Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.10
no.4
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pp.65-71
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2003
A new type of ultrasonic spray nozzle was fabricated employing a piezoelectric device. The spray nozzle was designed to disperse chemicals in a water treatment mixing tank. The piezoelectric properties in ultrasonic spray nozzles were optimized to improve the dispersion of chemicals. The piezoelectrics were packaged in an aluminum case with silicone resin for the aqueous solution proof packaging. Chemicals were dispersed with high efficiency and the chemicals consumption was reduced by the ultrasonic fine particle spraying. The concentration of Escherichia coli in mixing tank was decreased remarkably using ultrasonic spray nozzle dispersion compared to the conventional methods.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.42
no.3
s.333
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pp.17-24
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2005
We fabricated PIN-Photodiodes with a single mode fiber for analog communications and analyzed characteristics of the devices. The fabricated PIN-Photodiode shows a bandwidth of 1.5 GHz, a dark current of 20 p4 a capacitance of 0.48 pF, and the responsivity of 0.9 V/W, a second order distortion of -72 dBc. In this paper, we developed a new optical Packaging technology that is aligning in real-time monitoring of both responsivity and IM2 characteristics. As a result responsivity has been improved by 0.03 V/W, and also U has been improved by $3\~5\;dBc$. On the other hand, failure ratio has been reduced by $3.5\%$.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.15
no.2
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pp.69-73
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2008
This article shows that the susceptibility of the device pattern to thermal stress-induced damage has a strong dependence on its proximity to the device comer in semiconductor devices utilizing lead-on-chip (LOC) die attach technique. The result, as explained based on numerical calculation and experiment, indicateds that the stress-driven damage potential of the passivation layer is the highest at the device comer. Thus, the bonding pads, which are very susceptible to passivation damage, should be designed to be located along the central region rather than the peripheral region of the device.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.10
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pp.91-97
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1998
The modulation performance of 10 Gbps electro-absorption InGaAsP/InGaAsP strain compensated MQW (Multiple Quantum Well) modulator module depends on the modulator as well as the package parasitics. The high frequency package parasitics resulting from various structural discontinuities, limit the modulation bandwidth and increase the chirp-parameter. Therefore, we propose the double bondwires embedded in dielectric materials to minimize the bondwire parasitics. Using the proposed structure with 50 $\Omega$ terminating resistor, the modulation bandwidth is greatly increased by 125 % than the bare chip and the chirp-parameter is also reduced. This technique can be used in optimizing the package of high speed external modulators.
Park, Jin-Sung;Choi, Jang-Hyun;Cho, Hyoung-Chul;Yang, Sang-Sik;Yoo, Jae-Suk
Proceedings of the KIEE Conference
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2000.11c
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pp.586-588
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2000
본 논문은 전자 패키징의 방열 성능을 개선하기 위하여 초소형 히트 파이프를 제작하고 열전달 성능을 시험한 결과를 보여준다. IC 칩이 점점 고성능화되고 고집적화되어 감에 따라 발열 문제가 대두되는데, 이 열은 전도만으로는 충분히 소산시킬 수 없고 패키징 표면에 별도의 장치를 장착하는 것은 시스템 소형화의 장애 요소가 된다. 따라서, 고성능 칩 개발을 위한 선결 과제로 고성능 초소형 냉각 장치가 요구되고 있다. 히트파이프는 밀봉된 파이프 내의 2상 유동과 상변화 잠열을 이용하여 열원으로부터 히트 싱크로 열을 효과적으로 전달하는 열교환 장치이다. 본 논문에서는 전자 패키징 내에 집적화할 수 있도록 초소형 히트 파이프 어레이를 제작하여 그 성능을 시험한 결과 증발부의 온도가 $12.1^{\circ}C$ 감소됨을 보인다.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2001.11a
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pp.124-128
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2001
We apply for the first time a low cost and loss wafer level packaging technology for RF-MEMS device. The proposed structure was simulated by finite element method (FEM) tool (HFSS of Ansoft). S-parameter measured of the package shows the return loss (S11) of 20dB and the insertion loss (S21) of 0.05dB.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2002.11a
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pp.79-79
