Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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2018.07a
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pp.519-520
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2018
본 논문에서는 배터리의 온도를 고려하여 효율적으로 고속 충전할 수 있는 방법에 대해 제안하였다. 제안된 방법은 충전하고자 하는 배터리의 온도에 따라 충전에 필요한 전압과 전류의 양을 조절하여 최적의 충전 환경을 만들어 배터리의 수명을 감소시키지 않는 최적의 충전 환경을 제공하는 것이다. 충전으로 인하여 배터리 내부에 있는 전해액, 활물질, 분리막 등의 반응성이 증가되어 배터리의 온도 상승과 수명 단축이 발생되는 현상을 고려하여 배터리의 열 발생으로 저하되는 충전량을 보상할 수 있도록 전압 또는 전류의 량을 조절하여 초기의 충전량을 유지할 수 있도록 하는 고속 충전 방법이다. 제안한 방법의 효율성을 검증하기 위해 리튬이온 배터리를 이용하여 일반적인 충전과 비교하여 실험하였다. 실험 결과 존 논문에서 제안한 방법이 기존의 충전방법보다 고속으로 충전되어 효율성이 입증되었다.
Kim, Jong-Guk;Lee, Seung-Hun;Gang, Jae-Uk;Kim, Do-Geun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.102-102
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2012
본 연구는 산업계 및 학계에서 많은 연구와 응용이 이루어지고 있는 스퍼터링 기술에 관한 것으로, 타겟의 사용효율 및 스퍼터링된 입자의 이온화, 에너지 증대의 관점에서 새로운 방식으로 접근한 스퍼터링 기술에 관한 것이다. 본 공정 연구는 기존의 마그네트론 스퍼터링과는 달리, 독립적인 플라즈마를 생성하고 이를 (-)전압이 인가된 스퍼터링 타겟으로 유도하여 2차 방전을 일으킴과 동시에 생성 입자의 이온화 및 에너지 가능하도록 한 것이다. 플라즈마 발생부에서는 $10^{13}cm^{-3}$ 이상의 고밀도 Ar 플라즈마를 생성하고, 이를 자장을 통하여 스퍼터링 타겟으로 균일하게 수송하며, 스퍼터링 전극에 인가된 (-)전압에 의하여 이온들이 스퍼터링을 발생시킨다. 스퍼터링 전류는 생성된 플라즈마 발생부의 방전전류에만 비례하며, 스퍼터링에 인가되는 전압과는 독립적으로 작용 가능하다. 그리고 기판의 박막 증착률은 스퍼터링 전류에 보다는, 스퍼터링 타겟에 인가한 전압에 따라 변화하며, 기판에 도달하는 이온의 전류 및 입자의 량은 플라즈마 발생부의 플라즈마 전류량과 인가 스퍼터링 전압에 관계하여 변한다. 이 방식으로 이용할 경우, 스퍼터링된 입자의 양과 이온화률을 독립적으로 제어할 수 있어, 기존의 마그네트론 스퍼터링 공정 대비하여 더 넓은 공정 윈도우를 확보하는 것이 가능하며, 또한 기존 마그네트론 스퍼터링에서 문제가 되고 있는 타겟 사용 효율을 높일 수 있는 가능성을 볼 수 있었다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.18
no.3
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pp.586-594
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2014
Maximizing the operating time by reducing the power consumption is important factor to operate sensor network under water networks. For efficient power consumption, dynamic voltage scaling method is available. This method operates low frequency when there is no workload. In case of abundant workload, high frequency operation completes hard work within short time, reducing power consumption. For this reason, complex cryptography should be computed in high frequency. In this paper, we apply dynamic voltage scaling method to cryptography and show performance evaluation. With this result, we can reduce power consumption for cryptography in under water communication.
Kim, Kyu-Young;Lee, Doo-Chan;Park, Jong-Sun;Kim, Soo-Won
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.47
no.6
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pp.13-21
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2010
A energy efficient $V_{pp}$ generator using a variable pumping frequency for mobile DRAM is presented in this paper. The proposed $V_{pp}$ generator exploits 3 stages of a cross-coupled charge pump for energy efficiency. Instead of using a fixed pumping frequency in the conventional $V_{pp}$ generator, our proposed $V_{pp}$ generator adopts a voltage-controlled oscillator and uses variable frequencies to reduce the ramp-up time. As a result, our $V_{pp}$ generator generates 3.0 V output voltage with 24.0-${\mu}s$ ramp-up time at 2 mA current load and 1 nF capacitor load with 1.2 V supply voltage. Experimental results show that the proposed $V_{pp}$ generator consumes around 26% less energy (1573 nJ $\rightarrow$ 1162 nJ) and reduces 29% less ramp-up time (33.7-${\mu}s$$\rightarrow$ 24.0-${\mu}s$) compared to the conventional approach.
