• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.208-209
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• 2001

광굴절 결정은 실시간 홀로그램 기록 소자, 영상 증폭, 광교환, novelty filter등의 다양한 광정보 처리 영역에서 사용되어진다 광굴절 결정이 가지고 있는 여러 물리적인 현상들은 이미 잘 설명되어져 있지만, 아직까지 이해되지 않은 현상들도 적지 않다. 이동격자(grating translation technique) 방법을 사용한 광굴절 결정의 이광파 혼합실험에서 발견되는 공간 전하장의 감쇄 진동도 그 중의 하나이다. (중략)

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.7
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• pp.1266-1274
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• 2006

A non-overlap boosted-clock charge pump(NBCCP) with internal pumping capacitor, an advantageous circuit from a minimizing point of TFT-LCD driver IC module, is proposed in this paper. By using the non-overlap boosted-clock swinging in 2VDC voltage, the number of pumping stages is reduced to half and a back current of pumping charge from charge pumping node to input stage is also prevented compared with conventional cross-coupled charge pump with internal pumping capacitor. As a result, pumping current of the proposed NBCCP circuit is increased more than conventional cross-coupled charge pump, and a layout area is decreased. A proposed DC-DC converter for TFT-LCD driver IC is designed with $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS process and a test chip is in the marking.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.11a
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• pp.133-136
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• 2004

AC PDP의 구동방법 중 가장 대표적인 구동 법이라 할 수 있는 ADS 구동 법은 구현이 비교적 용이하고, 안정적인 구동특성으로 인하여 현재 많은 상용 AC PDP의 구동 법으로 널리 채택되고 있다. 본 논문은 현재 AC PDP의 주요 연구 분야 중에 하나인 고속 어드레싱에 관한 새로운 구동파형을 소개하였다. 기존 AD을 구동법은 초기화구간과 어드레스구간 그리고 유지구간이 명확히 분리되어 있어 FULL- HD급 화면을 구현하기 위해서 어드레싱에 소비되는 시간의 감소가 불가피하다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 어드레스 펄스폭을 줄여주지만, 이로 인하여 불안정한 어드레싱을 초래하게 된다. AC PDP의 초기화 구간의 파형은 이후의 어드레스 특성에 중요한 영향을 끼치는데, 초기화간에 형성된 priming 입자는 어드레스 방전에 크게 도움을 준다. 본 논문은 초기화구간이 끝난 후 priming 효과가 급격히 떨어지는 80us이후에 벽전하 형성을 돕는 벽전하 가속펄스의 사용으로 짧은 어드레스 펄스폭으로 인한 불안정한 어드레싱을 보완하고, 어드레스 과정 후 유지방전 모드로의 벽전하의 형성을 빠르게 유도할 수 있어 1us의 짧은 어드레스 폭으로도 안정적인 어드레싱을 수행할 수 있도록 하였다.

• Journal of Korean Orthopaedic Sports Medicine
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• v.10 no.2
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• pp.78-85
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• 2011

Purpose: To evaluate the usefulness of computerized tomography (CT) for the diagnosis and the fragment fixation of anteroinferior tibiofibular ligament avulsion fracture in ankle fracture. Materials and Methods: We retrospectively studied 108 patients with an ankle fracture who had been checked with plain radiographs and CT from July 2006 to July 2010. They were divided into two groups; patients with (19 patients) and without (89 patients) an avulsion fracture of anteroinferior tibiofibular ligament. The two groups were evaluated with Lauge-Hansen classification, the energy of trauma, and the radiologic indices for syndesmotic injury, and were compared each other. Average follow up periods of two groups were 25 and 23 months each. Those who were unstable at stress test during surgery were divided into fragment fixation of anteroinferior tibiofibular ligament avulsion fracture group (8 patients) and transfixation one (11 patients) according to treatment method. Clinical and radiological results at last follow up were also compared. Results: Fourteen avulsion fractures of anteroinferior tibiofibular ligament were diagnosed by CT only. Incidences of pronation-external rotation injury, high energy trauma, positive radiologic indices for syndesmotic injury were significantly higher in patients with an avulsion fracture of anteroinferior tibiofibular ligament than those without it. Clinical and radiological results were satisfactory in both groups at last follow up, and were not significantly different between them. Conclusion: In patients who have an ankle fracture by pronation-external rotation injury, high energy trauma, or with positive radiologic indices for syndesmotic injury, CT is useful for diagnosis of an avulsion fracture of anteroinferior tibiofibular ligament. Fragment fixation of anteroinferior tibiofibular ligament avulsion fracture is a useful treatment option for syndesmotic injury.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.10a
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• pp.319-321
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• 2003

