• 제목/요약/키워드: 전자포획

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양전자 선형가속기에서 양전자의 포획과 집속

  • 윤무현
    • 전기의세계
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    • 제38권5호
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    • pp.34-42
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    • 1989
  • 포항 방사광가속기의 입사장치인 2.5GeV 양전자 선형 가속기에서 양전자를 포획하는 solenoid lens와 접속용 사극자석의 system에 대하여 살펴보았다. 이론적 결과를 토대로 하여 이를 PLS 양전자 injector에 적용한 결과를 소개하고자 한다.

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Rubrene 발광층을 가진 유기발광소자의 전자 포획 메커니즘

  • 권원주;전영표;박성수;김태환
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.474-474
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    • 2012
  • 유기발광소자는 다른 디스플레이에 비해 높은 명암비와 색재현성의 장점을 갖는 차세대 디스플레이로서, 얇은 박막 특성을 가지고 있기때문에 모바일용 디스플레이 기술로 많이 사용되고 있다. 하지만 낮은 발광효율, 높은 구동전압 및 전압에 따른 색좌표 변화의 문제점을 가지고 있어 이를 극복하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자의 발광효율을 높이며 구동 전압을 낮추기 위해 호스트물질에 다양한 도펀트를 도핑하고 있다. 높은 발광효율을 가지는 도펀트인 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene)을 사용한 유기발광소자는 rubrene의 안정된 분자 에너지 레벨로 인해 전자들이 포획되는 현상이 나타나 효율이 감소되는 원인이 규명되지 않았다. 본 연구에서는 rubrene을 발광층으로 사용하여, 전공수송층인 N,N_-bis-(1-naphthyl)-N,N_-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine (NPB)의 두께에 따른 I-V 변화와 전계발광 스펙트럼를 분석하여 두께에 따른 rubrene의 전자 포획를 관찰하였다. rubrene보다 큰 lowest unoccupied molecular orbital 에너지를 갖는 NPB와 에너지장벽으로 낮은 highest occupied molecular orbital 에너지를 갖는 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline을 각각 교차되게 적층한 유기발광소자의 I-V 변화와 전자 전공 재결합층의 위치변화에 따른 전계발광 스펙트럼을 비교 분석하였다. 이 결과는 발광층 내부의 rubrene의 상대적인 위치와 에너지장벽과의 상관관계에 따른 전자 포획 메커니즘을 이해하는데 도움 줄 것이다.

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압전세라믹을 이용한 고주파대역의 단일체 대역통과필터에 관한 연구 (Monolithic Bandpass Filter in High Frequency Band Using Piezoelectric Ceramics)

  • 박창엽;이개명
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제2권1호
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    • pp.41-51
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    • 1989
  • 압전세라믹을 이용한 에너지포획형 단일체 대역통과필터는 '에너지포획'과 '탄생결합'이라는 두 중요한 원리를 사용한다. 본 연구의 주된 목적은 이중결합필터의 전극변수가 필터 특성에 미치는 영향을 규명하는 것이다. 예비단계로 에너지포획형 공진자의 부분전극의 단위 면적당 무게나 부분전극의 크기가 주파수특성에 미치는 영향을 조사하여 에너지포획을 야기시킬 수 있는 부분전극의 조건을 설정하였다.

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Metal Antenna 효과로 인한 게이트 산화막에서 정공 포획에 관한 연구 (Study of the Hole Trapping in the Gate Oxide due to the Metal Antenna Effect)

  • 김병일;이재호;신봉조;이형규;박근형
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권3호
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    • pp.34-40
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    • 1999
  • 최근, 플라즈마 공정에 의해 발생하는 게이트 산화막의 손상은 게이트 산화막의 두께가 10nm이하로 감소함에 따라서 가정 중요한 신뢰성 문제들 중의 하나가 되고 있다. 플라즈마로 인한 손상은 metal 안테나 테스트 구조들을 가지고 연구되었다. Metal 안테나를 가지고 있는 NMOS에서 플라즈마로 인한 전하 축적으로 말미암아 10nm의 게이트 산화막에 전자 포획뿐만 아니라 정공 포획이 발생하는 것이 관측되었다. 정공포획은 전자 포획의 경우와 유사하게 transconductance(gm)의 감소를 일으키기는 하지만, 그 정도가 훨씬 적었다. 이는 플라즈마로 인한 축적이 정공 포획이 발생한 소자의 게이트 산화막에 가한 전기적 stress 가 전자 포획이 발생한 소자의 경우보다 훨씬 적었기 때문일 것이다. 이 이론은 산화막에서의 Fowler-Nordheim 전류 특성을 측정한 결과들에 의해 입증되었다.

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Arthrobotrys conoides에 의한 선충포획의 전자현미경적 연구 (Electron microscopic observations on the trapping of nematode by Arthrobotrys conoides)

  • 박진숙;박용근
    • 미생물학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.19-28
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    • 1984
  • A. conoides에 의한 선충 포획과정을 SEM과 TEM을 이용하여 관찰하였다. 1. A. conoides는 점착성 three-dimensional networks에 의해 선충을 포획한다. 2. Trap cell은 영양균사에 비해 세포벽이 두꺼우며 endoplasmic reticulum, mitochondria 및 electron-dense granule이 풍부하다. 3. 포획기관에서만 관찰되는 전자밀도가 높은 과립은 포획기관이 선충을 점착하여 침투하는 과정에서 소실된다. 4. 포획기관과 선충이 부착된 사이에서 osmiophilic layer가 관찰되었고 바로 이 지점으로부터 침투가 일어나며, 한 포획기관에서 두 군데 이상 동시 침투가 가능하다. 5. 포획기관의 선충내 침투시 appressorium이 형성되지 않고 침투되는 경우가 있다. 6. 균주와 선충의 혼합배지를 2~3주 두었을 때, 유충들이 포자에 접착되어 죽는다.

