• Proceedings of the CALSEC Conference
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• 1997.11a
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• pp.167-184
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• 1997

암호화 기술의 확장성과 비도 측면에서 우수한 공개키 기반 하부구조(Public Key Infrastructure)는 공개키를 보증하는 기반 기술과 인증서의 안전한 사용 기술로 구성되어있으며, 전자상거래의 기본 기술중 하나이다. 이러한 기본 기술 중에는 키 복구(Key Recovery) 및 비밀 분산(Secret Sharing) 기술등이 포함되며, 인증기관(Certificate Authority： CA)을 통한 키 관리 효율성 및 인중 기관과 사용자 간 안전한 정보 교환 기술이 요구된다. 본 논문에서는 인터넷 기반의 전자 상거래 시 사용되는 공개키 기반 하부구조에 대하여 검토 분석한다.

• 정보화사회
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• s.122
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• pp.29-33
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• 1998

상거래의 본질은 어떤 특정 상품이나 서비스의 제공과 이에 상응하는 경제적 가치의 교환이라 볼 수 있으며 따라서 전자상거래의 경우에도 제공받는 서비스나 재화에 상응하는 경제적 가치를 전자적으로 제공할 수 있는 전자지불/결제시스템의 구축은 전자상거래의 중요한 하부구조 중의 하나라 볼 수 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.11 no.2
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• pp.131-134
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• 1998

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2006.06a
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• pp.166-168
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• 2006

새로운 도시교통 시스템을 개발하기 위하여 시스템의 적용지역 검토 후 운영자, 이용자, 공급자 측면에서의 요구사항 도출과 아울러 이를 토대로 하여 시스템 요구사항을 도출하였다. 이는 기능 및 성능으로 구분할 수 있고 하부시스템별로 기능과 성능을 할당하여 각 하부시스템의 기능과 주요 장치가 갖추어야 할 조건, 용량 등을 정의하였다. 또한 환경요구사항 및 하부 시스템별 기기의 동작 조건등을 정의하여 시스템 개념을 확립하였다.

• Bulletin of the Korean Space Science Society
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• 2009.10a
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• pp.49.2-49.2
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• 2009

소형우주발사체 KSLV-I의 상단부 전자장비 탑재 구조체의 외부면에는 텔레메트리, 원격추적, GPS, 비행종단 시스템의 안테나가 두 개 또는 세 개씩 장착된다. 발사체의 표면에 안테나를 부착할 수 있는 위치는 제한되어 있기 때문에 각 안테나 들은 서로 인접되어 부착된다. 또한 상단부 전자장비들과 지상장비의 성능을 검증하기 위해 수행되는 경비행기를 이용한 비행시험은 각 안테나들이 더욱 근접하여 장착된 상태로 수행된다. 따라서 각 하부시스템의 안테나 사이에 발생하는 간섭현상을 분석하기 위한 연구가 요구된다. 이 논문에서는 시간영역 유한차분법을 이용하여 서로 다른 하부시스템의 안테나 간에 발생하는 간섭영향을 해석하였다. 수행된 해석 과정은 우주발사체의 안테나 방사패턴을 해석하는데 이용될 수 있으며, 향후 우주발사체의 시스템 설계 과정에서 안테나의 배치 방법과 각 하부시스템의 성능 요구조건을 결정하는데 효과적으로 사용될 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.432-432
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• 2013

