• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.346-346
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• 2009

저손실 고투자율 특성을 갖는 $\alpha$-Fe 나노결정 자심재료를 제조하기 위해 열처리 온도를 변화시켰으며 투자율과 신호전송 특성을 측정한 결과 $510^{\circ}C$에서 열처리된 자심재료에서 가장 우수한 특성을 얻었다. 저주파 대역에서의 신호전송 특성은 자심재료의 자기적 특성에 지배적인 영향을 받으며, 고주파 대역의 신호전송 특성은 임피던스 매칭으로 향상시킬 수 있었다. 에어-캡은 $500{\mu}m$ 이상 적용할 때, 100 A이상까지 안정적인 특성을 발휘하였다. 그리고 고역통과 필터의 설계와 신호결합장치에의 적용을 통해 통신대역 이외의 노이즈를 제거할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.05e
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• pp.77-80
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• 2003

MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술에서 실리콘 식각기술의 중요성으로 플라즈마 식각기술의 개발이 꾸준히 진행되고 있다. 이중에서 ICP(Inductive Coupled Plasma)는 기존의 증착장치에 유도결합식 플라즈마를 추가로 발생시켜 증착막의 특성을 획기적으로 개선시키는 가장 최근에 개발된 기술이며, 이용에너지를 증가시키지 않고도 이용밀도를 높이고 이용업자들에 방향성을 가할 수 있는 새로운 플라즈마 기술로, 주로 MEMS 제조공정에 응용되고 있다. 본 연구에서는 STS-ICP $ASE^{HR}$을 이용하여 식각과 증착공정을 반복하여 식각을 하는 Bosch 식각에 관하여 연구하였다 STS-ICP $ASE^{HR}$ 장비의 Platen power, Coil power 및 Process pressure에 다양한 변화를 주어 각 변수에 따른 식각속도를 관찰하였다. 각 공정별 변수를 변화시킨 결과 Platen power 12W, Coil power 500W, 식각/Passivation Cycle 6/7sec 일 경우 식각속도는 $1.2{\mu}m$/min 이었고, Sidewall profile은 $90{\pm}0.7^{\circ}$로 나타나 매우 우수한 결과를 보였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.5
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• pp.428-434
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• 1993

유기물 중에서 광기능성을 가지는 벤젠, 비닐 피리딘 및 스티렌 단량체를 채택하였다. 내정전결합 유동가스형 중합장치를 사용하여 플라즈마 박막을 제조하였으며 이들의 광학특성을 분석하였다. 중합시간, 압력 및 단량체 유량을 일정하게 유지하고 방전전력을 증가시키면 스티렌 박막의 중합률은 선형적으로 증가하나 벤젠 및 비닐 피리딘 박막의 증합률은 비선형적으로 증가한다. 그리고 파장이 변화에 따른 굴절률은 1.55~1.65 정도를 나타냈다. 박막의 굴절률은 방전전력의 증가에 따라 감소하게 된다. 또한 굴절률의 변화에 대한 소멸계수(K)의 계산이 $10^{-3}$정도의 범위에 있으므로 측정 결과가 타당함을 알 수 있다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.13 no.6
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• pp.502-508
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• 2000

In order to detect the partial discharge with the metallic particle in GIS the AE(Acoustic Emission) sensor was designed and simulated by ANSYS 5.5 and manufactured as the coupled vibration mode. The measured resonant frequency and the maximum sensitivity frequency of three coupled AE sensors were as follows ; 147.88 kHz in 8.1mm $\Phi$$\times$8.1mm 128.82 kHz and 58.8 kHz in 9.5 mm$\Phi$$\times$9.5mm, 85.22 kHz and 32.6 kHz in 14.3 mm$\Phi$$\times$14.3 mm, resonant frequency of the AE sensor. The AE sensor of 9.5 mm$\Phi$$\times$9.5mm responded higher than the other coupled vibration mode AE sensor at the partial discharge detection in GIS.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.382-383
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• 2006

본 연구에서는 열처리 본딩장비를 실제로 개발하여 Al/Sus와 Al/Al의 두 재료를 서로 본딩 하였다. 열처리 본딩 실험을 하기 위해서 열처리시에 온도분포를 정확히 파악하기 위해서 컴퓨터모의실험으로 같은 재료인 Al/Al과 서로 다른 재료인 Al/Sus의 온도분포를 나타내었다. 본딩된 두 가지의 sample들을 FESEM으로 접합부의 표면조직 상태를 측정하였고 인장력측정 장치로 bonding strength를 측정하였다. 접착제를 사용한 본딩 sample 보다는 더 본딩 결합력이 크다는 것을 확인할 수 있었다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.5
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• pp.10-19
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• 2009

