• 전기의세계
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• v.38 no.5
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• pp.34-42
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• 1989

포항 방사광가속기의 입사장치인 2.5GeV 양전자 선형 가속기에서 양전자를 포획하는 solenoid lens와 접속용 사극자석의 system에 대하여 살펴보았다. 이론적 결과를 토대로 하여 이를 PLS 양전자 injector에 적용한 결과를 소개하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.474-474
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• 2012

유기발광소자는 다른 디스플레이에 비해 높은 명암비와 색재현성의 장점을 갖는 차세대 디스플레이로서, 얇은 박막 특성을 가지고 있기때문에 모바일용 디스플레이 기술로 많이 사용되고 있다. 하지만 낮은 발광효율, 높은 구동전압 및 전압에 따른 색좌표 변화의 문제점을 가지고 있어 이를 극복하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자의 발광효율을 높이며 구동 전압을 낮추기 위해 호스트물질에 다양한 도펀트를 도핑하고 있다. 높은 발광효율을 가지는 도펀트인 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene)을 사용한 유기발광소자는 rubrene의 안정된 분자 에너지 레벨로 인해 전자들이 포획되는 현상이 나타나 효율이 감소되는 원인이 규명되지 않았다. 본 연구에서는 rubrene을 발광층으로 사용하여, 전공수송층인 N,N_-bis-(1-naphthyl)-N,N_-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine (NPB)의 두께에 따른 I-V 변화와 전계발광 스펙트럼를 분석하여 두께에 따른 rubrene의 전자 포획를 관찰하였다. rubrene보다 큰 lowest unoccupied molecular orbital 에너지를 갖는 NPB와 에너지장벽으로 낮은 highest occupied molecular orbital 에너지를 갖는 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline을 각각 교차되게 적층한 유기발광소자의 I-V 변화와 전자 전공 재결합층의 위치변화에 따른 전계발광 스펙트럼을 비교 분석하였다. 이 결과는 발광층 내부의 rubrene의 상대적인 위치와 에너지장벽과의 상관관계에 따른 전자 포획 메커니즘을 이해하는데 도움 줄 것이다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.2 no.1
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• pp.41-51
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• 1989

압전세라믹을 이용한 에너지포획형 단일체 대역통과필터는 '에너지포획'과 '탄생결합'이라는 두 중요한 원리를 사용한다. 본 연구의 주된 목적은 이중결합필터의 전극변수가 필터 특성에 미치는 영향을 규명하는 것이다. 예비단계로 에너지포획형 공진자의 부분전극의 단위 면적당 무게나 부분전극의 크기가 주파수특성에 미치는 영향을 조사하여 에너지포획을 야기시킬 수 있는 부분전극의 조건을 설정하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.3
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• pp.34-40
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• 1999

Recently, the gate oxide damage induced by the plasma processes has been one of the most significant reliability issues as the gate oxide thickness falls below 10 nm. The plasma-induced damage was studied with the metal antenna test structures. In addition to the electron trapping, the hole trapping in a 10 nm thick gate oxide due to the plasma-induced charging was observed in the NMOS's with a metal antenna. The hole trapping caused the transconductance (gm) to be reduced like the case of the electron trapping, but to the extent much less than the electron trapping. It would be because the electrical stress that the plasma-induced charging forced to the gate oxide for the devices with the hole trapping was much smaller than for those with the electron trapping. This hypothesis was strongly supported by the measured characteristics of the Fowler-Nordheim current in the gate oxide.

• Korean Journal of Microbiology
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• v.22 no.1
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• pp.19-28
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• 1984

The nematode-trapping process by Arthrobotrys conoides was investigated with the aid of scanning and transmission electron microscopy. 1. A. conoides captures nematode by means of three-dimensional network. 2. The wall of trap cell was thicker than that of vegetative hypha and the trap cell was more rich in cell organelles such as endoplasmic reticulum, mitochondria and electrondense granule. 3. The electron-dense granule, which could be found only in trap organs, gradually disappeared during its penetration into nematode cuticle. 4. The osmiophilic area was found at adhering site between the trap organ and nematode cuticle. 5. In some cases, any appressorium was not found at the site of penetration. 6. When the fungal-nematode culture was conserved for 2~3 weeks, numerous young nematodes were found to be adhered to spores, resulting in death.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.3
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• pp.220-227
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• 1993

