• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.216-216
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• 2010

Floating gate를 이용한 플래시 메모리와 달리 질화막을 트랩 저장층으로 이용한 silicon-oxide-silicon nitride-oxide silicon (SONOS) 구조의 플래시 메모리 소자는 동작 전압이 낮고, 공정과정이 간단하며 비례 축소가 용이하여 고집적화하는데 유리하다. 그러나 SONOS 구조의 플래시 메모리소자는 비례 축소함에 따라 단 채널 효과와 펀치스루 현상이 커지는 문제점이 있다. 비례축소 할 때 발생하는 문제점을 해결하기 위해 플래시 메모리 소자를 FinFET과 같이 구조를 변화하는 연구는 활발히 진행되고 있으나, 플래시 메모리 소자를 제작하는 기판의 변화에 따른 메모리 소자의 전기적 특성 변화에 대한 연구는 많이 진행되지 않았다. 본 연구에서는 silicon-on insulator (SOI) 기판의 유무에 따른 멀티비트를 구현하기 위한 듀얼 게이트 가진 SONOS 구조를 가진 플래시 메모리 소자의 subthreshold 전압 영역에서의 전기적 특성 변화를 조사 하였다. 게이트 사이의 간격이 감소함에 따라 SOI 기판이 있을 때와 없을 때의 전류-전압 특성을 TCAD Simulation을 사용하여 계산하였다. 전류-전압 특성곡선에서 subthreshold swing을 계산하여 비교하므로 SONOS 구조의 플래시 메모리 소자에서 SOI 기판을 사용한 메모리 소자가 SOI 기판을 사용하지 않은 메모리 소자보다 단채널효과와 subthreshold swing이 감소하였다. 비례 축소에 따라 SOI 기판을 사용한 메모리 소자에서 단채널 효과와 subthreshold swing이 감소하는 비율이 증가하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.214-214
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• 2010

단위면적 당 메모리 집적도를 높이기 위해 플래시 기억소자의 크기를 줄일 때, 셀 사이의 거리의 감소에 의한 간섭효과가 매우 커져 소자 크기의 축소가 한계에 도달하고 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 본 연구에서는 fringing field 효과를 이용한 SONOS 구조 게이트 위에 금속 공간층을 가지는 플래시 메모리 소자를 연구하였다. 소자에 소스와 드레인에 도핑을 하는 공정단계를 거치지 않아도 되는 fringing field 효과를 이용한 SONOS 구조를 가진 기억소자에서 트랩층 양 쪽에 절연막을 증착하고 게이트 외측으로부터 트랩층 양 쪽 절연막까지 금속을 증착시켜 금속 공간층을 형성하였다. 게이트에 전압을 인가할 때 트랩층 절연막 외측의 금속 공간층 영역에도 동시에 전압이 인가되므로 게이트가 스위칭 역할을 충분히 하게 하기 위해서 트랩층 양 쪽 절연막 두께를 블로킹 산화막 두께와 같게 하였다. 소자의 누설전류를 감소하기 위하여 채널 아래 부분에 boron으로 halo 도핑을 하였다. 제안한 기억소자가 fringing field 효과에 의해 동작하는 것을 확인하기 위하여 Sentaurus를 사용하여 제시한 SONOS 구조를 가진 기억소자의 전기적 특성을 조사하였다. 시뮬레이션을 통해 얻은 금속 공간층이 있을 때와 없을 때에 대한 각 상태에서 같은 조건으로 트랩층에 전하를 트랩 시켰을 때 포획된 전하량이 변하였다. 각 상태에서 제어게이트에 읽기 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 얻었으며, 각 상태에서의 문턱전압의 변화를 통해 금속 공간층이 있을 때 간섭효과가 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.243-243
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• 2011

