전자현미경을 이용한 단백질 구조분석은 약 30여년간 발전되어 왔다. Bacteriorhodopsin과 porin 등의 near atomic resolution의 구조분석은 전자현미경의 발전과 진행을 보여주는 하나의 예로 설명될 수 있다. 전자현미경을 이용한 거대분자의 3차원 구조를 규명하기 위해 필요한 기본과정 즉, 시료준비, 자료수집과 자료처리 등에 대하여 토론하였다.
개인화된 제품과 서비스에 대한 소비자의 요구는 성공적인 전자상거래 플랫폼을 기반으로 하고 있다. 성공적인 전자상거래 플랫폼을 개발함에 있어 자주 간과되고 있는 중요한 요소는 바로 웹 페이지의 HTML 구조이다. HTML 구조는 전자상거래 웹사이트의 속도와 랭킹을 결정짓는 기본적인 요소이다. 본 논문은 HTML 구조를 분석하기 위한 효율적이고 다소 생소한 시각화 기법을 제안하는데, 이러한 기법을 사용하여 개발자는 잠재적인 프로그래밍 오류와 개선 사항을 발견할 수 있다. 본 논문은 하나의 사례를 이용하여 제안된 기법을 더욱 구체화 시킨다.
편광분석법(ellipsometry)은 대상 물질의 유전율 함수의 실수부와 허수부를 Kramers-Kronig 관계식의 도움 없이 그 물질상수를 정확히 측정할 수 있는 매우 우수한 기술이다. 이 기술의 큰 장점 중 하나는 빛의 편광상태의 변화를 이용한 비파괴적인 방법으로써 실시간 측정이 가능하며, 박막의 두께측정의 오차범위는 0.1 nm 이하로써 매우 정확하다는 것이다. 본 연구자는 이러한 우수한 측정 기술인 편광분석법을 고진공의 분자살박막증착장치(MBE) 와 결합하여 AlSb, AlP의 유전율 함수를 측정하였다. Al 계열을 포함하는 반도체 화합물은 Al의 산소친화력이 강해 대기 중에서 순수한 유전율 함수를 얻기가 불가능하다. 하지만 본 연구실에서 초고진공 상태의 MBE 챔버에서 시료를 성장시키는 동시에 실시간으로 편광분석기를 이용하여 측정하였고, 지금까지 발표된 결과들 중 가장 순수한 상태의 AlSb 유전율 함수를 얻어낼 수 있었다. 또한 순수한 AlP의 유전함수를 측정할 수 있었고, 이는 편광분석기를 이용한 최초의 실험결과로써 이차미분을 이용한 전이점 분석결과 이론적인 전자밴드구조에서 E1, E1+${\Delta}1$, E2에 해당하는 밴드갭들을 확인할 수 있었다. 또한 표면의 원자배열 구조와 실시간으로 일어나는 그들의 역학적인 현상들에 관한 정보를 얻을 수 있는 surface photoabsorption (SPA)를 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)에 장착하여 실시간 모니터링이 가능하도록 하였다. SPA를 이용하여 GaAs/AlGaAs 양자우물구조의 성장을 원자층 수준으로 실시간 모니터링을 할 수 있었다. 그리고 SPA를 이용하여 MOCVD 안에서 InP에 As가 흡착 및 탈착되는 현상을 분석하여, As의 흡착이 두 단계에 의해 이루어짐을 분석하였다. 그리고 편광분석법의 빠르고 정확한 측정 기술을 규칙적인 구조체에서 전자기파의 회절을 구할 수 있는 Rigorous Coupled-Wave Analysis (RCWA) 계산방법과 결합하여 나노구조의 기하학적인 모양을 정확하고 빠르게 구할 수 있었다. 본 연구를 위해 규칙적인 3차원 Si 구조체 제작하여 편광분석기로 측정하고 $SiO_2$와 표면 거칠기를 고려하여 RCWA로 분석한 결과, 규칙적인 Si 구조와 산화막 층까지 정확하게 분석할 수 있음을 확인하였다. 또한 규칙적인 나노구조분석 연구를 넘어 불규칙적인 나노구조에 대한 분석 가능성을 보이기 위해 InAs 양자점을 증착하여 분석하였고, 이를 통해 편광분석법과 RCWA를 이용하여 불규칙적인 나노구조의 모양과 크기, 분포의 분석이 가능함을 보였다.
본 논문에서는 MPEG-2 BC와 AAC의 복호화 과정 중 함성 필터링 과정의 알고리듬을 분석하여 공동된 구조로 연산을 수행한 수 있는 광용 합성 필터 구조에 대하여 논하였다. 제안된 공용 합성 필터 구조는 Regressive 구조를 이용하여 MPEG-2 BC와 AAC의 복호화를 효과적으로 공용 수행하도록 하였다. 제안한 구조는 FFT를 사용할 경우에 필요한 전처리 및 후처리 과정을 고려해주지 않아도 되고 복소수 연산이 아닌 실수연산이 되어 하드웨어 구조가 단순하게 된다. 또한 MPEG-2 AAC의 다양한 윈도우 변환에도 안정적으로 연산되는 구조임을 확인하였다.
