• 제목/요약/키워드: 전저항

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혁신저항 모형에 기반한 손목형 웨어러블 디바이스의 수용의도 연구 - 혁신특성, 소비자 특성, 혁신저항을 중심으로 (A Study of Intention to Use Wrist-worn Wearable Devices Based on Innovation Resistance Model - Focusing on the Relationship between Innovation Characteristics, Consumer Characteristics, and Innovation Resistance)

  • 신재권;이상우
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.123-134
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    • 2016
  • 웨어러블 디바이스는 사람과 사물, 그리고 공간이 연결된 사물인터넷 가상세계가 다가오면서 전 세계로부터 주목받고 있다. 하지만 웨어러블 디바이스 시장 활성화는 기대에 비해 다소 지연되고 있다. 웨어러블 디바이스의 확산을 위해서는 소비자에게 존재하는 저항을 완화시켜 소비자의 저항을 극복하는 노력이 필요하다. 본 연구에서는 웨어러블 디바이스 시장에서 가장 수요가 높은 손목형 웨어러블 디바이스에 초점을 맞추어, 혁신저항이 혁신특성과 소비자특성 변인을 매개하여 손목형 웨어러블 디바이스의 수용의도에 어떠한 영향을 미치는지 살펴보았다. 연구 결과, 소비자가 인지하는 손목형 웨어러블 디바이스의 혁신 특성 요인 중 상대적 이점, 개선된 혁신기대, 복잡성, 재정적 위험, 신체적 위험 등이 혁신저항에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 또한, 소비자 특성요인 중 혁신성향과 기존 아날로그 시계 제품태도가 혁신저항에 유의한 영향을 미치고, 혁신저항이 혁신특성과 소비자특성을 매개하여 수용의도에 영향을 미치는 것으로 나타났다.

이원계 $SiO_2$$TiO_2$ 박막의 저항 변화 특성 (Resistance Switching Characteristics of Binary $SiO_2\;and\;TiO_2$ Films)

  • 박인성;김경래;안진호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.15-19
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    • 2006
  • 이원계 산화막인 비정질 $SiO_2$와 다결정 $TiO_2$의 저항 변화 특성을 연구하였다. Metal-Insulator-Metal의 저항 소자를 형성하여 전압 sweep에 의한 I-V를 측정하여 저항 상태를 확인하였다. 즉, 낮은 저항 상태 (LRS) 와 높은 저항 상태 (HRS) 의 두 가지 저항 상태가 존재하였으며, LRS는 전압에 의한 절연체의 불완전한 breakdown 후에, HRS는 전압에 의한 negative differential resistance 후에 각각 나타났다. LRS의 경우에는 Ohmic 전도 mechanism에 의해서, HRS의 경우에는 Schottky contact에 의한 potential barrier의 생성이 저항 상태를 결정한다고 제안하였다. 즉, potential barrier의 생성과 소멸이 두 저항 상태를 형성한다고 할 수 있다. 유전율이 높은 $TiO_2$$SiO_2$에 비하여, 낮은 동작 특성 전압을 나타내었으며, 1 V에서의 저항비도 높았다.

