• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2009.11a
• /
• pp.170-170
• /
• 2009

From the analysis of current density-luminance-voltage characteristics of the double layered device in ITO/N,N'-diphenyl-N-N'bis(3-methylphenyl)-1,1'biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/Al, we divided the conductive mechanism by four region according to applied voltage. We have obtained a coefficient of ${\beta}_{ST}$ in schottky region (I) is $4.14{\times}10^{-24}$ at the electric field of $3.2{\times}10^5$ V/cm, a slope in negative resistance region (II) appears negative properties decreasing the current density J for proportional in -1.58 square at a electric field of $7.3{\times}10^5$ V/cm. A coefficient of ${\beta}_{PF}$ in Poole-Frenkel region (III) is $8.28{\times}10^{-24}$ at the electric field of $8.4{\times}10^5$ V/cm, it was confirm어 that ${\beta}_{PF}$ is agrees with a value that relates with ${\beta}_{ST}$ such as ${\beta}_{PF}=2{\beta}_{ST}$ as the ${\beta}_{PF}$ and 2 ${\beta}_{ST}$ satisfied a theoretical prediction. And it was obtained a potential barrier of ${\Phi}_{FN}$ in Fower-Nordheim region(IV) is 0.3 eV at the electric field of $11.2{\times}10^5$ V/cm.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.30 no.11
• /
• pp.717-721
• /
• 2017

We studied the performance enhancement of organic light-emitting diodes (OLEDs) using 2,3,5,6-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane ($F_4-TCNQ$) as the hole-transport layer. To investigate how $F_4-TCNQ$ affects the device performance, we fabricated a reference device in an ITO (170 nm)/TPD(40 nm)/$Alq_3$(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm) structure. Several types of test devices were manufactured by either doping the $F_4-TCNQ$ in the TPD layer or forming a separate $F_4-TCNQ$ layer between the ITO anode and TPD layer. N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD), tri(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$), and $F_4-TCNQ$ layers were formed by thermal evaporation at a pressure of $10_{-6}$ torr. The deposition rate was $1.0-1.5{\AA}/s$ for TPD and $Alq_3$. The LiF was subsequently thermally evaporated at a deposition rate of $0.2{\AA}/s$. The performance of the OLEDs was considered with respect to the turn-on voltage, luminance, and current efficiency. It was found that the use of $F_4-TCNQ$ in OLEDs enhances the performance of the device. In particular, the use of a separate layer of $F_4-TCNQ$ realizes better device performance than other types of OLEDs.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.12 no.3 s.36
• /
• pp.213-217
• /
• 2005

The polymer light emitting diodes (PLED) with ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al structure were prepared on ITO(indium tin oxide)/Glass substrates using PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)] as the hole transport material and MEH-PPV[poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)] as emission material layer. The dependences on the surface roughnees and friction coefficient between film layers were investigated as a function of the MEH-PPV concentrations$(0.1\;wt\%\~0.9\;wt\%)$. The RMS values decreased from 1.72 nm to 1.00 nm as the concentration of MEH-PPV increased from $0.1\;wt\%\;to\;0.9\;wt\%$, indicating improvement of surface roughness. In addition, friction coefficients decreased from 0.048 to 0.035, which means the deteriorating of the adhesion condition. The PLED sample with $0.5\;wt\%$ of MEH-PPV showed the maximum luminance of $409\;cd/m^2$.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.12 no.10
• /
• pp.4590-4599
• /
• 2011

The Color shift phenomenon is becoming a major degradation factor of the emitting color purity in the organic emitting diodes which is generating a plurality of colors. In this study, the basic structure of organic light emitting diode device is comprised of ITO/${\alpha}$-NPD/$Alq_3$:DCJTB[wt%]/$Alq_3$/Mg:Ag, we have carry out numerical simulation of the electric-optical characteristics in organic light emitting diode device to estimate the mechanism of color shift phenomenon. We have investigated the causes of the color shift through the change of DCJTB doping concentration ratio. As the result, we have confirmed that the changes of the recombination rate which generated by trapped electrons and holes is one of the major factors for the color shift phenomenon.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.22 no.1
• /
• pp.74-80
• /
• 2009

