• 융합신호처리학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.45-52
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• 2002

EMI(전자파간섭)은 전기/전자제품의 이상동작을 야기할수 있는 장치로부터 방사되는 10KHz에서 3GHz대역의 전자파를 말한다. 본 연구에서는 안정적이고 정상적인 동작을 위해 2.5Gbps SDH시스템에서 전자파발생원인 STGU유니트에 대하여 전자파간섭을 시뮬레이션하였으며 On-Site Test를 통하여 조화주파수에 대한 전자파 세기를 측정하였다. 또한 소자들간의 EMI를 최소화하기 위하여 2GHz의 Cut-off주파수에서 저역통과필터를 설계하였다. 저역통과필터를 STGU유니트에 적용한 결과 전자파는 약 20dBm이상 감소되었으며 동기기준클럭의 품질을 결정하는 TIE와 MTIE를 측정한 결과 ITU-T G8l3을 만족하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.365-371
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• 2014

현대전의 전장 환경에서는 효율적인 작전 수행을 위하여 통합 군 무기체계 간 상호 운용이 필수적이다. 특히 네트워크 중심의 전자전 시스템에서 대부분의 최신 무기체계는 무선 통신을 위하여 전자파를 이용하므로 인접 무기 체계 간 상호 간섭의 영향에 취약하다. 본 논문에서는 통합 군 무기 체계에서 사용하는 대표적인 무선 통신 시스템을 중심으로 확산과 비확산 통신 방식으로 나누어 모델링하였다. 그리고 다양한 간섭원을 생성하여 인접 레이다 및 통신 간섭원에 의한 영향을 모의시험을 통하여 분석하였다. 모의시험 결과, 인접 간섭원의 변조 방식과 중첩 대역폭에 따라 피간섭 수신기의 성능이 영향을 크게 받는 것을 확인하였다. 본 연구 결과는 향후 통합 군 통신 무기 체계 간 상호 운용을 위한 간섭 보호 기준을 정립하는데 활용될 것으로 기대한다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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• pp.34-38
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• 2000

본 논문은 HAPS와 이동위성 시스템과의 간섭영향 분석을 HAPS 고도가 20Km와 50Km 일 때의 C/I 값을 구해 간섭 보호비를 초과하는 시간율 및 초과지속시간에 대한 평가에 대한 평가를 행하였다. 그 결과 HAPS가 Iridium 시스템에 미치는 간섭의 경우 최저 C/I 값은 HAPS 고도가 50Km일 때 20.42dB, 20Km일 때는 12.73dB로 낮아지고, 이와 반대로 Iridum 시스템이 HAPS에 미치는 간섭의 경우도 각각 13.94dB에서 10.42dB로 낮아짐을 알 수 있었다. HAPS 고도에 따른 간섭영향을 보면, 고도가 낮아질수록 강한 간섭을 주거나 받게 되며, C/I 최저값 또한 HAPS 고도에 따라 다른 시점에서 나타난다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.11-17
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• 2001

본 논문에서는 국제전기통신연합(ITU)의 전파통신분야(ITU-R)에서 간섭분석기의표준으로 채택한 몬테카를로 기법에 기초한 간섭분석기를 개발한 후, 간섭분석기를 이용하여 도일 주파수 대역에 있는 IMF-2000(FDD) 기지국과 IMT-2000(TDD) 기지국 상호간의 간섭영향 분석을 수행하였다. 개발된 몬테카를로 간섭분석기는 한국 지형에 적합하도록 전파 모델로서 수정된 하타모델을 이용하였으며 국내 서비스 환경을 고려한 간섭 시나리오를 설정하여 모의 실험을 수행하였다. 모의 실험을 통하여 IMT-2000의 파라미터들의 접합성과 함께 동일 주파수 대역에 있는 두 시스템을 같은 셀 내에서 공유 가능함을 확인하였다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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• pp.39-43
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• 2000

본 논문에서는 IMT-2000 시스템에 대한 제안된 표준안을 기초로 송수신 시스템을 구성하여 광대역 무선채널 환경 및 다양한 시스템 운용환경에서 시스템의 성능을 분석한다. 수신 성능의 개선을 위하여 CCI(Co-Channel Interference) Canceller와 Rake 수신기를 혼합하여 기존의 Rake 수신기에서 제거할 수 없었던 자기 간섭(Auto Interference)을 제거하는 새로운 Rake수신기를 제안하였다. 또한 다중 경로 페이딩 모델로는 ITU-R M.1225에서 제시된 모델을 적용하였다. 성능 분석 결과, 상대적으로 작은 지연 확산을 가지는 채널 A가 중간 지연 확산을 가지는 채널 B보다 수신성능이 양호함을 알 수 있었으며, 채널 A와 B에 관계없이 제안된 레이크 수신기를 채용하였을 경우 자기 간섭의 제거 효과로 인해 수신성능이 기존의 레이크 수신기를 채용하였을 경우에 비해 향상됨은 알 수 있었다. 또한 간섭제거기와 제안된 레이크 수신기를 직렬로 연결한 수신기를 채용하였을 경우 다중접속간섭을 효과적으로 제거할 수 있었으며, 수신성능의 차이는 채널 환경이 양호할수록, $E_{b/}$N/ sub o/값이 커질수록 차이가 커짐을 알 수 있었다.다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.858-864
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• 2002