본 논문에서는 통신과 방송서비스가 하나의 기기 또는 단말장치 안에서 결합되고 단말 내부에서는 디바이스의 통합에 따라 코덱의 개수를 최소화하기 위한 음성기반 오디오 융합코덱의 기술동향에 대해 기술한다. 하지만 기술적으로 완전히 태생이 다른 음성과 오디오 코덱을 진정한 의미에서 융합할 수 있는 기술적 모델과 기법은 아직 개발되지 않고 있다. 본 고에서는 이러한 시도의 일환으로 ITU-T SGl6을 중심으로 진행되고 있는 음성기반 코덱을 점진적 대역폭 확장 기술을 사용하여 광대역 음성, 슈퍼와이드 밴드 및 향후 오디오 대역까지 커버할 수 있는 임베디드 가변비트율 코덱기술을 중심으로 기술동향의 분석을 시도한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.32 no.2
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• pp.29-36
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• 2017

본고에서는 바이오 기술(BT: Bio Technology)의 주요 소재인 DNA(DeoxyriboNucleic Acid, 디옥시리보핵산)를 정보기술(IT: Information Technology)과 나노 기술(NT: Nano Technology)에 적용한 세 가지 DNA 응용 기술 동향에 대해 소개하였다. 먼저 1958년 프랜시스 크릭(Francis Crick)이 주장한 센트럴 도그마(Central Dogma)의 출발점인 DNA의 구조와 기능에 대해 최대한 자세히 소개하였고, DNA의 염기 서열 방식을 이용한 DNA 저장장치에 관해 설명하였다. 그다음 장에서는 DNA의 자기 조립(Self-Assembly) 능력과 자기 복제 능력 및 다른 분자를 인식하여 결합하는 특성을 정보기술에 적용한 DNA 컴퓨터에 대해 설명하였다. 마지막으로, 나노 단위의 DNA 구조를 응용한 나노 기술 중에서 다양한 나노구조물을 만드는 기술인 DNA 오리가미 기술에 대해 설명하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.8 no.1
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• pp.1-8
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• 1971

A survey meter which is used a G-M counter sensitive to beta and gamma radiation is studied. This device is completely transistorized, operated with battery, and can be read directly the 3 full-scale meter range: 2.5, 25 and 250 MR/HR respectively. The collector-coupled monostabel multivibrator consisting of a counting-rate meter circuit, and the astable blocking oscillator consisting of a dc-de converter for power supply are analyzed and derived the design dquations. To improve the resolving time of the G-M counter the device is designed to be triggered by low pulse in the order of 0.5v.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07a
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• pp.208-211
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• 2003

The dielectric carbon nitride thin films were deposited onto Si(100) using a pulsed laser ablation of pure graphite target combined with a high voltage discharge plasma in nitrogen gas atmosphere. We can be calculated dielectric constant, ${\varepsilon}_s$, with a capacitance Sobering bridge method. We reported to investigate the influence of the laser ablation of graphite target and DC high voltage source for the plasma. The properties of the deposited carbon nitride thin films were influenced by the high voltage source during the film growth. Deposition rate of carbon nitride films were found to increase drastically with the increase of high voltage source. Infrared absorption clearly shows the existence of C=N bonds and $C{\equiv}N$ bonds. The carbon nitride thin films were observed crystalline phase, as confirmed by x-ray diffraction data.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2010.07a
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• pp.256-258
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• 2010

MPM(Microwave Power Module)은 진공 전력증폭기인 진행파관(TWT,Traveling Wave Tube)과 반도체 전력증폭기(SSA, Solid State Amplifier)를 결합한 구조로서, 미세한 RF신호를 입력 받아 고출력의 RF 신호로 증폭하는 장치이다. 본 논문은 MPM을 구동하기 위해, 필요한 수 kV이상의 높은 전압을 TWT에 공급해주는 고전압 전원공급기(HVPS, High Voltage Power Supply)에 관한 것이다. Main Topology는 Resonant Phase Shift Full Bridge Converter이며, 승압의 효과를 높이기 위해 2차 측에는 Voltage Multiplier를 사용하였다. MPM을 구동하는데 필요한 전압인Cathode(-4kV), FE_Bias(-5.25kV), Collector(-2kV)를 생성하며, FE_ON, OFF신호에 따라 고전압 스위칭 동작을 하여, RF 증폭을 제어 할 수 있다. 최종적으로 Prototype을 제작하고, 고찰된 실험결과를 제시하여 개발된 HVPS의 우수성을 검증한다.