• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
• /
• 1998.10a
• /
• pp.606-608
• /
• 1998

컴퓨터 통신의 발달로 인하여 정부기관, 학교, 연구소, 기업체등의 사회의 모든 분야에 걸쳐 인터넷 환경이 널리 보급되고 있다. 이를 통하여 컴퓨터간의 단순한 정보와 자원의 공유에 국한되었던 범위를 넘어 점자 결제, 전자 상거래, 상용 서비스 등 많은 편리함이 제공되고 있다. 그러나 최근 들어 이러한 인터넷을 이용한 불법 침입자들의 정보 유출이나 파괴 혹은 금융사고와 같은 범죄가 더욱 많아지고 지능화 되고 있다. 이러한 문제점을 보안 하기위해 불법적인 침입자들이 네트워크를 통해 시스템에 접근하여 중요한 정보를 유출 혹은 파괴하는 행위를 감시할 수 있는 시스템이 필요하게 되었다. 본 논문에서는 이러한 목적을 위해 사용하는 네트워크 모니터링 혹은 칩입 탐지를 위한 도구를 제안하고 기술할 것이다. 이 도구는 현존하는 도구들이 톡정 패킷만을 모니터링할 수 있는 문제점을 강력한 명세언어를 사용하여서 응용프로그램에서 사용하는 패킷까지도 포획할 수 있는 기능을 제공한다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.6 no.2
• /
• pp.152-160
• /
• 1993

MNOS 구조에서 23.angs.의 얇은 산화막을 성장한 후 LPCVD방법으로 S $i_{3}$ $N_{4}$막을 각각 530.angs., 1000.angs. 두께로 달리 증착했을때 비휘발성 기억동작에 미치는 전하주입 및 기억유지 특성을 자동 .DELTA. $V_{FB}$ 측정 시스템을 제작하여 측정하였다. 전하주입 측정은 펄스전압 인가전의 초기 플랫밴드전압 0V.+-.10mV, 펄스폭 100ms 이내로 설정하고 단일 펄스전압을 인가하였다. 기억유지특성은 기억트랩에 전하를 포획시킨 직후 $V_{FB}$ 유지와 0V로 유지한 상태에서 $10^{4}$sec까지 측정하였다. 본 논문에서 유도된 산화막 전계에 대한 터넬확률을 적용한 전하주입 이론식은 실험결과와 잘 일치하였으며 본 해석방법으로 직접기억트랩밀도와 이탈진도수를 동시에 평가할 수 있었다. 기억트랩의 포획전하는 실리콘쪽으로의 역 터넬링으로 인한 조기감쇠가 컸으며 $V_{FB}$ 유지인 상태가 초기 감쇠율이 0V로 유지한 경우 보다 낮았다. 그리고 기억유지특성은 S $i_{3}$ $N_{4}$막의 두께보다 기억트랩밀도의 의존성이 크며 S $i_{3}$ $N_{4}$막두께의 축소로 기록전압을 저전압화시킬 수 있음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 1995.11a
• /
• pp.34-39
• /
• 1995

Particle displacement distributions of the fundamental mode and overtone modes in an energy-frapped single resonator and an energy-trapped double acoustically coupled filter using the thickness shear vibration were calculated. And the effects of the width of a pair of partial electrodes, the width of the gap between two pairs of partial electrodes and the magnitude of the plate back on the displacement distributions of the symmetric vibration mode and anti-symmetric vibration mode of the resonators and the filters were investigated.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
• /
• v.26 no.5
• /
• pp.46-51
• /
• 1989

The degradation phenomena induced by hot-carrier injection was studied from the shift of threshold voltage and subthreshold current curve in LDD NMOSFET degraded under different DC stress-biases. Threshold voltage shift ${Delta}V_{tex}$ defined in saturation region was separated into contri butions due to trapped oxide charge $V_{ot}$ and interface traps ${Delta}V_{it}$ generated from midgap to threshold voltage. Under th positive stress electric field (TEX>$V_g>V_d$) condition, the shift of threshold voltage was attributed to the electrons traped ar gate oxide but subthreshold swing was not negative stress electric field ($V_g) condition, holes seems to be injected positive charges so threshold voltage and subthreshold swing were increased.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.13 no.2
• /
• pp.492-497
• /
• 2012

In this paper, we determined the scintillation and thermoluminescence properties of $Cs_2NaCeBr_6$ elpasolite scintillation crystal. The emission spectrum of $Cs_2NaCeBr_6$ is located in the range of 300 ~ 450 nm, peaking at 377 nm and 400 nm. And, the fluorescence decay time of the crystal is composed two components. The fast component is 140 ns (94%), and the slow component is 880 ns (6%) of the crystal. The after-glow is caused by the electron and hole traps in the crystal lattices. We determined thermoluminescence parameters of the traps in the crystal. The determined activation energy(E), kinetic order and frequency factor of the traps are 0.67 eV, 1.71 and $2.51{\times}10^8s^{-1}$ respectively. In this crystal, re-combination rate is more dominant phenomenon than the re-trapping rate.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
• /
• v.18 no.2
• /
• pp.163-173
• /
• 2001

In this paper, space radiation environment and single event effect(SEE) have been analyzed for the KOMPSAT-2 operational orbit. As spacecraft external and internal space environment, trapped proton, SEP(solar energetic particle) and GCR(galactic cosmic ray) high energy Protons and heavy ions spectrums are analyzed. Finally, SEU and SEL rate prediction has been performed for the Intel 80386 microprocessor CPU that is planned to be used in the KOMPSAT-2. As the estimation results, under nominal operational condition, it is predicted that trapped proton and high energetic proton induced SBU effect will not occur. But, it is predicted that heavy ion induced SEU can occur several times during KOMPSAT-2 3-year mission operation. KOMPSAT-2 has been implementing system level design to mitigate SEU occurrence using processor CPU error detection function of the on-board flight software.