본 논문에서는 동일 주파수 대역을 사용하는 기존 시스템에 의한 간섭 환경에서 TH/UWB(Time Hopping/ Ultra Wideband 이하 Impulse Radio) 시스템의 성능을 분석하였다. 간섭 점유율이 0.1 이하인 경우는 5 GHz 대역에서 ISM 대역의 80 MHz 대역폭이나 802.113의 사용대역폭 20 MHz와 같은 IR 시스템에 비해 매우 협소한 대역을 사용하는 경우로써 향후 3.1 - 10.6 GHz 대역에서 공유되는 IR 시스템에서 간섭으로 영향을 미칠 경우를 상정하여 분석하였다. 결과에 의하면, 간섭 전력의 크기보다는 간섭의 점유 대역폭에 따라서 성능 변화가 크게 나타남을 알 수 있었다. 또한, 부분대역 간섭 환경에서는 펄스반복개수(Ns)를 증가시킴으로써 간섭 점유율이 큰(0.1이상) 협대역 간섭일수록 큰 폭의 성능 개선을 얻을 수 있었다. 그러나, 간섭 점유율이 적은(0.1이하) 협대역 간섭일 때는 시스템 성능에 거의 영향을 미치지 않음을 알 수 있었다. 따라서, 정확한 간섭 점유율 추정을 통해 간섭의 대역폭 점유율에 따라 최적의 펄스반복개수를 설정하고 적정한 간섭억압기법을 적용함으로써 최상의 시스템 성능 및 전송효율을 얻을 수 있을 것이다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권1호
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• pp.38-44
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• 1991

본 연구는 전기로에 의한 열 산화법에 의해 SiO$_{2}$(88[.angs.])와 ONO(89[.angs.])를 성장시켜 MIS capacitor를 제작한 후, 초 박막 유전체/실리콘 계면에서 전자파 간섭 효과를 실험적으로 비교 검토한 것이다. EWIE현상의 결과로서 첫째. 저 전계영역에 비해 고 전계영역에서 우세하며 둘째. SiO$_{2}$에 비해 ONO가 약하게 나타난다. 그러므로 ONO가 SiO$_{2}$보다 열 전송자 효과에 대한 저항성이 우수함을 알 수 있고 ULSI급의 게이트 절연막으로서의 실용가능성을 확인하였다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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• pp.282-285
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• 2000

본 논문에서는 사용자의 분포에 따라 섹터의 크기가 가변되는 안테나의 섹터 형성과 오율성능 개선을 시뮬레이션을 통해 확인하였다. 섹터의 크기가 가변적이기 때문에 사용자의 분포에 따라 섹터별 부하의 차이를 줄일 수 있어 간섭제거 효과를 얻을 수 있었다. 시뮬레이션 결과 가우스 분포를 하는 사용자 수에 따라 섹터의 크기가 가변됨을 확인할 수 있었고, 고정된 섹터 시스템에 비해 동일한 SNR에 대해 오율성능이 개선됨을 알 수 있었다. 채널 환경으로는 가우스 잡음, 레일리 페이딩 및 다중 사용자 간섭을 고려하였고 변복조 시스템은 BPSK로 하였다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2001년도 종합학술발표회 논문집 Vol.11 No.1
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• pp.29-33
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• 2001

본 논문은 IMT-2000용 동기(cdma2000) 및 비동기(W-CDMA) 통신시스템간의 가드 밴드와 전파간섭에 관한 것으로, ITU-R SM.337-4 권고(안)과 수신필터 특성을 반영한 ACIR(Adjacent Channel Interference Ratio) 표준규격을 IMT-2000의 특징인 다층 셀 구조에 적용하여 두 시스템간의 가드밴드로 1.5625MHz를 제안했다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권5호
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• pp.601-605
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• 1995

This study was concerned, after the oxide films(50 [.angs.]) were grown in a furnace and the MOS capacitor fabricated, with experimental comparison and verification about the Interference Effect of Electronic Waves in the ultra thin oxide/silicon interface. The average error was about 0.8404[%] in n'gate/p-sub and about 0.2991[%] in p$^{+}$gate/p-sub. Therefore, it was predicted that the Interference Effect of Electronic Waves can overcome somewhat according to the gate polarity.