현재 식각이나 증착, 이온주입 등에 반도체 공정에 플라즈마를 이용하고 있다. 이런 반도체 공정용 플라즈마 용기의 경우 플라즈마에 의한 용기의 스퍼터 등에 의해 금속 입자가 생성되어 공정중인 반도체 웨이퍼에 오염을 줄 수 있기 때문에 대부분의 공정용 용기는 아노다이징 알루미늄이나 세라믹 등을 사용한 부도체 용기를 사용하게 된다. 단일탐침법은 플라즈마내 금속 도체를 삽입한 후 바이어스 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 해석하여 측정하는 방법이다. 하지만 플라즈마와 측정 시스템의 공통된 기준전압이 있어야만 측정이 가능하다는 단점을 가지고 있다. 따라서 일반적으로 많이 사용하는 부도체 용기내의 플라즈마는 기존의 단일탐침법으로 측정이 어렵다. 또한 높은 플라즈마 전위를 가지고 있는 플라즈마의 경우 높은 전압에서 전류-전압특성의 측정시스템을 구축하기 매우 어려운 단점을 가지고 있다. 따라서 이런 경우에도 측정이 가능하도록 축전기의 과도현상을 이용하여 탐침이 전기적으로 부유된 단일탐침법을 연구하였다. 이 방법의 타당성 확인을 위하여 금속용기에서 플라즈마를 발생시켜 기존의 단일탐침법과 부유형 단일탐침법을 비교하였다. 기존의 단일탐침법과 비교 결과는 공정조건에 관계없이 상당히 유사하였다. 따라서 이 방법으로 기존 단일탐침법을 사용할 수 없는 높은 플라즈마 전위의 플라즈마나 부도체용기내의 플라즈마의 측정에 사용할 수 있을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.262_263
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• 2009

본 논문에서는 배전계통에 초전도한류기 적용시 전압 Sag 개선효과를 분석하였다. 기존 배전계통의 Sag는 대부분 계통 고장으로 인한 것으로, 고장시 고장전류 증가로 인한 전압강하로 Sag가 발생하게 된다. 기존 계통에 초전도한류기가 설치되면, 설치 위치 및 임피던스 크기에 따라 고장전류가 저감되어 Sag개선 효과를 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 배전계통에 초전도 한류기 적용시 한류기 임피던스에 따라 Sag 개선효과를 CBEMA 곡선을 이용하여 분석하였다. 분석결과 피더 앞단에 설치할 경우 Sag 개선 효과가 가장 큰 것으로 나타났으며, 임피던스가 클수록, 리액터보다는 저항을 쓸수록 개선효과가 큰 것으로 나타났다. 또한 고장전류의 저감으로 인하여 차단기 트립시간이 늘어남에 따라 Sag의 지속시간은 보다 커지는 것으로 나타났다. 따라서 한류기 적용시 계전기 재정정을 통하여 트립시간을 조정할 경우 Sag의 크기에 많은 효과가 있는 것으로 분석되었다.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.34 no.2
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• pp.376-381
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• 2017

We were investigated by cyclic voltammetry to the stability through the electrochemical characteristics of Langmuir-Blodgett films mixed with myristic acid and stearic acid. Fatty acid mixture monolayer LB films was deposited by the LB method on the indium tin oxide(ITO) glass. The electrochemical properties was measured by cyclic voltammetry with a three-electrode system in 0.01 N $NaClO_4$ solution. The measuring range is continuously oxidized to 1650 mV, with an initial potential of -1350 mV was reduced. Scanning rates of 50, 100, 150, 200, and 250 mV/s was set. As a result, LB monolayer films of fatty acid mixture was appeared on irreversible processes by the oxidation current from the cyclic voltammogram. Diffusion coefficient (D) of fatty acid mixture was calculated $7.9{\times}10^{-2}cm^2s^{-1}$ at 0.01 N $NaClO_4$ solution.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.29 no.1
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• pp.88-94
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• 2012

In this study, the current-voltage curves for metals were measured using cyclic voltammetry. The relationship between the electrochemical properties and surface states of metals were investigated by Scanning Electron Microscope (SEM). In cyclic voltammetry, we used a 3-electrode system for the electrochemical measurements. The measurement was conducted at the condition that consists of the first reduction from the initial potential to -1350 mV, continuous oxidation to 1650 mV, and last reduction to the initial potential. The scan rates were 50, 100, 150 and 250 mV/s. The results show the C-V characteristics of metals to be for an irreversible process, which was caused by the oxidation current from cyclic voltammogram, when monoethanolamine (MEA) was used as a corrosion inhibitor. When we used MEA as a corrosion inhibitor, the diffusion coefficient was decreased as the concentration of electrolyte was increased. In the SEM images of copper, we observed an increase of surface corrosion at the increased electrolyte concentration. Addition of $1.0{\times}10^{-3}M$ corrosion inhibitor MEA reduced the effect of corrosion prevention due to the relatively large diffusion coefficient at the electrolyte concentration of 0.1N.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.31 no.1
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• pp.66-73
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• 2014