현대에 이르러 직접방식 엑스선 검출기에서는 기존의 a-Se을 주로 이용하였지만, 고전압 인가에 따른 회로 손상과 짧은 수명, 그리고 누설전류에 따른 안전의 문제 등으로 낮은 에너지 밴드갭과 높은 흡수효율, 비저항 등에 의거한 다양한 대체 물질에 대한 연구가 활발하게 이루어져가고 있다. 본 논문에서는 직접방식 엑스선 검출물질로 전기이동도와 흡수효율이 뛰어나고, 밴드갭이 낮아 태양전지분야 뿐만 아니라 최근 엑스선 검출물질로 각광받고 있는 CdTe를 선정하였다. 연구의 목적은 PVD (Physical Vapor Deposition)방식의 CdTe 검출 물질의 제작과정에서 CdTe가 기화되어 하부전극 기판에 증착될 시, 하부전극 기판 온도에 따른 CdTe의 박막형성과 전기적 측정을 실시하여 그에 따른 최적의 증착조건을 선정하는 것이다. 하부전극 기판으로는 Au/glass를 사용하였으며 증착 시, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$로 나누어 특성을 평가하였다. 시료는 파우더형태의 다결정CdTe를 120 g를 사용하여 증착완료 시, 약 $100{\mu}m$의 박막두께를 구현하였다. PVD증착의 조건으로는 Mo재질의 보트를 사용하였으며, 증착 시 진공도는 $5{\times}10^{-6}$ Torr, 보트온도는 약 $350^{\circ}C$ 소요시간은 5시간이었다. 증착이 완료된 CdTe의 표면구조와 전기적 특성평가를 위해 SEM촬영을 실시하였고, 전기적 특성 평가를 위해 CdTe표면에 Au를 PVD방식으로 증착하였다. 실험 결과 SEM촬영을 이용한 표면특성에서는 하부전극 기판의 온도가 높아질수록 표면 결정입자가 증가하는 것을 확인할 수 있었으며, 전기적 특성에서도 하부전극 기판의 온도가 증가할수록 RQA-5 조건의 70 kVp, 100 mA, 0.03 sec 엑스선에 대한 우수한 민감도와 암전류 값을 확인하였다. 이러한 결과는 증착과정에서 온도에 따른 다결정 CdTe의 표면결정 크기 증가는 동일한 면적에서 표면결정 수의 감소를 뜻한다. 이는 결정간의 경계에서 트랩 되어지는 전자가 감소하고, 전자의 이동도 또한 높은 효율을 나타냄을 확인할 수 있었다. 따라서 본 연구를 통하여 CdTe기반의 직접방식 엑스선 검출기 제작과정에서 증착 시 하부전극기판 온도가 증가할수록 결정의 크기가 증가하여 최적의 전기적 특성을 나타냄을 검증할 수 있었다.

• Proceedings of the KSEG Conference
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• 2002.04a
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• pp.285-290
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• 2002

조사지역은 전라남도 함평군 함평읍으로부터 남쪽으로 엄다면 화양리, 학야리, 성천리 일대에 발달한 충적층으로서. 이 지역에는 남서-북동방향으로 광주단층이 통과하고 있는 것으로 추정된다. 충적층 하부에 발달한 단층을 포함한 대규모 파쇄대 파악에는 지표지질조사로서 한계가 있다. 따라서 이 연구에서는 물리탐사방법을 적용하여 충적층 하부의 대규모 파쇄대의 방향과 연장성을 파악하고자 하였으며, 사용된 물리탐사법은 전기비저항 2차원탐사, 전자탐사 그리고 자력탐사이다. 전기비저항 탐사결과 충적층 내에서 남북방향의 연장성을 갖는 전기비저항 이상대가 파악되었으나, 자력탐사와 전자탐사의 측정자료에는 이 이상대에대한 반응을 관찰할 수 없었다. 이는 전자탐사의 경우, 가탐심도가 매우 작은 EM31을 사용하였고, 또한 자력탐사는 주변 지질매체 간의 대자율 차이가 없는 것에 기인한 것으로 판단된다. 따라서 향후 지하심부의 탐사를 위해 전자탐사법중 TEM 탐사를 실시할 계획이며, 또한 낮은 전기비저항 이상대의 연장성을 정확히 파악하기 위하여 기 측정된 전기비저항 탐사 측선 사이를 탐사할 예정이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.11d
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• pp.122-126
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• 2004