• The Korean Journal of Zoology
• /
• v.35 no.1
• /
• pp.58-69
• /
• 1992

곤충 혈구의 이물질에 대해 면릉고청을 확인하기 위하여 평균지름 10 nm의 gold입자를 함유한 colloidal gold solution을 등 검은 메뚜기 (Euprepocnemis shirakii Bolivar) 성충의 복강에 주입한 후, 혈구의 반응양상을 전자현미경으로 관찰하였다. Gold 입자에 대한 혈구의 면역반응은 전체 혈구의 약 28%를 차지하고 있는 Plasmatocytes에서 식세포작용(phagocytosis)의 형태로 확인되었고, 다른 종류의 혈구는 반응하지 않았다. Plasmatocytes에 의해 식세포작용의 초기반음은 많은 원형질 돌기를 형성하여 이물질을 포획하는 태면반응과 원형질악의 함입에 의한 식포의 형성과정으로서, 이 과정은 이물질 주입후 10분이내에 완료되는 것으로 관찰되었다. 혈구내에 형성된 식포는 초기에 전자밀도가 낮은, 천상 또는 섬잡상의 내부구조를 가지고 있었으나, 일차 Iysosome의 융합에 의해 전자밀도가 높은 과립상으로 된 후, 결정상의 내부구조로 변형되었으며, 그 이후의 단계에서 multivesicular body형태의 이차 Iysosome을 형성하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.501-501
• /
• 2013

유기발광소자는 빠른 응답속도, 넓은 시야각, 얇은 두께의 특성으로 차세대 디스플레이 소자기술로 많은 주목을 받고 있다. 특히 높은 색순도와 고효율의 장점을 가지는 양자점을 사용한 유기발광소자에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 양자점을 이용한 유기발광소자는 용액 공정이 요구 되기 때문에 유기물 박막 위에 양자점을 균일하게 도포하기 어렵다. 또한, 양자점은 수분과 산소에 빠르게 열화되는 문제점이 있다. 본 연구에서는 색변환 양자점을 포함하는 고분자 poly (N-vibylcarbazole) 정공수송층을 용액공정으로 형성한 후 발광층, 전자 수송 및 주입층과 음극을 차례로 진공증착하여 색변환 양자점을 포함하는 정공수송층을 적용한 청색 유기발광소자를 제작하였다. 색변환양자점과 청색 발광층으로 a 1,4-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl를 사용하여 제작된 유기발광 소자의 전기적 및 광학적 특성을 관찰하였다. 색변환 양자점을 포함한 청색 유기발광소자의 경우 정공이 양자점에 포획되는 확률이 낮기 때문에 높은 전류밀도와 휘도를 나타냈으며, core/shell 색변환 양자점을 포함한 청색 유기발광소자는 정공이 양자점에 포획되는 확률이 높기 때문에 낮은 전류밀도와 휘도를 나타냈다. 한편, core/shell 색변환양자점을 포함한 청색 유기발광소자의 경우 색변환 양자점을 포함하는 청색 유기발광소자에 비해 발광층에서 발광된 빛을 잘 흡수하여 높은 색변환 효율이 나타났다. 이 연구 결과는 양자점을 색변환층으로 사용한 청색 유기발광소자의 색변환 효율 증가와 발광효율 향상에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2005.10b
• /
• pp.430-432
• /
• 2005

저에너지 중성자가 가톨리늄(Gd) 막에 입사되면 중성자 포획과정에서 전환전자가 생성된다. 이 전환전자에 의해 pMOSFET $SiO_2$ 산화층에서 발생된 전자-전공쌍이 발생되고, 이 가운데 정공은 산화층 내부에 쉽게 붙잡혀(Trap) 양전하 센터로 작용하게 된다. 이 축적된 전하는 pMOSFET의 문턱전압(Threshold voltage)을 변화시킨다. 본 연구에서는 이러한 간접측정 원리를 이용하여 열중성자를 실기간 탐지할 수 있는 반도체형 탐지소자를 개발하고 하나로(HANARO) 방사선장에서의 시험을 통해 성능을 검증하였다. 그리고 감도관련 변수의 최적화를 통하여 작업자가 사용 가능한 범위의 고감도 열중성자 선량계로 개선 제작하였다. 개발된 선량계는 소형으로 실시간 열중성자 측정이 가능하며 감마방사선으로부터 독립적으로 열중성자를 측정할 수 있는 장점도 지니고 있다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.10 no.12
• /
• pp.3626-3631
• /
• 2009

This study has provided some of the first experimental results of NMOSFET hot-carrier degradation for the analog circuit application. After hot-carrier stress under the whole range of gate voltage, the degradation of NMOSFET characteristics is measured in saturation region. In addition to interface states, the evidences of hole and electron traps are found near drain depending on the biased gate voltage, which is believed to the cause for the variation of the transconductance($g_m$) and the output conductance($g_{ds}$). And it is found that hole trap is a dominant mechanism of device degradation in a low-gate voltage saturation region, The parameter degradation is sensitive to the channel length of devices. As the channel length is shortened, the influence of hole trap on the channel conductance is increased. Because the magnitude of $g_m$ and $g_{ds}$ are increased or decreased depending on analog operation conditions and analog device structures, careful transistor design including the level of the biased gate voltage and the channel length is therefore required for optimal voltage gain ($A_V=g_m/g_{ds}$) in analog circuit.