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WN 박막을 이용한 저항 변화 메모리 연구

  • 홍석만;김희동;안호명;김태근
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.403-404
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    • 2013
  • 최근 scaling down의 한계에 부딪힌 DRAM과 Flash Memory를 대체하기 위한 차세대 메모리(Next Generation Memory)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 PRAM (phase change RAM), RRAM (resistive RAM), STT-MRAM (spin transfer torque magnetic RAM) 등이 차세대 메모리로써 부상하고 있다. 그 중 RRAM은 간단한 구조로 인한 고집적화, 빠른 program/erase 속도 (100~10 ns), 낮은 동작 전압 등의 장점을 갖고 있어 다른 차세대 메모리 중에서도 높은 평가를 받고 있다 [1]. 현재 RRAM은 주로 금속-산화물계(Metal-Oxide) 저항 변화 물질을 기반으로 연구가 활발하게 진행되고 있다. 하지만 근본적으로 공정 과정에서 산소에 의한 오염으로 인해 수율이 낮은 문제를 갖고 있으며, Endurance 및 Retention 등의 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 본 연구진은 산소 오염에 의한 신뢰성 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 다양한 금속-질화물(Metal-Nitride) 기반의 저항 변화 물질을 제안해 연구를 진행하고 있으며, 우수한 열적 안정성($>450^{\circ}C$, 높은 종횡비, Cu 확산 방지 역할, 높은 공정 호환성 [2] 등의 장점을 가진 WN 박막을 저항 변화 물질로 사용하여 저항 변화 메모리를 구현하기 위한 연구를 진행하였다. WN 박막은 RF magnetron sputtering 방법을 사용하여 Ar/$N_2$ 가스를 20/30 sccm, 동작 압력 20 mTorr 조건에서 120 nm 의 두께로 증착하였고, E-beam Evaporation 방법을 통하여 Ti 상부 전극을 100 nm 증착하였다. I-V 실험결과, WN 기반의 RRAM은 양전압에서 SET 동작이 일어나며, 음전압에서 RESET 동작을 하는 bipolar 스위칭 특성을 보였으며, 읽기 전압 0.1 V에서 ~1 order의 저항비를 확보하였다. 신뢰성 분석 결과, $10^3$번의 Endurance 특성 및 $10^5$초의 긴 Retention time을 확보할 수 있었다. 또한, 고저항 상태에서는 Space-charge-limited Conduction, 저저항 상태에서는 Ohmic Conduction의 전도 특성을 보임에 따라 저항 변화 메카니즘이 filamentary conduction model로 확인되었다 [3]. 본 연구에서 개발한 WN 기반의 RRAM은 우수한 저항 변화 특성과 함께 높은 재료적 안정성, 그리고 기존 반도체 공정 호환성이 매우 높은 강점을 갖고 있어 핵심적인 차세대 메모리가 될 것으로 기대된다.

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잎마름역병 저항성 육종을 위한 토마토 유전자원의 저항성 평가 (Evaluation of Tomato Genetic Resources for the Development of Resistance Breeding Lines against Late Blight)

  • 김병섭
    • 식물병연구
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    • 제18권1호
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    • pp.35-39
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    • 2012
  • Phytophthora infestans에 의해 발생하는 토마토 잎마름 역병은 전 세계적으로 발생하여 토마토 생산에 막대한 피해를 준다. 이 병의 방제를 위하여 저항성 품종의 이용은 매우 중요하다. 저항성 품종육종의 초기 및 본 육종에서 토마토 유전자원의 저항성 평가는 매우 중요하다. 본 연구는 2009년에 유묘 및 성체식물을 대상으로 78종의 토마토 시판 품종과 계통에 대한 잎마름역병 저항성을 검정하였다. Legend를 포함한 모든 시판 품종은 감수성이지만, California 대학에서 분양 받은 KNU-2, KNU-6-1, KNU-11, KNU-13, KNU-14-1 계통과 저항성 유전자 Ph-3를 가지고 있는 L3708, $AV107-4{\times}L3708$, $07-15{\times}L3708$, $BS67{\times}L3708$$06-9-62A{\times}06-9-62A$ 계통은 고도의 저항성인 것으로 나타났다. 본 연구에서 선발된 토마토 잎마름역병에 고도의 저항성을 가지는 10계통은 저항성 품종육종을 위한 유용한 자원으로 활용될 수 있다.

유선형 형상 개선을 통한 고성능 EMU 열차의 공기저항 저감 연구 (Aerodynamic Drag Reduction on High-performance EMU Train by Streamlined Shape Modification)

  • 권혁빈;홍재성
    • 한국철도학회논문집
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    • 제16권3호
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    • pp.169-174
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    • 2013
  • 고성능 EMU 열차의 형상 개선을 통한 공기저항 저감 효과를 알아보기 위하여 3차원정상 Navier-Stokes 방정식과 2방정식 난류 모델을 이용한 전산유체역학을 이용하여 수치해석을 수행하였다. 전산시뮬레이션에는 FLUENTTM ver.13과 Gambit 2.4.6이 사용되었으며, 기본 형상과 유선형으로 개선된 형상에 대하여 계산을 수행하였다. 또한, 터널 내 주행 시의 공기저항 특성을 살펴보기 위하여 개활지에서의 공기저항 계산도 수행하였으며, 차량 별 공기저항 기여도에 대한 분석도 수행되었다. 유선형으로 개선된 형상의 열차는 절편형 전두부와 돌출된 상부 및 하부구조를 가진 기본 형상 열차에 비하여 약 9.8%의 공기저항이 저감된 것을 확인하였으며, 공기저항 저감에 따른 주행저항의 저감은 시속 80km/h에서 약 4%에 이르는 것으로 나타났다.

