• 제목/요약/키워드: 전자 재결합

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moving-photocarrier-grating 기술을 이용한 디지털 X-선 변환물질 a-Se:As의 수송변수 (Transport parameters in a-Se:As films for digital X-ray conversion material using the moving-photocarrier-grating technique)

  • 박창희;남상희;김재형
    • 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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    • 제28권4호
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    • pp.267-272
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    • 2005
  • moving photocarrier grating 기술을 이용하여 디지털 X-선 변환물질 a-Se:As 필름에서 As 첨가효과에 관하여 연구하였다. 이 방법은 시료를 조사하기 위하여 주파수를 변화시킨 2개 레이저 빔의 중첩으로 얻어진 움직이는 간섭패턴을 이용한다. 시료의 수송변수는 시료에서 변조 방향으로 유도되는 grating-속도에 의존하는 전류밀도로부터 얻어진다. As 첨가에 따른 a-Se 필름의 전자와 정공 이동도 그리고 재결합 수명을 구하였다. 전자의 이동도는 결함 상태 때문에 As 첨가에 따라 감소하는 반면, 특히 a-Se 필름에 0.3% As 첨가할 때 정공 이동도와 재결합 수명이 증가하였다. MPG 기술로 얻은 As가 첨가된 a-Se 필름의 수송성질을 a-Se:As로 제작한 X-선 디텍터의 X-선 감도와 비교하였다. 실험결과 0.3% As가 첨가된 a-Se으로 제작한 X-선 디텍터가 가장 우수한 X-선 감도를 나타내었다.

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PC1D 기반의 재결합 속도 제어를 통한 결정질 태양전지의 최적화

  • 이지성;정우원;이준신
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.257-257
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    • 2009
  • This paper explores a control of recombination velocity for optimization the crystalline solar cell. Using PC1D simulator, the efficiency of crystalline solar cell was measured to be about 17%. The results show that the lower the front recombination velocity is, the more efficiency of crystalline solar cell improves. The work which presented here has profound implications for studies of crystalline solar cell and someday may help solve the problem of optimization for the crystalline solar cells.

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MIMO 채널에서 시공간 블록 코드의 성능 분석 (A performance analysis of Space-time block codes for MIMO Channels)

  • 염호선;김창중;이호경
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.307-310
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    • 2005
  • 우리는 레일리 페이딩 채널에서 다중 전송 안테나를 사용한 전송 방식을 택한 Alamouti 방식의 전송쌍 에러 확률(Pairwise error probability)을 사용해서 시스템의 성능을 분석해 보았다. 데이터는 시공간 블록 코딩을 사용해서 전송 안테나에 n 개의 배열로 전송되어졌다. 각각의 수신안테나의 수신 신호는 채널의 상태에 따라 변형된 n개의 송신 신호들의 선형결합으로 수신된다. 최대 가능도 복호 알고리즘(Maximum likelihood decoding algorithm)은 신호를 다시 재결합하는 간단한 방법을 사용하였다. 이러한 방식은 시공간 블록코드의 직교적인 성질을 이용한 것이고, 수신기에서의 수신신호가 선형결합이라는 것을 바탕으로 한 것이다. 모의실험을 통해서 시공간 블록 코딩을 사용하고, 다중 안테나를 사용한 시스템에서 우리가 분석한 결과를 확인했다.

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청색인광 OLED의 재결합 영역에 관한 연구 (Study on recombination zone of blue phosphorescent OLED)

  • 김태용;문대규
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.305-306
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    • 2009
  • In this study, we have invastigated the recombination zone in the blue phosphorescent organic light-emitting devices with various partially doped structures. The basic device structure of the blue PHOLED was anode / hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) / emittingvastigated the recombination zone in the blue layer (EML) / hole blocking layer (HBL) / electron transport layer (ETL) / electron injection layer (EIL) / cathode. After the preparation of the blue PHOLED, the current density (J) - voltage (V) - luminance (L) and current efficiency characteristics were measured.

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다중물리해석기법에 의한 이온의 해리 및 열특성을 고려한 유전체의 방전해석 (Discharge Analysis in Dielectric Media Considering Ionic Dissociation And Thermal Characteristics Employing Multiphysics Analyzing Technique)

  • 이호영;이세희
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.1584-1585
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    • 2011
  • 분자의 전리(ionization)작용과 이온의 해리(dissociation)작용에 의한 유전체 내 방전해석을 위해서 전자, 양이온, 음이온의 생성과 소멸, 전자부착, 재결합 과정을 포함한 전하연속방정식, 전계에 의한 푸아송 방정식, 유전체 온도에 관한 열확산 방정식을 결합하여 해석하였다. 전계 방출 조건과 열전자 방출 조건이 경계조건으로 부여되었고 에너지 최소화 정류조건을 따르는 유한요소법(finite element method)을 이용하여 해석하였다. 비교적 작은 값을 가지는 확산성을 무시하고 대류성에 역점을 두어 발생하는 수치적 불안정은 인공확산항(artificial diffusion technique)을 도입하여 안정화하였다. 본 논문에서는 IEC standard 60897의 표준규격에 따른 2차원 축대칭 침-구 전극에 적용하여 제안된 다중물리해석기법의 타당성을 입증하였다.