In the continuous flow reductive treatment for recovery of silver from actual photographic wastewater, the effects of electrolysis time, applied potential, and the concentration of silver ion on the process have been examined. The efficiency of silver recovery for diluted photographic wastewater was increased with applied potential and reached its maximum at 6 V. However, the recovery of silver was shown to be decreased with potential above this. When the wastewater was undiluted, the efficiency of silver recovery was observed to rise as the applied potential became lower under the experimental conditions.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.26
no.6
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pp.593-596
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2015
In this paper, we design a high efficiency class E power amplifier operating at low drain bias voltage for wireless power transfers. A 13.56 MHz power amplifier is designed at drain bias voltage of 12.5 V using Si MOSFET with the breakdown voltage of 40 V. High quality-factor solenoidal inductor is designed and fabricated for use in output matching circuit to improve output power and efficiency. Input matching circuit simply consists of resistor and inductor to reduce the circuit area and improve the stability. The fabricated power amplifier shows the measured output power of 38.6 dBm with the gain of 16.6 dB and power added efficiency of 89.3 % at 13.56 MHz.
현재상용화 되어 있는 AC PDP는 Ne, Xe 혼합가스를 주로 사용한다. Xe gas의 비율이 높아짐에 따라 PDP의 휘도와 효율은 상승하지만 그와 동시에 방선 전압도 함께 상승하여 이 분야의 연구가 요구된다. 그래서 우리는 Ne gas를 버퍼 가스의 사용하괴 Xe gas를 0${\sim}$15%, Kr gas를 0${\sim}$50% 비율의 첨가하여 패널의 방전 개시 전압, 방선 유지 전압, 방선 마진, 휘도, 효율을 측정하였다. 그 결과 방선 개시 전압이 같고 효율이 각각 2.93[Im/w], 3.23[Im/w]인 Xe10%+Kr20%, Xe5%+Kr40%와 같은 최적의 3원 가스조합을 찾아내었다. 또한 Xe gas와 Kr gas의 합이 40%일 때 효율이 가장 좋아지는 것을 알 수 있었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.395.1-395.1
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2014
차세대 디스플레이 소자 기술로 많은 주목을 받고 있는 유기발광소자는 현재 전류효율 향상과 낮은 구동전압과 관련하여 연구가 활발하게 진행되고 있다. 음극과 양극 전극에서 유기물 층으로 전자와 정공의 주입이 많아져도 유기발광 층에서 재결합하는 전자와 정공의 균형이 맞지 않으면 전류 효율과 휘도가 낮아지는 문제점이 있다. 유기발광소자에서 홀 주입 층으로 사용하는 자기조립박막층은 일반적인 유기발광소자에서 정공의 이동도가 낮은 단점을 보완하여 발광층에서 전자와 정공의 균형을 향상하여 전류효율을 향상과 낮은 구동전압 특성을 나타낸다. 본 연구에서는 홀 주입 층으로 사용되는 각각의 자가조립박막을 형성할 물질이 용해되어 있는 에탄올 용액에 ITO를 담가 자가조립박막을 ITO 위에 형성 시킨다. 각각의 홀 주입 층으로 사용된 자가조립박막층의 chain group의 길이와 ITO와 결합하는 head group에 따라 달라지는 쌍극자 모멘트에 의한 홀 주입의 변화를 통해 각 소자의 전류효율과 구동전압 관찰할 수 있었다. 자가조립박막층의 chain group의 길이가 길어질수록 전극으로부터 유기물 층으로의 홀 주입을 방해하여 발광 층에서의 전자와 정공의 재결합 균형이 무너짐으로써 전류효율과 휘도가 낮아지는 경향을 볼 수 있었다. 이 연구 결과는 자가조립박막층을 홀 주입 층으로 대체하는 구조로 유기발광소자의 효율 향상에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.11
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pp.1091-1097
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2013
This paper presents a rectifier with comparator using unbalanced body biasing in $0.11{\mu}m$ RF CMOS process. It is composed of MOSFETs and two comparators. The comparator is used to reduce reverse leakage current which occurs when the load voltage is higher than input voltage. For the comparator, unbalanced body biasing is devised. By using unbalanced body biasing, reference voltage for comparator changing from high state to low state is increased, and it reduces time interval for leakage current to flow. 13.56 MHz 2 Vpp signal is used for input and $1k{\Omega}$ resistor and 1 nF capacitor are used for output load for simulation and experimental environment. In simulation environment, voltage conversion efficiency(VCE) is 87.5 % and Power conversion efficiency(PCE) is 50 %. When the rectifier is measured, VCE shows 90.203 % and PCE shows 45 %.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.20
no.9
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pp.1755-1762
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2016
In this paper, a small areal dual-output SC(switched capacitor) DC-DC converter with a improved range of an input voltage is presented. The conventional SC DC-DC converter has an advantage of low cost and small chip area. But, it has a narrow input voltage range to convert efficiently. Also, it has a lager chip area and a lower power efficiency from multiple outputs. The proposed SC DC-DC converter improves the power efficiency by using the capacitor array structure which efficiently converts the voltage according to the input voltage. By sharing two switch array, it reduces the number of switches and capacitors from 32 to 25. The proposed SC DC-DC converter was manufactured in a $0.18{\mu}m$ CMOS process. In the simulation, the range of the input voltage is 0.7~ 1.8V, the max. power efficiency is 90%, and the chip area is $0.255mm^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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