본 논문에서는 산화막의 두께가 23.angs.이며 질화막의 두께를 각각 530.angs., 1000.angs.으로한 캐패시터형 MNOS소자를 제작하고 기억특성을 비교, 분석하였다. 특성조사를 위해 자동 .DELTA. $V_{FB}$ 추적장치를 설계, 제작하여 사용하였다. 기억트랩밀도는 질화막 두께 530.angs.인 소자가 1000.angs.인 소자보다 0.18 x $10^{16}$ $m^{-2}$ 크며, 0.31 x $10^{8}$ V/m 낮은 산화막 전기장에서 전자가 주입되었으며 $10^{4}$sec경과후 포획전자의 유지율도 우수하였다. 또한 포획된 전자는 실리콘쪽으로의 역터넬링으로 인한 감쇠가 우세하게 나타났다. 펄스전압 인가에 따른 플랫밴드전압의 변화가 선형적으로 증가하는 영역에서는 산화막 전류가 지배적이었으며 포화하다 감소하는 영역에서는 질화막 전류의 영향이 컸다. 소거동작은 포획된 전자의 방출과 실리콘으로 부터의 정공주입이 동시에 일어남을 관측하였다.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.17 no.1
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• pp.17-23
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• 2023

In this study, the thermoluminescence kinetics of electron trap in Li₆Y_0.5Gd_0.5(BO₃)₃ (LY_0.5G_0.5BO) scintillator for neutron detection composed of Li, Gd, and B with a high neutron response cross-section were investigated. The thermoluminescence glow curve of the LY_0.5G_0.5BO scintillation single crystal was measured and analyzed using the peak shape method, the initial rise method, and the machine learning algorithm to evaluate the physical parameters of the electron trap. The glow curve of the LY_0.5G_0.5BO scintillation single crystal consisted of a single peak. As a result of analyzing this peak, the activation energy, emission order, and frequency factor of the electron trap were 0.61 eV, 1.1, and 1.7×10⁷ s^-1, respectively. In addition, the possibility of thermoluminescence analysis of scintillators using machine learning was confirmed.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.10 no.1
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• pp.27-35
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• 1973

The electronic states of carrier capture centers in reverse biased point-contact germanium diodes have been investigated through the tomperature-and reverse voltage-characteristics of burst noise. The measured values of the time constants wllich represent the electronic states of the centers are extended up to greater than ten minutes, which are about 10,000 times greater than the ones obtained by other investigators. From the relation between these time constants and temperatures, the quasi-Peymi level and the activation energy of the center have been obtained.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.06a
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• pp.473-476
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• 1998

ULSI 소자에서 폴리사이드 구조를 사용하고 dual 게이트 산화막에 대한 공정 특성을 최적화 하는 2스텝 게이트 산화막의 형성 공정에 관한 연구를 하였다. 이러한 특성의 측정은 HP4145B 파라메터 분석기와 C-V meter 그리고 multi-frequency LcR meter를 사용하여 2스텝 산화막의 공정 방법과 cleaning에 따른 게이트 사화막의 공정 특성에 대한 연관 관계로 연구하였다. I-V 특성 면에서는 G$_{ox}$ 80.angs.의 경우 base 210.angs.의 경우에서는 dual 210.angs.의 특성이 base 210.angs.에 비하여 상대적으로 열화된 특성을 나타내었다. CCST 결과에서는 G$_{OX}$ 80.angs.과 210.angs.에서 dual 게이트 산화막의 cleaning 방법으로 piranha cl'n 과 SCl cl'n 방법에서 우수한 결과를 얻을 수 있었다. 또한 게이트 전압의 벼화량에 대한 결과에서는 dual 산화막의 경우 초기상태에서는 호울포획 현상이 나타나다가 이후에는 전자포획 현상이 나타나는 결과를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.08a
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• pp.68-68
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• 2004