In this work, the current-voltage curves for stainless steel in the ethanolamine solution containing alkyl group were measured using the conventional three electrodes of cyclic voltammetry. Stainless steel as working electrode, Ag/AgCl electrode as reference electrode and Pt wire as counter electrode were used respectively. As a result, the C-V characteristics of stainless steel were to be for an irreversible process due to the oxidation current from cyclic voltammogram, using N-ethylethanolamine and N,N-dimethylethanolamine solutions. Effective diffusivity of corrosion inhibitors was decreased with increasing concentration. It was found from SEM images of the metal that the electrolyte (specific name ?)(0.5 N) as corrosion inhibitor was added into a N, N-diethylethanolamine solution ($1.0{\times}10^{-3}M$) containing copper and nickel, the corrosion inhibiting effect was enhanced.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.10a
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• pp.527-530
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• 2016

This paper presents curvature-compensated reference circuits operating under low-voltage condition and achieving low-power consumption with $0.35-{\mu}m$ standard CMOS process. The proposed circuit can operate under less than 1-V supply voltage by using MOS transistors operating in weak-inversion region. The simulation results shows a low temperature coefficient by using the proposed curvature compensation technique. It generates a graph-shape temperature characteristic that looks like a sine curve, not a bell-shape characteristic presented in other published BGRs without curvature compensation. The proposed circuits operate with 0.9-V supply voltage. First, the voltage reference circuit consumes 176nW power and the temperature coefficient is $26.4ppm/^{\circ}C$. The current reference circuit is designed to operate with 194.3nW power consumption and $13.3ppm/^{\circ}C$ temperature coefficient.

• 전기의세계
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• v.20 no.5
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• pp.40-42
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• 1971

XY recorder는 10여년전부터 널리사용되어 오는 기록계로 2개의 자동평형전위차계로 X, Y축방향에 arm과 pen의 결합으로 양자의 좌표축의 교점에서 pen이 평형정지하는 상태에 기록지자체가 servo motor로 이동되어 기록이 가능하게 된다. 특히 타기록계에 비하여 고감도(Ex. 0.5V/cm), 고정도(Ex. 0.3%)임은 물론 y=f(x)인 x,y의 함수관계가 기록되어 타기록계에서는 얻기 어려운 특징이 있어, analog computer의 해의 기록계로서, 도한 각종 검출변환기를 전설치하여 vacuum tube 혹은 diode transistor의 특성곡선, 전기철판등의 자성재료의 자화곡선, 회전기의 회전수-전압, 전류, 출력, 효율곡선, 금속재료의 온도 혹은 인신장곡선, pipe valve의 유량-압력곡선등 전기.전지.기계.재료.물리.화학등의 다각도용도로서 연구실험은 물론 생산현장에 있어서의 시험. 정리. 감시등의 치용이 활발히 급진하는 경향에 비추어 이 기록계 사용에 고려되어야할 noise제거의 한 방법을 소개하고저 한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.3
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• pp.12-12
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• 2001

PLZT(10/30/70), PLT(10) 및 PZT(30/70) 와 같은 강유전체 박막의 이력곡선을 field-dependent polarization 모델을 이용하여 시뮬레이션하고, 측정한 실험적 결과와 비교, 분석하였다. PZT(30/70) 박막의 경우, 5V 이상의 인가전압에서 분극의 포화현상이 둔감하게 나타나고 시뮬레이션 값과의 차이도 심해 강유전체 분극이 순수한 dipole 외에도 다양한 전하의 영향을 받아 형성된다는 사실을 알 수 있다. 또, quasi-MFISFET 소자의 드레인 전류는 field-dependent polarization 모델의 강유전체 이력곡선에서 얻은 파라미터를 square-law FET 모델에 적용시켜 효과적으로 추출하였고, 모델링 결과는 실험값과 유사하였다. 그리고, quasi-MFISFET 소자의 gate 에 -10V의 ′write′ 전압을 인가한 상태에서 PZT(30/70) 박막을 사용한 경우, PLZT(10/30/70), PLT(10) 박막 보다 빨리 채널이 형성되었는데, 그 원인은 강유전체 박막에 따른 retention 특성에서 PZT(30/70) 박막의 분극 감소가 PLZT(10/30/70), PLT(10) 박막의 분극 감소 보다 약 3∼4 배 이상 크다는 점에서 찾을 수 있다.