점토 광물의 구조 내에 들어 있는 철의 산화수는 퇴적환경의 산화/환원 조건에 대한 정보를 제공하여 준다. 이러한 광물형성의 메커니즘을 밝히기 위해서는 고해상도를 가진 전자현미경을 이용한 나노 스케일 분석이 불가피하다. 투과전자현미경에 장착되어있는 전자에너지 손실분광 분석법(EELS)을 이용하여 정량적 철 산화수 분석을 논트로나이트 점토광물 구조 내 철의 환원으로 인한 K-논트로나이트의 형성의 예를 들어 설명하고자 한다. 철 산화/환원의 정량적 분석을 통하여 퇴적물의 위치에 따른 철 산화도 측정은 광물변화에 대한 연구를 용이하게 해준다. 따라서 본 논문은 전자에너지 손실분광의 분석방법 및 장점을 소개함을 목적으로 한다.
최근에 클라우드 기반으로 가상 네트워크 기능이 더해진 Network Function Virtualization(NFV)이 미래 네트워크 설계에 큰 이슈가 되고 있다. NFV는 클라우드 보다 네트워크 토폴로지가 있고, 정책에 따른 변경이 용이해야 되며, 고가용성이 요구되고, 높은 전송률 처리를 위해 고성능이어야 한다. NFV 전체 구조에서 최상위 제어기인 Orchestrator의 구조와 제품을 분석하고자 한다. NFV 제품으로는 Cyan사의 Blue Planet, HP사의 Director, Ericsson사의 Cortex Service Orchestrator, Telefornica사의 Openmano 등이 있다. 이때 소스와 GUI가 공개 된 Openmano를 분석하여 Orchestrator 이해에 도움이 되고자 한다.
전자문서의 안전한 전송과 법적인 시점확인을 위하여 안전하고. 효율적인 타임스탬프 방법이 요구된다. 된 논문은 H-이진트리에서 작성되는 타임스탬프 구조를 이용하여, 간단하고 효율적인 전자문서 패킷을 작성할 수 있는 프로토콜을 제안한다. 기존 전자서명에이용되고 있는 RSA 프로토콜은 비도면에서 취약하기 때문에, 강한 타임스탬프 구조가 요구된다. 이러한 문제점을 보완하기 위해서 이론적으로 트리구조를 갖는 형태이며 H-이진트리O(logn) 시간복잡도를 갖는, 전자문서에 대한 타임스탬프 프로토콜을 설계하고 기존의 프로토콜 방식과 비교 분석한다.
소프트웨어산업은 대표적인 지식산업이면서 동시에 개인, 기업 및 정부에 이르는 각 경제주체의 지식창출과 활용 그리고 파급에 있어서 핵심적 역할을 하는 21세기 지식정보화 시대의 기간산업으로 다른 산업과 비교할 때 연구개발 및 지적노동의 투입이 월등히 높은 지식집약적인 고부가가치산업이다. 본 연구에서는 소프트웨어가 갖는 속성과 소프트웨어산업이 갖는 경제적 특징에 대해 살펴보고, 우리나라 소프트웨어산업의 현주소에 대한 동향도 살펴보았다. 그리고 소프트웨어 산업의 구조가 어떻게 변해 왔는가에 대해 IT산업을 IT기기산업, IT서비스업, 소프트웨어산업으로 구분하여 산업연관분석을 통해 살펴보았다. 본 연구에서는 2000년, 2005년 그리고 2009년도 산업연관표를 통하여 IT산업내의 소프트웨어 산업에 대한 과거 10년간 구조변화를 비교분석함으로써, 소프트웨어산업 구조변화의 분석결과에 대한 정책적 시사점을 제시하였다.
ZnO 나노구조는 전기적 성질과 화학적인 안정성 때문에 가스센서, 투명 전극 및 태양전지와 같은 전자소자와 광소자에 널리 사용되고 있다. ZnO 박막을 증착하는 방법은 Physical Vapor Deposition과 Chemical Vapor Deposition이 있으나 나노 구조를 가진 SnO2를 형성하기 어렵다. 전기 화학적 증착(Electrochemical Deposition: ECD)은 낮은 온도에서 진공 공정이 필요하지 않기 때문에 경제적이며 빠른 성장 속도를 가지고 있기 때문에 ZnO 나노 구조를 효과적으로 형성 할 수 있다. 본 연구에서는 Indium Tin Oxide (ITO) 기판 위에 ZnO 나노 구조를 형성시켜 전기적 및 구조적 특성을 관찰하였다. 0.1 M zinc nitrate와 0.1 M potassium chloride를 용매에 각각 용해하여 ZnO 나노구조를 성장하였다. ZnO 나노구조를 성장하기 위하여 인가전압을 -0.75 V부터 -2.5 V까지 0.5 V 간격으로 변화하였다. X-선 회절 분석결과에서 ZnO의 피크의 크기가 큰 전기화적적 성장 전압구간과, 주사전자현미경 분석결과에서 나노 구조가 가장 잘 나타난 성장 전압구간을 다시 0.1 V 간격으로 세분화하여 최적화 조건을 분석하였다. X-선 회절 실험으로 형성한 ZnO 나노구조의 피크가 (110) (002)로 나타났다. X-선 회절 분석의 intensity의 값이 (002)방향이 가장 크게 나타났으므로 우선적으로 (002) 방향으로 ZnO 나노구조가 성장됨을 알 수 있었다. 주사전자현미경상은 grain size가 200~300 nm 사이의 ZnO 나노구조가 형성되며, grain size가 전기화학적 증착 장치의 성장전압이 커짐에 따라 커지는 것을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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