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양자우물 레이저의 캐리어 포획 및 탈출에 따른 광 이득과 광 미분 이득 고찰 (Analysis on the Gain and the Differential Gain due to the Carrier Capture/Escape Process in a Quantum Well Laser)

  • 방성만;정재용;서정하
    • 대한전자공학회논문지TE
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    • 제37권5호
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    • pp.17-27
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    • 2000
  • SCH 양자우물 레이저에서 수치적 모델을 이용하여 캐리어의 양자우물 subband 점유에 따른 광 이득, 광 미분 이득과 재결합 전류를 계산하고, 이를 해석적 캐리어 포획 및 탈출 모델과 연계하여 양자우물 주입 전류와 SCH bulk 캐리어의 관계를 도출하였다. 이를 토대로 SCH 영역과 양자우물의 캐리어 비율과 전류 비율을 얻고, 이에 따른 광 이득과 광 미분 이득의 변화를 고찰하였다.

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효과적인 동적 블록크기를 이용한 움직임 예측 (Motion estimation algorithm with efficient variable block size.)

  • 김재경;공상열;최태선
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 Ⅳ
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    • pp.2359-2362
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    • 2003
  • 본 논문에서는 효과적으로 블록 크기를 변화시키는 움직임 예측에 대하여 제시하고 있다 블록안의 움직임의 정도에 따라 블록 크기를 채택하는 방식으로, 임의의 프레임에서의 블록의 수는 정확한 움직임을 나타내기 위해 변화된다. 이것은 움직임과 보충적인 데이터사이의 비트할당이 가변적이 되고, 프레임에 기초한 전체적인 비트율 역시 변화하게 된다. 특히, 본 논문은 동적 블록 크기 방법의 대표적인 쿼드 트리(quad fee) 방법의 단점을 보완하는 방향에서 연구되었으며, 성능 향상을 위한 새로운 방법도 아울러 덧붙여져 있다. 즉, 보통 사용하는 쿼드 트리 방식의 분할 대신에 각각의 쿼드 부분의 프레임 차를 이용하여 가장 큰 블록의 동질성 테스트를 실시하여 분할한다. 또한, 분할과 재결합 방식을 함께 적용하여 불필요한 블록의 개수가 많아지는 것을 방지하여, 큰 계산량 감소와 높은 이미지 질을 달성하도록 하였다. 자연히, 계산량은 기존 방법보다 약 20-70% 정도 감소했으며, 이미지 질도 크게 향상되는 결과를 가져오게 되었다

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TCAD Simulation을 통한 GaAs태양전지 Base Layer의 물리적 Parameter 및 에너지 효율의 최적화 연구

  • 이충학;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.449.1-449.1
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    • 2014
  • GaAs태양전지는 일반적으로 22%이상의 변환효율을 가지는 차세대 태양전지이다. GaAs태양전지의 변환효율은 태양광이 조사되었을 때, p-type emitter와 n-type base의 p-n접합으로 생기는 Voc, Isc, FF 인자들로 인하여 그 값이 결정되는데, 이때 각 layer의 물리적 parameter에 의해 그 효율이 변한다. 일반적으로는 각 parameter가 증가할 때, 더욱 많은 전자로 인하여, 저 높은 변환효율을 기대할 수 있겠으나, 전자의 재결합이나 mobility의 감소와 같은 이유로 변환효율은 감소 될 수 있다. GaAs태양전지의 base layer의 두께와 도핑농도를 simulation한 결과 두께 $2.6{\mu}m$, 도핑농도 $7{\times}E17cm^{-3}$와 두께 $2.7{\mu}m$, 도핑농도 $8{\times}E17cm^{-3}$에서 25.86%의 가장 높은 에너지 효율을 가짐을 확인 할 수 있었다.

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정공 주입층 특성에 따른 발광층에서의 재결합 영역 변화 (Change of Recombination Zone in Emission Layer by Characteristics of a Hole Injection Layer)

  • 한우미;임은주;이정윤;김명식;이기진
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제14권8호
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    • pp.675-678
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    • 2001
  • We fabricated the organic light emittign diodes (OLEDs) with ITO/Cu-Pc/triphenyl-diamine (TPD)/TPD+tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq$_3$)/Al. The electrical properties of Cu-Pc thin film were studied as a hole injection layer. the energy gap of Cu-Pc thin films is decreased according to the substrate heat treatment temperature increased. It could be controlled the hole mobility by changing the heat treatment condition of Cu-Pc. The emission wavelengths could be controlled by changing hole mobility and recombination zone in emission layer.

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Wet Treatment를 이용한 Nonpolar InGaN/GaN Micro-Column LED Array 개발

  • 공득조;배시영;김기영;이동선
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.395-395
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    • 2013
  • GaN는 LED, 태양전지, 그리고 전자소자 등에 쓰이는 물질로, 관련 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이와 더불어 top-down방식을 활용한 소자제작 방법 또한 발달되고 있다. 하지만, 일반적으로 LED 제작에 사용되는 c-plane GaN의 경우, c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받게되며, 분극은 LED내 양자우물의 밴드를 기울게 하여 전자와 홀의 재결합률을 감소시켜 낮은 내부양자효율을 야기한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 여러 가지 방법들이 제시되었으며, 그 중에서도 a면, 혹은 m면과 같은 nonpolar면을 사용하는 GaN LED가 주목받고 있다. 본 연구에서는, top-down방식을 통해 약 $2{\mu}m$ 크기의 diameter를 갖는 micro-sized column LED를 구현하였으며, 식각 후 드러나는 semipolar면을 wet treatment를 통해 제거하여 nonpolar면을 드러나게 하였으며, 이 면에 Ni/Au를 contact하여, 전기적, 광학적 특성을 논하였다. Fig. 1은 I-V 특성 그래프이며, Fig. 2는 EL측정 결과(광학적 특성)이다.

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