• 에너지공학
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• 제9권2호
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• pp.130-137
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• 2000

신에너지 전원의 배전 계통과의 실제 연계 운전상에서 순간정전, 순간전압상승, 및 강하등의 전압가변 현상이 자주 발생하게 된다. 본 논문에서는 이러한 영향에 따른 문제점을 검증하여 사전에 대처할 수 있는 방안을 모색하고자 전력품질의 변화를 임의로 발생시키고 특정시간후에 다시 원상으로 회복시키는 전원의 전압가변 시험장치를 개발하였다. 개발한 시험장치는 개폐스위치, 바이패스 스위치, 가변 변압부, 전압·전류 검출부 직류전원공급기, 제어·구동부 , 표시·조작부 등의 구성을 가지고 있다. 개발한 시험장치의 정상적인 동작에 의한 기능을 확인하기 위하여 실제 배전 계통에 적용하여 순간정전, 순간전압상승 및 강하시험을 실시하며 전압·전류 파형을 측정·분석하여 시험장치의 신뢰성과 , 효용성을 검증하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권1호
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• pp.65-72
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• 1991

본 논문은 전극의 표면상태가 기체방전의 전리성장과 특성에 미치는 영향에 관한 것으로 질소-산소 혼합가스중의 순수전극과 오손전극의 상태에서 전압-전류 특성과 글로우방전 개시전압을 측정하였다. 순수전극의 경우, 압력과 전극간의 거리의 곱이 8(Torr-cm)이하이고 산소의 혼입량이 0.005(%)이하일 때의 전리성장은 암류로부터 안정타운젠트방전을 거쳐 글로우방전으로 이행되었으며 글로우방전 개시전압은 거의 일정하였다. 동일의 전극표면상태에서 조차 방전개시전압은 산소혼입비에 의존하며 방전횟수에 따른 이의 변화는 산소의 함량이 0.1(%)부근에서 크게 나타났다. 방전횟수와 산소혼입량의 증가에 따른 방전개시전압의 상승은 주로 전극표면에서의 산소흡착층의 형성과 부착작용에 의한 NO, $O_{2}$, NO$_{2}$, $O_{3}$와 간은 부이온의 생성에 기인된 것으로 여겨진다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2010년도 추계학술발표논문집 1부
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• pp.142-146
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• 2010

기존의 전압강하 해석방법은 4상한의 전압강하분만 고려하여 계산을 수행하여 분산전원의 연계에 따른 역조류의 영향을 전혀 고려할 수 없어서, 분산전원이 투입하게 되면 전압강하 크기인 스칼라에 방향만 반대로 표시함으로써 전압강하 계산에 큰 오차를 발생시킬 수 있는 문제점을 안고 있다. 따라서 본 논문에서는 분산전원의 투입에 따라 변하게 되는 역률(Cos${\theta}$)을 고려하여 분산전원 연계에 따른 역조류의 영향을 수학적인 삼각함수의 좌표평면 해석방법에 기반하여 분산전원의 출력량을 고려한 분산전원 대응형 전압강하계산 알고리즘을 제안하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.692-693
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• 2011

국가의 녹색성장 정책으로 풍력 및 태양광 등의 신 재생 에너지가 배전계통에 지속적으로 연계 운용될 것이다. 하지만 태양광 및 풍력의 출력변동으로 배전계통 전압품질에 상당한 영향을 미칠 수 있다. 여기에 더하여 부하특성에 의한 부하전류 변동 또한 전압문제에 직접적으로 영향을 미친다. 이에 따라 본 논문에서는 PSCAD/EMTDC를 통해 가장 많이 이용되고 있는 부하모델인 ZIP모델을 이용하여 각각의 부하 특성과 3MW의 풍력이 배전계통 말단에 연계된 경우를 상정하여 풍속3[m/s]에서 12[m/s]로 급속한 변동시, 순시전압 데이터와 계통연계가이 드라인 의 순시전압변동 기준과 비교/분석을 통해 부하별 풍력발전의 전압변동특성을 해석하고자 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.143-144
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• 2008

최근 국내에서 가스절연송전선(GIL: Gas Insulated Transmission Line)의 실계통 도입을 인하여 345kV급 GIL의 개발 및 적용을 위한 연구 및 검토가 수행되고 있다. 이 중의 하나가 가공송전선로 사이의 일부구간을 지중화 하여 GIL로 대치할 경우에 나타날 수 있는 써지에 의한 과전압의 검토이다. 가공선로의 일부구간을 GIL로 대치하는 데 있어서, 변전소 단이 원거리일 경우에는 변전소 내부의 차단기나 단로기 등 개폐 써지에 의한 과전압의 영향은 감쇄효과로 인하여 그다지 크지 않으며, 뇌써지에 의한 과전압이 주요 영향 요소로 작용하고 있다. 따라서, 본 논문은 뇌써지에 의한 GIL-가공선로 구간의 과전압을 검토하기 위하여 GIL과 인접한 가공선로 구간에 낙뢰가 유입된 경우를 가정하여 GIL에 발생되는 과전압 및 보호협조 방안을 분석한다.

