등의 모든 공정에 수세공정이 포함되어 있다. 이러한 공정에는 많은 양의 물이 사용될 뿐만 아니라 환경 오염의 원인이 되는 약제들 또한 다량 사용되므로, 섬유공업의 발전 초기단계부터 부수적으로 발생되는 환경 폐수를 줄이거나, 오염 물질의 발생을 유발하지 않는 방법에 대하여 활발한 연구가 이루어져 왔으나 현재까지도 크게 실효를 거두지 못하고 있다. (중략)
핵연료의 가공공정에서 발생하는 스러지를 건식처리공정으로 회수 정제할 수 있는 건식처리 방법에 대하여 논의하고자 하였다. 건식처리방법은 수용액을 전혀 사용하지 알기 때문에 폐기물의 발생량이 습식처리방법에 비해 훨씬 줄어든다. 산화우라늄은 고온의 용융염중에서 염소개스에 의해 염소화반응을 통하여 우라늄염화물을 생성되게 되어 이들은 전기적으로 이동이 가능한 형태로 바뀌므로 전극에 선택적으로 전착될 수 있기 때문에 다른 금속이온과 분리할 수 있다. 본 보고서에서는 산화우라늄의 염소화공정, 전착공정에 대하여 기술하였고 전착된 산화물의 물리적 특성에 대하여 요약하였다.
This study investigated the effect of surface pretreatment, which removes native Cu oxides on Cu seed layer, on subsequent Cu electro-/electroless deposition in Cu interconnection. The native Cu oxides were removed by using citric acid-based solution frequently used in Cu chemical mechanical polishing process and the selective Cu oxide removal was successfully achieved by controlling the solution composition. The characterization of electro-/electrolessly deposited Cu films after the oxide removal was then performed in terms of film resistivity, surface roughness, etc. It was observed that the lowest film resistivity and surface roughness were obtained from the substrate whose native Cu oxides were selectively removed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.88-88
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2007
Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 그 어원에서 알 수 있듯이 슬러리의 화학적인 요소와 웨이퍼에 가해지는 기계적 압력에 의해 결정되는 평탄화 기술이다. 최근, 금속배선공정에서 높은 전도율과 재료의 값이 싸다는 이유로 Cu률 사용하였으나, 디바이스의 구조적 특성을 유지하기 위해 높은 압력으로 인한 새로운 다공성 막(low-k)의 파괴와, 디싱과 에로젼 현상으로 인한 문제점이 발생하게 되었다. 이러한 문제점을 해결하고자, 본 논문에서는 Cu 표면에 Passivation layer를 형성 및 제거하는 개념으로 공정시 연마제를 사용하지 않으며, 낮은 압력조건에서 공정을 수행하기 위해, 전해질의 농도 변화에 따른 선형추의전압전류법과 순환전압전류법을 사용하여 전압활성화에 의한 전기화학적 반응이 어떤 영향을 미치는지 연구하였다.
The experiment was carried out to fabricate alumina membrane which has a cylindrical pore structure by anodizing aluminium plate in sulfuric acid solution with the electrochemical technique. The aluminium plate for anodizing was prepared by the pretreatment process such as chemical, electro-polishing and thermal treatment. The pore size distribution and the film thickness of alumina membrane were investigated by the implementation of scanning electron microscope(SEM) and BET method. The results show that the oxide film has a geometrical structures like a Keller model and that the membrane has a uniform pore distribution. The pore size and the oxide film thickness are dependent on the anodizing process variables such as the electrolyte concentration, the reation temperature and the anodizing current density.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.22
no.2
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pp.298-303
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2013
Magnetic abrasive polishing is one of the most promising finishing methods applicable to complex surfaces. Nevertheless this process has a low efficiency when applied to very hardened materials. For this reason, EP-MAP hybrid process was developed. EP-MAP process is expected to machine complex and hardened materials. In this research, deburring process using EP-MAP hybrid process was proposed. EP-MAP deburring process is applied to micro channel, thereby it can obtain both deburring process and polishing process. EP-MAP deburring process on the micro channel was performed. Through design of experiment method, error of height in this process according to process parameter is analyzed. When the level 1 parameter A(magnetic flux density) and level 2 parameter B(electric potential), C(working gap) and level 3 parameter D(feed rate) are applied in the deburring process using EP-MAP hybrid process, it provides optimum result of EP-MAP hybrid deburring process.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2012.11a
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pp.153-153
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2012
금은 양호한 전기적 특성 및 높은 연성과 퍼짐성을 갖고, 화학적 안정성도 우수하기 때문에 전자부품의 배선재료, 접점재료뿐만 아니라 우주왕복선의 박막 방어막으로도 사용되고 있다. 도금두께 제어가 우수하고, 수조의 관리가 용이하기 때문에 오래전부터 인쇄회로기판 분야에서도 최종표면처리(Surface Finish)에 적용되고 있다. 최근 전자부품이 다시 고밀도화가 추진되고, 미세 배선회로가 증가함에 따라 무전해 도금 보다 균일전착 막을 얻을 수 있는 전해금 도금공정이 요구되고 있다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2012.05a
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pp.136-136
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2012
최근 전자제품의 크기가 소형화, 고성능화 되어감에 따라 전자제품을 구성하는 부품 크기도 작아지고, 배선의 피치 또한 미세화 되고 있다. 따라서 패키징 과정도 미세하고 정확한 제어를 필요로 하게 되었으며, 전해도금을 통한 정밀 패키징 공정이 도입되고 있다. 그러나 기존에는 패키징용 메인기판과 부품을 연결하는 솔더는 기존의 Sn-Pb 조성의 납을 포함하는 소재가 사용되었다. 하지만 납의 환경적 문제에 의해 사용을 금지하게 된 상태로 이를 대체하기 위한 무연 조성의 솔더가 연구되고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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