직격뇌가 높은 건축물에 치거나 인접 건물로부터 뇌전류가 유입되었을 때 잘못된 피뢰설비로 인한 피해는 매우 심각한 실정이다. 낙뢰가 치는 순간에 반도체와 같은 민감한 전자부품을 사용하는 전자 및 통신기기는 뇌전류로 인한 전자기장의 영향으로 오동작이 발생하거나 부품의 손상을 입기가 쉽다. 본 논문에서는 건축물 구조체에 직격뇌가 유입되었을 때 건축물 구조체 및 건물 주위에 나타나는 전위분포특성을 연구하였다. 본 논문에서 30m 높이 건축물의 상부 모서리와 중앙부 그리고 건축물 하부 모서리와 중앙부로 뇌전류가 유입된다고 가정하여 건축물의 전계분포특성을 시뮬레이션하였으며, 뇌전류는 2중 지수함수형태로 모의된 20kA 임펄스 서지 전류를 주입하였다. 뇌서지 전류의 주파수 특성은 Fast Fourier Transform(FFT)을 이용하여 얻었으며, 얻어진 주파수 값을 이용하여 건축물 구조체와 인접지역의 Scalar Potentials과 Electric Fields의 특성을 시뮬레이션하였다. 또한 철골 빔 건축물의 철골 빔에 직접 뇌전류가 유입되는 경우와 건물 하부의 접지전극에 뇌전류가 유입되는 경우로 분리 하여 연구하였다. 그 결과 뇌전류의 유입경로가 건축물의 모서리부분 보다는 중심부에 위치될 때 전위 및 전계 크기가 작았으며 건축 철골구조물보다 건축물 하부에 접지전극이 설치될 때 더 낮은 전계 값을 갖는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.360-367
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• 1994

Si2H6PH3 혼합기체를 사용하여 증착된 in-situ P-doped 비정질 실리콘과 SiH4 기체를사용하여 증착한후에 As+ 이온주입에 의해 도핑시킨 다결정 실리콘 박막을 하부 전극으로 하는 캐패시터를 형성 하였다. 여기서 유전박막층은 자연산화막 화학증착된 실리콘질화막 및 질화막의 산화에 의해 형성된 O-N-O 구조를 갖는 것이었다. 두 종류의 하부전극에 따른 캐패시터의 전기적 특서을 조사하였다. 전기 적 특성으로는 정전용량, 누설전류, 절연파괴전압 및 TDDB 등이었다. 이 가운데 정전용량, 누설전류 및 절연파괴전압은 하부전극에 따라 큰 차이를 보이지않았다. 그러나 음의 전장하에서의 TDDB 특성은 in-situ P-doped 비정실 실리콘이 하부전극인 캐패시터가 As+ 이온 주입실리콘이 하부전극인 것에 비해 더우수하였다. 이와 같은 TDDB 특성의 차이는 하부전극 실리콘의 integrity 차이로 인한 자연산화막의 결함 정도의 차이에 기인하는 것 같다. 이를 뒷받침하는 것으로 투과전자현미경 단면사진으로 확인하였 다. Shallow junction을 유지하는데도 in-situ P-doped 비정실 실리콘은 만족할 만한 결과를 보이며 박 막자체의 면저항값도 낮출 수 있어 초고집적 회로의 캐패시터 전극으로서 이용될 수 있는 것으로 평가 되었다.

• Proceedings of the Korea Society for Industrial Systems Conference
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• 2001.05a
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• pp.11-26
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• 2001

최근 정보통신 기술의 발전과 인터넷의 활용은 기존의 화폐제도의 개념을 근본적으로 바꿔 놓고 있다. 이른바 전자지갑, 전자화폐 등 다양한 이름으로 불리는 전자지불 수단의 등장이 바로 그 형태이다. 전자화폐는 정보보안, 전자인증, 암호화 등과 함께 전자상거래의 성공적인 확산에 있어서 가장 핵심적인 하부 구조 중의 하나이다. 현재 전자화폐시장은 기술표준, 카드 단말기 호환, 위·변조에 대한 안정성 확보, 법·제도적 장치 등 해결해야 할 문제가 산적해 있다. 본 연구에서는 전자화폐의 기술적 요구사항과 표준화 동향에 대하여 분석한 후 상용화된 전자화폐 기술이 가진 기술상 문제점 및 해결방안을 제시한다.