• 전력전자학회논문지
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• 제5권3호
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• pp.246-253
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• 2000

전동기의 제어기법과 제어기 등의 발달로 유도전동기는 산업용으로 널리 보급되고 있으며, 유도전동기를 고효율로 제어하기 위하여 PWM 인버터가 널리 사용되고 있다. 그리고 IGBT와 같은 고속 스위칭 소자의 발달로 인해 전압형 PWM 인버터의 스위칭 주파수가 증가가 가능하게 됐으며, 그로 인해 매우 우수한 동작 특성을 가지게 되었다. 그러나 고속 스위칭은 전압과 전류의 급격한 변화로 인해 매 스위칭마다 발생하는 고주파 성분의 커먼 모드전압과 전류를 발생하게 되고 이들은 베어링 전류와 축전압, 전도 및 방사 EMI, 기기의 절연수명 단축, 등의 악영향을 유발한다. 본 연구에서는 이러한 커먼 모드 전압과 전류에 대한 시스템 레벨 해석이 가능한 시뮬레이션 기법에 대해 실제 측정과 시뮬레이션을 통해 검정하였다. 이를 통해서 커먼 모드 전압과 전류가 PWM 인버터 시스템의 각 부에 미치는 영향을 쉽게 확인 할 수 있으며, 커먼 모드 전압과 전류의 저감을 위해 추가될 수 있는 부가적인 보조회로의 영향에 대해서도 제시된 시뮬레이션 기법을 통해 확인 할 수 있다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 1997년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.1-8
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• 1997

PWM(Pulse Width Modulation) 컨버터의 제어에 있어서, 입력전압의 왜곡을 고려하지 않을 경우, 시스템의 성능 저하를 초래하게 된다. 본 논문은 왜곡된 3상 입력전압이 PWM 컨버터에 미치는 영향을 분석하고, 성능을 개선하기 위한 제어기를 설계한다. 제안된 방식은 단위 역률을 만족시키면서, THD(Total Harmonic Distortion) 및 DC-link 전압의 저차 ripple을 감소시킨다.

• 한국산업안전학회:학술대회논문집
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• 한국안전학회 2003년도 추계 학술논문발표회 논문집
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• pp.124-129
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• 2003

현대의 산업계에서 많은 기기들은 민감한 전자부품들을 사용하고 있다. 이들 기기들은 전압의 변동에 민감하게 반응하여 오동작을 일으킬 수 있으며, 이로 인해 산업현장의 안전에 영향을 미치는 주요 요인이 되기도 한다. 특히 순시적인 전압 강하를 허용하지 않는 중요한 부하기기의 사용이 급증하고 있다. 따라서 순시전압저하(instantaneous voltage sag)는 전기의 신뢰성과 안전성에 위협을 주는 요인이다.(중략)

• 조명전기설비학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.3-11
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• 1998

스페이서 표면 파티클에 의한 오염의 영향은 SF6GIS의 절연내력을 현저히 감소시킨다. 이와 관련해서 우리는 평행평판전극 구성으로 SF6가스중에서 금속 및 비금속 파티클의 위치 및 형태를 변화시키면서 교류전압에서 섬락전압 특성과 파괴 기구에 대해서 연구했다. 주된 결과는 $\circled1$파티클 위치에 대한 섬락전압 감소의 영향은 갭중간에서 가장 적고 전극에서 미소간극 분리된 경우의 영향이 가장 커다. $\circled2$ 섬락전압 감소가 크게 되는 금속 파티클 일수록 FOV 포화 현상은 낮은 압력 영역으로 이동된다. $\circled3$0.6[mm]이하의 비금속 파타클은 섬락전압에 그의 영향을 미치지 않는다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권7호
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• pp.1311-1316
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• 2016

본 연구에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이에 따른 문턱전압이동에 터널링전류가 미치는 영향을 분석하고자 한다. 채널길이가 10 nm 이하로 감소하면 터널링 전류는 급격히 증가하여 문턱전압이동 등 2차효과가 발생한다. 단채널 효과를 감소시키기 위하여 개발된 비대칭 이중게이트 MOSFET의 경우에도 터널링 전류에 의한 문턱전압이동은 무시할 수 없게 된다. 차단전류는 열방사전류와 터널링 전류로 구성되어 있으며 채널길이가 작아질수록 터널링전류의 비율은 증가한다. 본 연구에서는 터널링 전류를 분석하기 위하여 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하였으며 채널 내 전위분포를 해석학적으로 유도하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 채널길이 가 작아질수록 터널링 전류의 영향에 의한 문턱전압이동이 크게 나타나고 있다는 것을 알 수 있었다. 특히 하단게이트 전압 등에 따라 터널링 전류에 의한 문턱전압 값은 변할지라도 문턱전압이동은 거의 일정하였다.