조경시공·관리에 사용되는 삼각지지 이동식 사다리의 전도 안정성 확보 대책 - EN131-Part 7 규정을 적용한 국내 삼각지지 이동식 사다리를 대상으로 - (Measures to Ensure Overturning Stability of Tripod Mobile Ladders Used in Landscape Construction and Management - On Tripod Mobile Ladders Used in Korea Subject to EN131-Part 7 -)

  • 이강현;이기열
    • 한국조경학회지
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    • 제52권3호
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    • pp.76-88
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    • 2024
  • 이동식 사다리를 이용한 고소작업은 조경을 포함한 건설업에서 떨어짐 또는 전도 사고의 주요 원인이라고 할 수 있다. 이동식 사다리는 버팀대의 수와 지지 조건에 따라 A형과 삼각지지로 구분되며, A형과 비교하여 3개의 버팀대로만 바닥을 지지하는 삼각지지 이동식 사다리는 상대적으로 전도에 대한 불안정성이 높다고 할 수 있다. 이에 본 연구에서는 국내에서 사용되는 삼각지지 이동식 사다리의 제원과 EN131-Part 7의 전도 안정성 평가 규정을 이용하여 전도가 발생할 수 있는 모든 방향에 대해서 전도 및 저항모멘트 계산식을 유도하여 대상 사다리의 모멘트를 계산하고, 이로부터 방향별 전도 안정성을 평가하였다. 이에 따르면 방향에 따라 차이는 있지만 대부분 8단 이상에서 전도에 대해 불안정한 것으로 나타났다. 이 결과를 바탕으로 삼각지지 이동식 사다리가 전도 안정성을 확보할 수 있도록 사다리의 무게, 깊이 또는 폭과 같은 제원의 변경과 전도방지장치인 아웃트리거를 설치하여 저항모멘트를 확대할 수 있는 대책을 제안하였다. 그러나 이들 대책 중 제원을 변경하는 경우에는 증가되는 크기가 과도하여 적용성이 부족한 반면에 아웃트리거는 최소한의 펼침길이만으로도 전도 안정성을 확보할 수 있으므로 적용이 가능한 현실적인 대책이라고 할 수 있다.

높은 비저항을 갖는 ZnO 박막 증착에 관한 연구

  • 차경환;이규항;조남인;남형진
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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    • pp.47-50
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    • 2006
  • 본 연구에서는 높은 비저항을 갖는 ZnO 박막 증착 방법 및 특성의 안정성 향상 방안을 강구하였다. 그 결과 상온에서 $O_2/Ar$ 비율을 1로 설정하는 것이 최적 조건임을 확인하였다. 또한 열처리 이 전에 30% $H_2O_2$로 처리하는 것이 특성 안정성 향상의 한 가지 방안임을 알 수 있었다. 본 연구의 결과를 토대로 증착조건에 따른 박막특성 변화를 설명하는 모델을 제시하였다.

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자기장하에서 Nb/$AlO_x$//Nb 조셉슨 접합의 거동

  • 김동호
    • 한국초전도저온공학회지:초전도와저온공학
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    • 제4권1호
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    • pp.28-33
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    • 2002
  • 디지털 소자 구현에 가장 기본적인 조셉슨 접합의 특성 중 잘 알려진 특성이 아닌 자기장 하에서 접합의 거동을 살펴보았다. 자기장이 접합면에서 평행하게 걸린 경우에는 임계온도 이하에서도 어느 특정 온도에서 저항이 나타나는데 이는 그 때 접합을 투과하는 자속이 단자속의 정수배가 되는 경우에 해당함을 보였다. 이로부터 초전도 전극의 침투깊이의 크기와 온도의존성을 구할 수 있었다. 자기장이 접합면에 수직하게 걸린 경우에는 자기장이 볼텍스의 형태로 전극에 침투하여 전체접합을 볼텍스의 수로 나누는 역할을 함을 보였다. 이로써 자기장이 증가할수록 저항전이 폭이 증가함을 설명할 수 있었고 이는 고온초전도체의 거동을 이해하는 데에도 사용될 수 있음을 보였다.

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