• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.41 no.4
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• pp.180-185
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• 1997

Zinc, cadmium, lead and copper were simultaneously determined by depositing metals at - 1.200 V vs. a Ag/AgCl(sat. KCl) reference electrode for 150 seconds on a hanging mercury drop electrode(HMDE) or a thin mercury film electrode(TMFE), followed by scanning towards anodic direction using differential pulse voltammetric(DPASV) and square wave voltammetric(SWASV) techniques. The linear calibration curves were obtained for four metal ions simultaneously determined by DPASV with a HMDE in the concentration range between 20 and 100 ppb. However, the linear calibration plots were obtained only for $Cd^{2+}$ and $Pb^{2+}$ in the simultaneous determinations with a TMFE in the concentration range up to 100 ppb using DPASV and up to 10 ppb using SWASV. DPASV with a TMFE was about 15 times more sensitive than DPASV with a HMDE for simultaneous determinations of $Cd^{2+}$ and $Pb^{2+}$. SWASV was about 5 times more sensitive than DPASV at a TMFE. Concentrations of zinc in seven different sediment samples determined by DPASV with a HMDE and inductively coupled plasma-mass spectrometry were compared, resulting with an excellent correlation coefficient of 0.9993 and with no significant difference between two methods after t-test.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.7 no.4
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• pp.861-866
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• 2012

The distance optimizing between coil and magnetic materials never be specified in the magnetic materials acceleration using the coil till now. We can know to be the distance which optimizes when being in the half position about the distance of intercoil by the result of the max point on the Differential calculus. Whether several top and bottom current segment coil structures were made and the steel ball in which the current segment coil structure is the magnetic materials could be accelerated in the optimizing distance or not confirmed. When the coil valley current about the mass of the steel ball was known as the experiment and it was but to be the nose consequently it applied to the magnetic materials and magnetic fluid, the optimal distance was solved between the coil and material.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.760_761
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• 2009

초전도 시스템에서 전류를 공급하는 역할을 하는 전류리드는 없어서는 안 될 핵심 부품이다. Powder-in-tube(PIT) 법으로 제작한 1세대(1G) 고온초전도 선재보다 열전달특성이 나쁜 2세대(2G) 고온초전도 선재를 이용하여 고온초전도 전류리드를 제작하였다. 사용한 선재는 미국 AMSC사 선재이다. 초전도 자석으로의 열침입을 최소화하기 위해 지지구조물은 GFRP를 사용하였고 금속연결부는 무산소동을 사용하였다. 2G 선재 6가닥을 사용하여 제작한 전류리드는 액체질소 온도에서 I-V 특성을 평가한 결과 약 400 A급 전류리드도 사용 가능하다고 판단되었으며, 열전달 특성을 측정하기 위해 무냉매형 특성평가장치를 사용하였는데, 77 K과 7 K 사이에서 약 50 mW정도 였다. 본 논문에선 2G 고온초전도 선재를 사용하여 제작한 전류리드의 전기적 열적 특성에 대해 논의하고자 한다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.15 no.4
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• pp.71-76
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• 2008

The mechanical properties of Ni-Fe alloy were varied with the current type, current density and bath conditions such as concentrations and temperature. The effect of electroplating parameters on the surface hardness, mechanical strength, residual stress and wear properties were investigated. The mechanical properties of electrodeposits with PC plating is superior to those with DC plating. Ni-Fe electrodeposits with PC has approximately 50% lower residual stress than that of DC plating. The tensile strength of PC electroplated specimen was 15% higher than that of DC electroplated specimen. The wear resistance of PC specimen was 30% improved relative to that of DC specimen.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.11 no.2
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• pp.111-117
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• 2002

In this paper, we proposed calibration techniques to improve measurement accuracy in the characteristic analysis system for semiconductor devices. Systematic errors can be reduced using proposed calibration techniques. Also, error current reduction procedures including leakage current and offset current are proposed to measure low-level current in pA level. Calibration parameters are calculated and stored by microprocessor using least-square fitting with measured sample data. During measurement time microprocessor corrects measured data using stored calibration parameters. Experimental results show that current measurement error above nA level is less than 0.02%. And they also show that current measurement in pA level can be performed with about 0.2% accuracy.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.948-949
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• 2015

