• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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• v.35C no.12
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• pp.13-22
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• 1998

In this paper, we propose a high-performance BICS(built-in current sensor) which is fabricated in 0.8${\mu}{\textrm}{m}$ single-poly two-metal process for IDDQ testing of CMOS VLSI circuit. The CUT(circuit under test) is 4-bit full adder with a bridging fault. Using two nMOSs that have different size, two bridging faults that have different resistance values are injected in the CUT. And controlling a gate node, we experimented various fault effects. The proposed BICS detects the faulty current at the end of the clock period, therefore it can test a CUT that has a much longer critical propagation delay time and larger area than conventional BICSs. As expected in the HSPICE simulation, experimental results of fabricated chip demonstrated that the proposed BICS can exactly detect bridging faults in the circuit.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.94-95
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• 2017

본 논문에서는 양방향 브리지리스 역률 보상회로의 구동을 위해 필수적인 전류감지용 변류기 구조에 대해 연구한다. 이를 통해, 양방향 브리지리스 역률보상회로의 기존 전류감지방법들을 분석하고, 전류기의 전류감지성능을 최적화 할 수 있는 방법에 대해 연구한다. 또한, 이를 바탕으로 얻어진 변류기와 동일한 전력품질을 가지면서 실제 산업에 적용할 수 있는 양방향 브리지리스 역률보상회로용 변류기 구조 및 제어방법을 제안한다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07c
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• pp.2859-2862
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• 2003

본 논문에서는 과전류로부터 보호해야 할 트랜지스터의 정격전력을 고려해 protection level 을 결정하는 과 전류 보호회로를 제안하였다. 기존의 과전류 보호회로는 과부하시 출력 트랜지스터 양단 전압과는 무관하게 단순히 전류의 크기만을 감지해 보호회로를 동작시키기 때문에 출력 트랜지스터의 정격전력을 고려하지 않고 동작을 한다. 하지만 제안된 회로는 출력전압과 출력전류의 크기를 모두 감지해 protection 여부를 결정하기 때문에 protection 시 출력 트랜지스터에서의 소모전력이 거의 일정하도록 유지시켜준다. Protection level 설정에 있어서 기존 방식과 다른 점을 먼저 살펴보고, 실제 오디오 증폭기의 보호회로로 사용된 회로의 동작원리를 설명하겠다. 아울러 실험을 통해 검증된 과전류 보호회로의 동작 결과를 살펴보겠다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.8 no.3
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• pp.447-452
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• 2013

In this paper, the leakage current detection and auto shut-off module for a concent has been developed. Existing leakage current detection modules are detecting resistive leakage current, using a resistive leakage current detection chip but the proposed leakage current detection module separates and detects resistive leakage current in the synthesis leakage current by only programming in a power processor MCU(MSP430). The module implemented by proposed method has early detection and auto shut-off feature at more than resistive leakage current 5mA, and has the advantage of easily adjusting resistive leakage current less or more than 5mA, because of resistive leakage current detection function being implemented by a program in MCU.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.8 no.7
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• pp.1436-1441
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• 2004

Abnormal current-voltage characteristics of an oxide semiconductor have been investigated and a novel method of detecting reducing gases utilizing self-heating mechanism of sensing layer without an additional heater has been developed. Planar-type sensors based on WO3-doped SnO2 were fabricated using a screen-printing technique. The applied voltage across the sensing layer caused heating of the sensing layer and the current abruptly varied upon exposure to a gas mostly as a result of surface reactions. A unique and fascinating aspect of the gas sensing scheme is that no additional heater is necessary for detection. The new sensing method has been applied to C2H5OH gas in this preliminary work.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.43 no.9 s.351
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• pp.23-30
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• 2006

This paper presents a design of a high-efficiency CMOS DC-DC boost converter using a current-sensing feedback method. High-precision current-sensing circuity is incorporated in order to sense the current flowing in the inductor, which determines the switching scheme of the pulse-width modulation. The external components or large chip area for the frequency compensation can be avoided while maintaining the stable operations of the converter. Various input/output voltage levels can be available through the external resistor strings. The designed DC-DC converter is fabricated in a 0.18-um CMOS technology with a thick-gate oxide option. The converter shows the maximum efficiency over 90% for the output voltage of 3.3V and load current larger than 200mA. The load regulation is 1.15% for the load current change of 100mA.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.11
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• pp.781-790
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• 2001

The effects of silicon substrate thickness on the performance of thin film PZT IR detectors are theoretically and experimentally investigated. Theoretical analyses show that the pyroelectric current responsivity of a detector without a silicon substrate is about two orders higher than that of a detector with a 450${\mu}{\textrm}{m}$ thick silicon substrate. At a fixed chopping frequency of 100Hz, the pyroelectric current responsivity decreases exponentially with increasing silicon substrate thickness up to 50${\mu}{\textrm}{m}$, and above 50${\mu}{\textrm}{m}$ the decreasing rate become slow. The thinner the silicon substrate is, the less the thermal loss by conduction is , and thus the higher responsivity is resulted. To verify the theoretical analyses, micromachined PZT thin film IR detectors with different silicon substrate thicknesses are fabricated and characterized. The theoretical and experimental results show the similar tendencies for all silicon substrates with varying thickness.

• Proceedings of the Korea Institute of Fire Science and Engineering Conference
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• 2012.04a
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• pp.389-392
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• 2012

연기감지기는 이온전류의 변화량을 감지하는 이온화식 연기감지기와 발광부와 수광부로 이루어진 챔버내에 연기에 의한 광량의 변화를 감지하는 광전식 연기감지기로 구분된다. 국내에서는 광전식 연기감지기가 더 많이 사용되고 있는데 이러한 광전식 연기감지기의 챔버내에 이물질이 침입하게 되면 비화재보를 발생시키게 된다. 본 논문은 연기감지기의 연기감지 챔버에 대한 비화재보를 감소시키기 위한 신뢰성 시험에 대하여 논한 연구이다. 광전식 연기감지기의 신뢰성을 검증하는 방법으로는 먼지에 대한 신뢰성을 검증하는 가연물 종류에 따른 연기감지 신뢰성 시험이나 분진시험이 적합한 것으로 판단되며, 이러한 시험의 반복을 통하여 광전식 연기감지기의 신뢰성을 검증하는 것이 필요한 것으로 사료된다.

• 방재와보험
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• s.115
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• pp.28-33
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• 2006

공장이나 일반 건물에서 과전류 및 기열에 의해 절연물이 응용되고 유독 가스를 배출하여 화재의 초기 단계로 발전하는 경우가 많다. 이같은 사고를 예방하기 위한 향 검지기와 향 캡슐을 조합한 이상열 감지 시스템 'CAN 열향'의 원리 및 현장 적용 예를 알아본다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.04b
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• pp.256-257
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• 2006

전류 미러회로를 이용한 직류 전류 센서를 이용하면 간단하게 전류센서회로를 구성할 수 있다. 더우기 Shunt 저항에서 낮은 전압을 이용하므로 효율적인 전류감지회로를 구성할 수 있다. 그러나 트랜지스터의 에미터 베이스 전압을 이용하므로 비 직선성이 두드러진다. 이 회로의 전류센서, 온도특성등 여러 전기적 물리적 특성을 이해하고 이를 마이크로프로세서를 이용하여 그 특성을 상쇄하는 구성을 고려하여 보기로 한다.