In the structure of ITO/N,N'-diphenyl-N,N' bis (3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris (8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/Al device, we studied the efficiency improvement of organic light-emitting diodes due to variation of deposition rate of hole transport layer (TPD) materials using hole-size of crucible boat. The thickness of TPD and $Alq_3$ was manufactured 40 nm, 60 nm, respectively under a base pressure of $5{\times}10^{-6}$ Torr using a thermal evaporation. The $Alq_3$ used for an electron-transport and emissive layer were evaporated to be at a deposition rate of $2.5\;{\AA}/s$. When the deposition rate of TPD increased from 1.5 to $3.0\;{\AA}/s$, we studied the efficiency improvement of TPD using the hole-size of crucible is 1.0 mm. When the deposition rate of TPD is $2.5\;{\AA}/s$, we found that the average roughness is rather smoother, the luminous efficiency the external quantum efficiency is superior to the others. Compared to the two from the devices made with the deposition rate of TPD is $2.0\;{\AA}/s$ and $3.0\;{\AA}/s$, the external quantum efficiency was improved by four-times and two-times, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.87-88
• /
• 2008

In the structure of ITO/N,N'-diphenyl-N,N' bis (3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris (8-hydroxyquinoline)aluminum$(Alq_3)$/Al device, we studied the efficiency improvement of organic light-emitting diodes due to variation of deposition rate of TPD materials. The thickness of TPD and $Alq_3$ was manufactured 40 nm, 60 nm, respectively under a base pressure of $5\times10^{-6}$Torr using a thermal evaporation. The $Alq_3$ used for an electron-transport and emissive layer were evaporated to be at a deposition rate of 2.5 $\AA$/s. When the deposition rate of TPD increased from 1.5 to 3.0 $\AA$/s, we found that the average roughness is rather smoother, external quantum efficiency is superior to the others when the deposition rate of TPD is 2.5 $\AA$/s. Compared to the ones from the devices made with the deposition rate of TPD 3.0 $\AA$/s, the external quantum efficiency was improved by a factor of eight.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2003.05c
• /
• pp.111-115
• /
• 2003

200nm 정도의 두께를 가진 SBT 박막이 liquid delivery MOCVD 공정에 의해 (111) oriented Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착되었다 이 실험에서는 $Sr(TMHD)_2$tetraglyme, $Bi(ph)_3$ 그리고 $Ta(O^iPr)_4$(TMHD)를 출발 물질로 사용하였다. Sr 출발 물질의 열적 안정화를 위해서 adduct로 tetraglyme를 사용하여 실험하였고 유기 용매로는 n-butyl acetate를 사용하였다 Substrate temperature와 reactor pressure는 각각 $570^{\circ}C$와 5Torr로 유지시켰다. 또한 vaporizer의 용도는 $190-200^{\circ}C$, 그리고 delivery line 의 온도는 vaporizer 보다 높게 유지 $(220-230^{\circ}C)$하여 출발 용액을 분당 0.1ml로 50분간 주입하였다. 수송가스로 Ar, 산화제로 $O_2$ 가스를 사용하였다. 제조한 SBT 박막은 $750^{\circ}C$에서 열처리한 후 인가전압 3V와 5V에서 $2P_r$값이 각각 6.47, $8.98{\mu}C/cm^2$이었으며, $2E_c$값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 2.05, 2.31V이었다 그리고 $800^{\circ}C$에서는$750^{\circ}C$에서 열처리한 SBT 박막보다 다소 우수한 이력특성을 나타내어 $2P_r$ 값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 7.59, $10.18{\mu}C/cm^2$ 이었으며, $2E_c$값은 인가 전압 3V와 5V에서 각각 2.00, 2.21V 이었다.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.41 no.3
• /
• pp.144-149
• /
• 1997

Organic electroluminescence devices(ELD) were fabricated using by molecularly doped method with N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD) as a hole transport agent, squarylium dye as an emitting agent, and side chain liquid crystalline polymer(MCH) as matrix for TPD. An indium-tin-oxide(ITO) coated glass and an Mg electrode were used as the hole and the electron injecting electrode, respectively. The highest stability of ELD was obtained by spin coating method using dichloroethane as a solvent at a polymer/TPD concentration of 0.005 wt%. For the EL cell with ITO/polymer-TPD/SQ dye/Mg structure, we achieved light red luminescence at a current of 102 mA/$cm^2$ with an applied voltage of 23 V.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.475-475
• /
• 2012