일반적으로 IPMSM의 전압방정식은 d축과 q축이 90도의 위상차를 가지고 있기 때문에 d-q축 간의 상호 인덕턴스를 고려하지 않는다. 하지만 실제로는 d축의 인덕턴스는 q축 전류에 영향을 받으며, 반대로 q축의 인덕턴스도 d축 전류에 영향을 받는다. 따라서 비선형 모델링을 통해 실제 전동기의 형태에 더 가깝게 묘사 하였다. 또한 일반적인 수학식으로 계산하여 Ldq, Lqd를 구해 LPF 필터를 사용하였고 이산적인 최소자승법을 이용한 Gain값을 통해 과도상태에서 더 적합한 LPF와 최소자승법을 비교하는 논문이다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.12 no.6
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• pp.571-579
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• 1987

The integral equations used in electromagnetic fields theory can be used for scattering problems. We can obtain various characteristics of scatterer. Ie, power pattern, scattered field, by finding current distribution on the scatterer. In this paper, current distribution on polygonal cylinder is obtained using integral equations in 2 dimension. For numerical aualysis, the moment method is used with pulse function as a basis function and integral equation is used with extrapolation method, which saves cpu time.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.60-60
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• 1999

단결정 다이아몬드의 열전도도는 약 22W/cm.K로 열전도도가 가장 큰 물질로 알려져 있으며, 비저항은 10$\Omega$.cm 이상의 높은 값을 갖는다. 대부분 열전도도가 큰 것으로 알려진 물질들은 Cu, Ag 등과 같이 전자의 흐름에 의하여 열이 전도되기 때문에 큰 전기전도도를 함께 갖는 것일 일반적이다, 그러나, 다이아몬드는 빠른 phonon의 이동에 의하여 열전도가 이루어지므로 전기적으로 절연 특성을 갖으면서도 큰 열전도가 가능하다. 단결정 다이아몬드는 고방열 절연체로서 이상적인 물질 특성을 보여준다. 전기절연성을 갖는 열전도층으로 다이아몬드를 이용하기 위해서는 저가로 제조가 용이한 화학기상증착법을 이용하여야 한다. 화학기상증착법으로 제조된 다결정 다이아몬드 박막의 열전도도는 약 21W/cm.K로 여전히 매우 높은 값을 갖는 것으로 알려져 있지만, 비저항 값은 인위적으로 도핑을 전혀 하지 않은 상태에서도 106$\Omega$.cm 정도의 낮은 값을 갖는다. 전혀 도핑을 하지 않았음에도 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여 주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기전도성의 원인을 규명하는데 집중되고 있다. 아직 명확한 전도 기구는 제안되고 있지 못하지만 전도성의 원인은 수소와 관련이 있고 전도는 표면을 통하여 이루어진다는 것이다. 산(acid)을 이용하여 다결정 다이아몬드 박막을 세척하면 전기 전도성이 사라지고 높은 저항값을 갖는 박막을 얻게 되는데 박막을 세척하는 공정은 박막의 표면만을 변호시키므로 표면에 있던 전기전도층이 용액 처리를 통하여 제거되므로 전도성이 사라진다고 생각하는 것이다. 그러나, 본 연구에서는 두께가 두꺼울수록 저항값이 증가하는 것이 관찰되었고 기존의 측정방식인 수평적인 저항 측정법에 대하여 수직적 방향으로 저항을 측정하면 저항값이 1/2 정도 작게 측정되었다. 다결정 다이아몬드에서 표면을 통하여 전류가 흐른다면 박막의 두께에 따른 변화가 나타나지 않아야 하고 수직적인 전류 측정법이 오히려 더 큰 저항을 보여주어야 한다. 기존의 표면 전도 모델로는 설명되지 못하는 현상들이 관찰되었고 정확한 전기 전도 경로를 확인하기 위하여 전해 도금법으로 금속들이 석출되는 모습을 관찰하였다. 이 방법을 통하여 다결정 다이아몬드에서 전류는 결정입계를 통하여 전도됨을 알 수 있었다. 온도에 따른 다결정 다이아몬드의 전기전도도 변화를 관찰하였고 이로부터 활성화 에너지 값을 구할 수 있었다. 다결정 다이아몬드의 전도도는 온도에 따라서 0.049eV와 0.979eV의 두 개의 활성화 에너지를 갖는 구간으로 나뉘어졌다. 이로부터 다결정 다이아몬드에는 활성화 에너지 값이 다른 두 종류의 defect level이 형성되는 것으로 추정할 수 있고 이 낮은 defect level에 의하여 전도성을 갖는 것으로 생각된다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.10
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• pp.945-949
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• 1998