본 연구에서는 electron acceptor로서 널리 이용되는 viologen의 전하 이동에 대하여 연구하였다. 자기조립법을 이용하여 단분자막을 형성하였으며, 그 형성과정은 수정진동자의 공진주파수와 공진저항을 이용하여 실시간으로 분석하였다. 두 단계의 가역적인 산화환원 반응시의 전하 이동을 정량적, 정성적으로 분석하기 위하여 전기화학 분석 방법 중 cyclic voltammetry법을 행하였으며, 단분자막이 형성된 수정진동자를 작업전극으로 사용하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.228-228
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• 2011

낮은 공정비용과 높은 집적도를 가지는 플래시 메모리 소자에 대한 휴대용기기에 응용가능성때문에 연구가 필요하다. 플래시 메모리 중에서도 질화막에 전하를 저장하는 전하 포획 플래시 메모리 소자는 기존의 부유 게이트 플래시 메모리 소자에 비해 공정의 단순하고 비례축소에 용이하며 인접 셀 간의 간섭에 강하다는 장점으로 많은 관심을 갖게 되었다. 소자의 크기가 작아짐에 따라 전하 포획 플래시 메모리 소자 역시 인접 셀 간의 간섭현상과 단채널 효과가 문제를 해결할 필요가 있다. 본 연구에서는 인접 셀 간의 간섭을 최소화 시키기 위하여 metal-oxide-nitride-oxide-silicon (MONOS) 플래시 메모리 소자에 bit-line 방향으로 금속 공간층을 삽입할 구조를 사용하였으며 금속 공간층의 깊이에 따른 전기적 성질을 비교하였다. 게이트 길이는 30 nm, 금속 공간층의 깊이를 채널 표면에서부터 4 nm~12 nm까지 변화하면서 TCAD 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 전기적 특성을 계산하였다. 금속 공간층의 깊이가 채널표면에 가까워 질수록 fringing field가 증가하여 드레인 전류가 증가하였고, 금속 공간층의 전기적 차폐로 인해 인접 셀의 간섭현상도 감소하였다. 금속 공간층이 표면에 가까이 위치할수록 전하 저장층을 감싸는 면적이 증가하여 coupling ratio가 높아지기 때문에 subthreshold swing 특성이 향상되었으나, 금속 누설전류가 증가하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.18 no.2
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• pp.27-35
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• 1981

In this study, a numerical theory based on space charge overlapping model and experiments on the propriety of its theory were carried out to analyze the switching transient characteristic in amorphous coalcogenide thin film. Theoretical and experimental as well as analytical investigations were carried out on the switching behaviour in a transient state arising from a voltage pulse applied to amorphous chalcogenide thin films at room temperature. The results can be explained in terms ot a simple theoretical model of the electronic characteristics of switching. The injection of carriers are necessary to initiate the switching action and injected carriers contribute to the current flow as a space-charge limited current(SCLC) The proposed charge controlled switching characteristics can be explained by double injection space charge overlapping model.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.100.1-100.1
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• 2015

중이온가속기에서 잔류기체 분자와 가속 이온의 충돌이 발생하면 이온빔 전류의 손실을 야기하는 직접적인 효과 외에 잔류 기체분자 중에서 전리된 이온들이 반발력에 의해 용기 벽에 부딪힐 때 표면에 흡착되어 있던 기체분자들을 충격탈리(stimulated desorption)시킨다. 더 심각한 경우는 산란된 고속 이온이 용기 벽과 충돌하면서 핵반응을 일으켜 방사화 시키거나 벽에서 다량의 기체를 방출시키는 것이다. 최악의 경우에는 고속이온의 에너지에 의해 용기벽이나 부품들이 열적인 손상을 입을 수도 있다. 현재 설계 및 연구개발이 진행중인 기초과학원(IBS) RISP (Rare Isotope Science Project)의 RAON 중이온가속기는 입사기에서 실험영역까지 각 부분의 진공도 조건이 일반적으로 10-8~10-9 mbar 대에 있어서 이온빔 전류의 손실이나 전리 이온들에 의한 충격탈리는 무시할 수도 있지만 고속이온의 기체방출 수율이 ~104 정도로 높은 것을 감안할 때 고속이온의 충격탈리에 의한 압력 증가가 감내할 수준인지 검토할 필요가 있다. 압력증가는 추가적인 손실을 유발하고 이것은 다시 압력을 상승시키는 진공 불안정성(vacuum instability)을 야기할 수 있다는 축면에서 조심하는 것이 좋다고 판단된다. 고속 중이온과 잔류기체 분자와의 충돌에서 이온이 손실되는 반응에는 쿨롬(coulomb) 산란과 전하교환(charge exchange)이 있는데 전자는 후자에 비해 일반적으로 1/10000 가까이 낮아서 무시할 수 있고, 전자 포획(electron capture) 또는 전자 손실(electron loss, 이온의 전리에 해당)로 대별되는 전하교환 반응이 이온 손실을 주도하는 것으로 알려져 있다. 이 연구에서는 다양한 전하교환 반응 단면적을 아우르는 비례칙(scaling law)을 사용하여 대표적인 중이온인 U33+ 및 U79+의 손실 및 잔류 기체의 전리율을 계산하고 충격탈리에 의한 표면방출 및 압력상승을 일차적으로 고려하여 진공도 조건의 타당성을 입증하려고 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.383-383
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• 2012