백색 유기발광소자는 매우 얇고, 가볍고, 저전력 구동이 가능하다는 점에서 전색 디스플레이나 조명 시장에서 많은 관심을 끌고 있다. 고효율을 가진 백색 유기발광소자의 제작을 위해서는 일반적으로 쉐도우 마스크를 사용하여 발광 패턴을 만들기 때문에 제작 비용이 비싸다는 단점을 가진다. 본 논문에서는 제작 공정이 간단하고, 저비용의 장점을 가지는 용액 공정을 사용하여 나노 구멍 구조를 가지는 적색 고분자와 청색 저분자의 혼합 발광층으로 백색 유기발광소자를 제작하였다. 이 나노 구멍 구조를 가지는 poly[2-methoxy, 5-(2'-ethyl-hexyloxy)-p-phenylene vinylene] (MEH-PPV)/ 2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (MADN) 혼합 발광층의 전기적, 광학적 특성을 분석하기 위하여 MEH-PPV/MADN 적층 구조를 가지는 백색 유기발광소자를 제작하여 비교, 분석하였다. 나노 구멍 구조를 가지는 혼합 발광층의 발광 스펙트럼에서 적층 구조보다 청색 파장대의 빛의 비율을 높일 수 있었다. 그 이유는 나노 구멍 구조를 가지는 혼합 발광층에서 정공수송층인 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) 층과 청색 발광층 사이의 일부분 접합부분의 정공 주입 때문이다. 또한, 혼합 발광층을 가진 백색 유기발광소자의 전류 밀도와 휘도는 구멍을 가진 MEH-PPV 층 때문에 상당히 증가하는 것을 알 수 있다. 혼합 발광층을 가진 백색 유기발광소자의 적색과 청색의 균형은 나노 구멍의 크기를 통해서 조절이 가능하고, 색 안정성은 정공 주입층과 청색 발광층 사이의 직접 접촉에 의한 구동 전압의 변화를 따라 증가시킬 수 있었다. 그 결과, 혼합 발광층을 가지는 백색 유기발광소자에서 적색과 청색 발광층의 발광 균형은 스핀 코팅 속도가 3,000 rpm일 때, 최적의 결과를 나타내었다. 이러한 실험 결과들은 저분자/고분자로 이루어진 혼합 발광층을 가진 백색 유기발광소자에서의 전자와 정공의 전달 및 발광 메커니즘을 분석할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.08a
• /
• pp.320-320
• /
• 2011

차세대 디스플레이로 각광 받고 있는 유기발광소자는 빠른 응답속도, 넓은 시야각 및 얇은 두께로 제작이 가능한 장점들을 가지고 있으나, 고효율 유기발광소자를 제작하기 위하여 엑시톤 형성 효율을 증가시키고 형성된 엑시톤의 소멸을 감소시켜 발광 효율을 증진하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 유기발광소자의 발광 효율을 증진하기 위하여 소자의 구조에 대한 구조적 연구와 발광 물질에 대한 재료적 연구 등이 진행되고 있으며, 그 중에서 발광층에 사용하는 인광 물질은 삼중항 상태의 엑시톤을 광자로 천이할 수 있는 특성이 있어서 높은 발광 효율의 유기발광소자 제작이 가능하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나 인광 물질을 사용한 유기발광소자의 엑시톤 수명이 형광 물질을 사용한 유기발광소자의 엑시톤 수명보다 길기 때문에, 인광 물질을 사용한 유기발광소자에서 형성된 삼중항 엑시톤끼리 서로 충돌하여 소멸될 확률이 높아지는 문제점이 있다. 또한, 인광물질을 사용한 유기발광소자 동작시에 높은 전류 영역에서 삼중항 엑시톤 형성 양이 많아서 삼중항 엑시톤 소멸 확률이 증가하는 문제점이 있다. 본 연구에서는 고효율 유기발광소자를 제작하기 위하여 유기발광소자의 발광층으로 인광 호스트 물질에 iridium을 포함한 중금속 착화합물 계열의 녹색 인광 도펀트 물질인 tris(2-phenylpyridine) iridium(III) ($Ir(ppy)_3$)를 도핑하였다. 제작된 유기발광소자는 전류 증가에 따른 삼중항 엑시톤 충돌로 인한 발광 효율 감소를 억제하기 위하여 인광 도펀트인 $Ir(ppy)_3$와 같은 lowest unoccupied molecular orbital 준위를 가지는 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline 전자 수송층을 사용하였다. 전기적 및 광학적 특성 분석 결과 제작된 유기발광소자에서 삼중항 엑시톤 소멸을 최소화하여 발광 효율이 증가한 것을 확인하였다. 본 실험의 결과는 $Ir(ppy)_3$을 도핑한 녹색 인광 유기발광소자의 삼중항 엑시톤 충돌을 억제하여 유기발광소자의 발광 효율을 증진하는 메커니즘을 이해하는데 중요하다.