Ta(OC2H5)5와 NH3를 이용하여 Cycle-CVD법으로 산화탄탈륨 막을 증착하였다. Cycle-CVD법에서는 Ta(OC2H5)5와 NH3사이에 불활성 기체를 주입한다. 하나의 cycle은 Ta(OC2H5)5주입, Ar주입, NH3 주입, Ar 주입의 네 단계로 이루어진다. Cycle-CVD법으로 산화탄탈륨 막을 증착할 때, 온도 $250-280^{\circ}C$에서 박막의 증착 기구는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition:ALD)이었다. $265^{\circ}C$에서 Ta(OC2H5)5:Ar:NH3:Ar:NH3:Ar의 한 cycle에서 각 단계의 주입 시간을 1-60초:5초:5초:5초로 Ta(OC2H5)5 주입 시간을 변화시키면서 산화탄탈륨 막을 Cycle-CVD법으로 증착하였다. Ta(OC2H5)5주입시간이 증가하여도 cycle 당 두께가 $1.5\AA$/cycle로 일정하였다. $265^{\circ}C$에서 증착된 박막의 누설 전류는 2MV/cm에서 2x10-2A/$\textrm{cm}^2$이었고 열처리후의 산화탄탈륨 막의 누설 전류값은 $10-4A\textrm{cm}^2$ 이하고 감소하였다. 증착한 산화탄탈륨 막의 성분을 Auger 전자 분광법으로 분석하였다. 2$65^{\circ}C$에서 증착한 막의 성분은 탄탈륨 33at%, 산소 50at%, 탄소 5at%, 질소 12at% 이었으며 90$0^{\circ}C$, O2300torr에서 10분 동안 열처리한 박막은 탄탈륨 33at%, 산소 60wt%, 탄소 4at%, 질소 3at%이었다. 박막의 열처리 온도가 높을수록 불순물인 탄소와 질소의 박막 내 잔류량이 감소하였다. 열처리 후의 박막은 O/Ta 화학정량비가 증가하였으며 Ta의 4f7/5와 4f 5/2의 결합 강도가 열처리 전 박막보다 증가하였다. 열처리 후 누설 전류가 감소하는 것은 불순물 감소와 화학정량비 개선 및 Ta-O 결합 강도의증가에 의한 것으로 생각된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.329-337
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• 2001

It has been known that the leakage current in the low field region consists of the dielectric relaxation current and intrinsic leakage current, which cause the charge loss in dynamic random access memory (DRAM) storage capacitor using (Ba,Sr)TiO$_{3}$ (BST) thin film. Especially, the dielectric relaxation current should be seriously considered since its magnitude is much larger than that of the intrinsic leakage current in giga-bit DRAM operation voltage (~IY). In this study, thermally stimulated current (TSC) measurement was at first applied to investigate the activation energy of traps and relative evaluation of the density of traps according to process change. And, through comparing TSC to early methods of I-V or I-t measurement and analyzing, we identify the origin of the dielectric relaxation current and investigate the reliability of TSC measurement. First, the polarization condition such as electric field, time, temperature and heating rate was investigated for reliable TSC measurement. From the TSC measurement, the energy level of traps in the BST thin film has been investigated and evaluated to be 0.20($\pm$0.01) eV and 0.45($\pm$0.02) eV. Based on the TSC measurement results before and after rapid thermal annealing (RTA) process, oxygen vacancy is concluded to be the origin of the traps. TSC characteristics with thermal annealing in the MIM BST capacitor have shown the same trends with the current-voltage (I-V) and current-time (I-t) characteristics. This means that the TSC measurement is one of the effective methods to characterize the traps in the BST thin film.