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2002
반도체 패키징 열관리 재료로 널리 사용되는 W-Cu 시스템을 택하여 대면적 양산성이 낮은 기존의 공정과는 달리 테입캐스팅 공정을 적용하여 W-Cu 박판재를 그린 테잎 형태로 제조하여 탈지후 소결하는 저비용 양산화 공정을 개발하였다. 테입 캐스팅, 적층 및 탈지, 소결공정을 거쳐 제조하였고, 이때 탈지 및 소결조건에 따른 미세조직, 소결밀도, 변형등의 물성을 분석함으로써 휨과 변형이 최소화된 W-Cu 박판재를 제조할수 있었다.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.28
no.3
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pp.25-32
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2021
In this paper, the Magneto-Electric(ME) dipole array antenna with dual-polarization in the X-Band is proposed and it is implemented and measured. The proposed array antenna is composed of 32 single ME dipole antenna and a Teflon PCB. 1 × 1 ME dipole antenna is implemented dual-polarization by radiating vertical polarization and horizontal polarization from two pairs of radiators. 2-port feeding structures are realized by lamination process using LTCC. And, each port independently feeds the radiator through a Γ-shaped feeding strip with isolation between ports. The Teflon PCB used in the antenna array has a 4-layer structure, and 2-port is fed through the top and bottom layers. The λg/4 transformer is applied to the transmission line of the Teflon PCB for impedance matching of the arrayed antenna and the Teflon PCB, and the optimal parameters are obtained through simulation. The measured maximum antenna gains of port 1 was 18.2 dBi, Cross-pol was 1.0 dBi. And the measured maximum antenna gains of port 1 was 18.1 dBi, Cross-pol was 3.2 dBi.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.28
no.2
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pp.39-44
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2021
In this paper, two types of BPF(Band Pass Filter) which are hair-pin and interdigital have been designed for millimeter-wave application using two types of material which are LCP(Liquid Crystal Polymer) and PTFE(Polytetrafluoroethylene) and also, their performances such as bandwidth, insertion loss, and in-band flatness are compared. The proposed BPF are designed as third-order filters, and their pass band is from 26.5 GHz to 27.3 GHz. Interdigital BPF using PTFE substrate has most wide -3 dB S21 bandwidth of 7.8 GHz and hair-pin BPF using LCP substrate has most narrow -3 dB S21 bandwidth among the proposed four BPF. For in-band insertion loss, hair-pin BPF using PTFE substrate achieves low insertion loss better than -0.667 dB, and hair-pin BPF using LCP substrate exhibits relatively high insertion loss among the proposed four BPF better than -0.937 dB. However, the maximum difference in insertion loss performance among the proposed four BPF is 0.27 dB, which is too small to negligible. For in-band flatness, interdigital BPF using PTFE substrate shows greatest performance of 0.017 dB, and hair-pin BPF using LCP substrate exhibits the lowest performance of 0.07 dB. There are tiny difference in in-band flatness performance of 0.053 dB. As a results, it is considered that the BPF using LCP substrate can derive the performances similar to that of the BPF using PTFE substrate in Millimeter-wave band.
Kim, Junmo;Kim, Boyeon;Jung, Cheong-Ha;Kim, Gu-sung;Kim, Taek-Soo
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.29
no.3
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pp.25-29
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2022
Recently, the importance of electronic packaging technology has been attracting attention, and heterogeneous integration technology in which chips are stacked out-of-plane direction is being applied to the electronic packaging field. The 2.5D integration circuit is a technology for stacking chips using an interposer including TSV, and is widely used already. Therefore, it is necessary to make the interposer mechanically reliable in the packaging process that undergoes various thermal processes and mechanical loadings. Considering the structural characteristics of the interposer on which several thin films are deposited, thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficients of materials can have a great effect on reliability. In this study, the mechanical reliability of the metal pad for wire bonding on the silicon interposer against thermal stress was evaluated. After heating the interposer to the solder reflow temperature, the delamination of the metal pad that occurred during cooling was observed and the mechanism was investigated. In addition, it was confirmed that the high cooling rate and the defect caused by handling promote delamination of the metal pads.
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