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자동$\DELTAV_{FB}$추적장치를 이용한 비휘발성 MNOS기억소자의 동작특성에 관한 연구 (A study on the behavior of the nonvolatile MNOS memory devices using the automatic $\DELTAV_{FB}$ tracer)

  • 이형옥;이상배;서광열
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제6권3호
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    • pp.220-227
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    • 1993
  • 본 논문에서는 산화막의 두께가 23.angs.이며 질화막의 두께를 각각 530.angs., 1000.angs.으로한 캐패시터형 MNOS소자를 제작하고 기억특성을 비교, 분석하였다. 특성조사를 위해 자동 .DELTA. $V_{FB}$ 추적장치를 설계, 제작하여 사용하였다. 기억트랩밀도는 질화막 두께 530.angs.인 소자가 1000.angs.인 소자보다 0.18 x $10^{16}$ $m^{-2}$ 크며, 0.31 x $10^{8}$ V/m 낮은 산화막 전기장에서 전자가 주입되었으며 $10^{4}$sec경과후 포획전자의 유지율도 우수하였다. 또한 포획된 전자는 실리콘쪽으로의 역터넬링으로 인한 감쇠가 우세하게 나타났다. 펄스전압 인가에 따른 플랫밴드전압의 변화가 선형적으로 증가하는 영역에서는 산화막 전류가 지배적이었으며 포화하다 감소하는 영역에서는 질화막 전류의 영향이 컸다. 소거동작은 포획된 전자의 방출과 실리콘으로 부터의 정공주입이 동시에 일어남을 관측하였다.

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LYGBO 단결정의 열형광 전자포획준위 인자 (Thermoluminescence Kinetics of LYGBO Crystal)

  • 김성환
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제17권1호
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    • pp.17-23
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    • 2023
  • 본 연구에서는 중성자 반응단면적이 높은 Li, Gd 및 B을 모체로 구성된 중성자 검출용 Li6Y0.5Gd0.5(BO3)3 (LY0.5G0.5BO) 섬광체의 전자포획준위에 대하여 조사하였다. LY0.5G0.5BO 섬광 단결정에 대하여 열형광곡선을 측정하고 이를 피크형상법, 초기상승법 및 기계학습 알고리즘을 이용하여 분석하여 전자포획준위의 물리적인 인자를 평가하였다. LYGBO 섬광 단결정의 열형광곡선은 단일 피크로 이루어져 있으며, 이 피크를 분석한 결과 전자포획준위의 활성화에너지, 발광차수 및 주파수인자는 각각 0.61 eV, 1.1 및 1.7×107 s-1이었다. 아울러 기계학습을 이용한 섬광체의 열형광 해석의 가능성을 확인하였다.

반도체의 불순물중심의 전자적 특성 (Electronic Characteristics of the Impurity Centers in Semiconductors)

  • 이건일
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제10권1호
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    • pp.27-35
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    • 1973
  • Ge 점접촉형 diode에 있어서 역방향 전압이 인가되었을 때의 burst noise를 조사하여 carrier포획중심의 전자적 상태를 온도 및 역방향 전압의 함수로서 구하였다. 여기서는 이러한 중심의 전자적 상태를 나타내는 시정수의 측정영역을 십수분까지 확대하였으며 이는 이때까지 다른 연구자들에 의한 범위보다 약 10,000배나 넓은 것이다. 이 시정수와 온도와의 관계에서 포획중심의 quasi-Fermi 준위 및 이의 activation energy를 구하였다.

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폴리사이드 구조에서 dual 게이트 산화막에 대한 공정특성 연구 (A study on the process characteristics of polycide based dual gate oxidation)

  • 엄금용;노병규;김종규;김종순;오환술
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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    • pp.473-476
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    • 1998
  • ULSI 소자에서 폴리사이드 구조를 사용하고 dual 게이트 산화막에 대한 공정 특성을 최적화 하는 2스텝 게이트 산화막의 형성 공정에 관한 연구를 하였다. 이러한 특성의 측정은 HP4145B 파라메터 분석기와 C-V meter 그리고 multi-frequency LcR meter를 사용하여 2스텝 산화막의 공정 방법과 cleaning에 따른 게이트 사화막의 공정 특성에 대한 연관 관계로 연구하였다. I-V 특성 면에서는 G$_{ox}$ 80.angs.의 경우 base 210.angs.의 경우에서는 dual 210.angs.의 특성이 base 210.angs.에 비하여 상대적으로 열화된 특성을 나타내었다. CCST 결과에서는 G$_{OX}$ 80.angs.과 210.angs.에서 dual 게이트 산화막의 cleaning 방법으로 piranha cl'n 과 SCl cl'n 방법에서 우수한 결과를 얻을 수 있었다. 또한 게이트 전압의 벼화량에 대한 결과에서는 dual 산화막의 경우 초기상태에서는 호울포획 현상이 나타나다가 이후에는 전자포획 현상이 나타나는 결과를 얻었다.

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