전자소자 및 광전소자의 최적화 조건을 확립하기 위해 반도체 나노양자구조의 물리적 현상에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 반도체 양자세선은 일차원 구조의 기초 물리 특성 관찰과 소자로서의 응용 가치가 높다. 양자세선을 사용한 단전자 트랜지스터, 공명터널 다이오드, 발광다이오드, 광탐지기 및 레이저 소자 제작과 관련한 연구가 활발히 진행 중에 있다. 나노양자구조들 중에서 양자우물과 양자점에 대한 실험적 및 이론적 연구가 많이 진행되었으나, 복잡한 공정 과정과 물리적 이론의 복잡함으로 양자세선에 대한 연구는 상대적으로 미흡하다. 양자세선을 이용한 전자소자와 광전소자의 효율을 증진하기 위해서는 양자세선의 전자적 성질에 대한 연구가 중요하다. 본 연구에서는 InAs/InP 양자세선에 대한 기저상태와 여기상태의 전하분포, 부띠천이 및 전자적 성질을 고찰하였다. 가변 메시 유한 차분법을 이용하여 양자세선의 이산적 모델을 확립하여 변형효과가 양자세선 구조에서 부띠에 영향을 주는지 조사하였다. 변형효과와 비포물선효과를 고려한 슈뢰딩거 방정식을 사용하여 변형 포텐셜을 계산하였으며 양자세선의 포텐셜 변화를 관찰하였다. 양자세선의 포텐셜 변화에 따라 전하구속분포, 에너지 준위 및 파동 함수를 계산하였다. 기저상태의 부띠 간에 발생하는 천이와 여기상태의 부띠 간에 발생하는 부띠 간의 엑시톤 천이 에너지 값을 계산하였다. 계산한 부띠 에너지 천이 값이 광루미네센스로 측정한 엑시톤 천이와 잘 일치하였다. 이 결과는 양자세센의 이차원적인 전자적 구조를 이해하고 양자세선을 사용하여 제작된 전자소자 및 광전소자의 전자적 성질을 연구하는데 도움을 주며, 저전력 나노양자소자를 제작하는 기초지식을 제공하는 중요한 역할을 할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.74-74
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• 2011

최근 새로운 형태의 디스플레이에 관한 관심이 집중되고 있다. 이들 중 특히 투명 산화물 반도체는 기존의 실리콘 기반의 반도체에 비해 가시광 영역에서 높은 투과도를 보이며, 또한 기존의 비정질 실리콘 소자에 비해서 10 cm2/Vs이상의 높은 전하 이동도 값을 가진다. 본 연구에서는 투명 산화물 반도체 소재 중 InGaZnO4를 사용하여 펄스 레이저 방법으로 Al2O3 (0001)기판 위에 비정질 상태인 a-InGaZnO4 박막을 성장 시켰다. 박막의 증착 온도를 변화(RT, $50^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $550^{\circ}C$)시켜 성장된 박막의 구조적, 화학적, 전기적 그리고 광학적 특성을 조사하였다. 증착 온도가 $450{\sim}550^{\circ}C$ 사이에서 박막의 상태가 비정질(amorphous)에서 polycrystalline으로 성장되는 것을 X-Ray Diffraction과 Field Emission-Scanning Electron Microscope를 이용하여 확인하였고 이는 InGaZnO4 박막의 결정화 온도가 $450^{\circ}C$ 이상임을 알 수 있었다. X-ray Photoelectron Spectroscopy를 통해서 target 물질과 성장된 박막의 조성 및 화학적 상태를 고찰한 결과, 박막의 결정성 변화가 화학적 상태 변화와는 무관하다는 사실을 알 수 있었다. 온도 의존 비저항 측정을 통해 박막이 반도체 성향을 가지는 것을 확인 하였다. 또한 Hall 측정 결과 증착 온도가 올라 갈수록 전하 밀도는 증가 하지만, 전하 이동도는 다결정 박막($550^{\circ}C$)에서 급격히 감소하고, 이로 인해 비저항 값이 크게 증가함을 알 수 있었다. 이는 다결정 박막 내 존재하는 grain boundary들이 이동도 값에 영향을 준다는 것으로 추측할 수 있다. Ultra violet-Visible-Near Infrared 측정을 통해 가시광 영역에서 80%이상의 투과율을 나타내며 증착 온도가 증가함에 따라 에너지 밴드갭(Eg)이 커지는 것을 확인 할 수 있는데 이는 Hall 측정 결과에서 확인한 전하 밀도의 증가로 인해 에너지 밴드갭이 커지는 Burstein-Moss 효과로 설명할 수 있다.