• 제목/요약/키워드: 전자소재

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PZT-PZN 세라믹의 미세구조가 압전 특성 및 TCC 거동에 미치는 영향 (Effect of Microstructure on Piezoelectric Properties and TCC Behavior in PZT-PZN Ceramics)

  • 서인태;최용수;조유리;강형원;김강산;천채일;한승호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제35권5호
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    • pp.445-451
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    • 2022
  • Ultrasonic sensor is suitable as a next-generation autonomous driving assist device because its lower price compared to that of other sensors and its sensing stability in the external environment. Although Pb(Zr, Ti)O3 (PZT)-relaxor ferroelectric system has excellent piezoelectric properties, the change in capacitance is large in the daily operating temperature range due to the low phase transition temperature. Recently, many studies have been conducted to improve the temperature stability of ferroelectric ceramics by controlling the grain size and crystal structure, so it is necessary to study the effect of the grain size on the piezoelectric properties and the temperature stability of PZT-relaxor ferroelectric system. In this study, the piezoelectric properties, phase transition temperature, and temperature coefficient of capacitance (TCC) of 0.9 Pb(Zr1-xTix)O3-0.1 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 (PZTx-PZN) ceramics with various grain sizes were investigated. PZTx-PZN ceramics with larger grain size showed higher piezoelectric properties and temperature stability, and are expected to be suitable for ultrasonic devices in the future.

'93년도 기계류 부품 소재 국산화 대상 2차 고시 품목

  • 한국전자산업진흥회
    • 전자진흥
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    • 제13권10호
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    • pp.47-58
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    • 1993
  • 본고는 상공자원부 고시 1993-81로 기계류, 부품 및 소재산업 육성을 통한 수입대체를 촉진하기 위하여 '93년 중점 국산화 대상품목을 고시한 내용인데 이중 전자기기류 및 동부품 134개 품목을 게재한 내용이다. (개발 맟 양산대상 품목 98개, 양산대상 품목 36개)

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2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성 (DC and RF Characteristics of 100-nm mHEMT Devices Fabricated with a Two-Step Gate Recess)

  • 윤형섭;민병규;장성재;정현욱;이종민;김성일;장우진;강동민;임종원;김완식;정주용;김종필;서미희;김소수
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제30권4호
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    • pp.282-285
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    • 2019
  • 본 연구에서는 2단계 게이트 리세스 방법을 사용하여 T-형 게이트 길이가 100 nm인 mHEMT 소자를 제작하였다. 제작한 소자는 65 mA의 드레인전류($I_{dss}$), 1090 mS/mm의 트랜스콘덕턴스($g_m$), -0.65 V의 문턱전압 ($V_{th}$) 등의 DC 특성을 보였다. 또한 차단주파수($f_T$) 190 GHz와 최대 공진주파수($f_{MAX}$) 260 GHz인 우수한 고주파 특성을 나타내었다. 제작한 mHEMT 소자는 향후에 W-대역의 MMIC 개발에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

MLCC용 유전체 소재의 연구개발 동향 (Recent Progress in Dielectric Materials for MLCC Application)

  • 서인태;강형원;한승호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제35권2호
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    • pp.103-118
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    • 2022
  • With the recent increase in demand for electronic devices, multi-layer ceramic capacitors (MLCCs) have become the most important core component. In particular, the next-generation MLCC with extremely high reliability is required for the 4th industrial revolution and electric vehicle applications. Therefore, it is necessary to develop dielectric ceramic materials with high dielectric properties and reliability. During the decades, electrical properties of BaTiO3 based dielectric ceramics, which have been widely used in MLCC industrial field, have been improved by microstructure and defect chemistry control. However, electrical properties of BaTiO3 have reached their limits, and new types of dielectric materials have been widely studied. Based on these backgrounds, this report presents the recent development trends of BaTiO3-based dielectric materials for the next-generation MLCCs, and suggests promising candidates to replace BaTiO3 ceramics.

갈륨 기반 액체 금속을 활용한 형태가변형 전자 소자의 최신 연구 동향: 소재 및 제조 공정 (Recent Research Trend in Deformable Devices Composed of Ga-based Liquid Metal)

  • 남예슬;한강토;정지환;이시영;배근열
    • 접착 및 계면
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    • 제24권2호
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    • pp.41-53
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    • 2023
  • 형태가변형 전자 소자는 늘림, 굽힘 등 기계적으로 변형된 상태에서도 초기 소자 특성이 유지되는 소자를 말한다. 형태가변형 전자 소자에 적용되는 여러 전도성 소재 중 갈륨 기반 액체 금속은 상온에서 액체 상태로 존재하며 우수한 형태가변성과 전기 전도성, 낮은 인체유해성으로 인해 최근 다양한 형태가변형 전자 소자에 적용되고 있다. 본 고에서는 최근 보고된 여러 연구들을 중심으로 갈륨 기반 액체 금속을 소개하고 이를 활용한 다양한 형태가변형 전자 소자 및 제조 공정에 대해 논하고자 한다.

나노선 연구에 있어서의 전자빔 식각기술의 응용

  • 김강현;김규태
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제17권6호
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    • pp.17-21
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    • 2004
  • 1948년 J. Bardeen 등에 의해 발명된 게르마늄 트랜지스터 이래로 반도체 공업은 숨 가쁘게 발전하여 현재는 $0.1\mu\textrm{m}$ 수준의 크기를 지나 $0.01\mu\textrm{m}$ 수준의 트랜지스터까지도 시연되고 있다[1,2]. 집적회로의 발전에는 대면적의 식각기술의 뒷받침과 끝임 없는 소재의 개발이 그 밑바탕이 되고 있어 앞으로의 발전에 있어서도 패턴닝 기술과 소재 기술은 다음 세대에도 반도체 산업발전의 원동력이 될 것임을 짐작해 볼 수 있다. (중략)

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광개시제 종류 및 함량에 따른 광경화형 잉크의 광경화 특성과 인쇄회로기판용 에칭 레지스트 소재로의 적용성 연구 (Investigating the Effect of Photoinitiator Types and Contents on the Photocuring Behavior of Photocurable Inks and Their Applications for Etching Resist Inks)

  • 김보영;조수빈;정과정;박성대;김지훈;최의근;유명재;양현승
    • 공업화학
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    • 제34권4호
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    • pp.444-449
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    • 2023
  • 전자 기기의 소형화, 집적화 및 박형화에 따라 인쇄회로기판 제조 시 미세한 회로 패턴이 요구되고 있다. 기존의 인쇄회로기판은 dry film resist를 이용한 photolithography 법을 적용하여 주로 제조하지만, 미세 회로 패턴 구현을 위해서는 정밀한 마스크 설계 및 고가의 노광장비 등이 필요하다는 한계점이 있다. 이에 따라서 최근에는 dry film resist를 대체하여 미세 회로 패턴 형성에 유리한 광경화형 잉크를 직접인쇄 공정을 통해 인쇄회로기판의 회로 패턴을 형성하는 연구들이 관심받고 있다. 광경화형 잉크를 통한 회로 패턴 형성을 위해서는 동박과의 밀착성, 패턴 형성 과정에서의 에칭 저항성, 박리 특성의 제어가 필수적이다. 본 연구에서는 광개시제 종류 및 함량이 다른 여러 광경화형 잉크를 제조하고 이들의 광경화 거동을 분석하였다. 또한, 광경화형 에칭 레지스트 잉크로의 적용성 평가를 위해 에칭 저항성, 박리성, 밀착성 등을 분석하였다.