• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.153-154
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• 2011

본 연구에서는 인덕터-커패시터 필터로 구성되는 종전의 단방향 quasi Z-소스 컨버터의 승압 율을 증가시키는 방법을 제안하였다. 제안한 방법은 종전의 인덕터 필터 대신 다이오드를 필터로 이용하는 방법이다. 종전의 방식에 비해 동일한 출력전압에서 낮은 Z-임피던스 망의 커패시터 전압, 단락 비 등의 장점을 가진다. 타당성을 검증하기 위해 실험을 통해 출력전압, Z-임피던스망의 커패시터 전압 등을 비교 분석하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2008.10a
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• pp.7-9
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• 2008

본 논문에서는 인덕터가 없는 비대칭 PWM 제어 방식의 풀브리지 컨버터를 제안한다. 제안한 컨버터는 위상천이 방식과 달리 순환전류가 없이 스위치 및 다이오드가 항시 에너지를 전달하여 도통손실이 작다. 전압 더블러 구조로서 다이오드의 전압정격이 작고 역방향 회복에 의한 전압 서지가 거의 없어 스너버가 필요 없다. 기존 컨버터와의 비교 분석을 수행하였으며 시뮬레이션을 통해 본 방식의 타당성을 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.187-188
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• 2012

본 논문에서는 영전압 스위칭을 하고 브리지가 없는 부스트 역률 보상 회로를 제안한다. 제안하는 회로에서는 브리지 다이오드를 제거하여 도통 손실을 줄일 수 있다. 게다가, 스위치 내부 다이오드의 역회복 전류 문제를 줄여주고 스위치가 영전압 스위칭을 하므로 스위칭 손실을 크게 줄일 수 있다. 본 논문에서는 제안하는 회로의 이론적 해석 및 설계방법을 설명하고 실험결과를 통해 회로의 동작을 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.21-22
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• 2015

플라이백 컨버터에서 발생하는 EMI 공통모드 잡음은, 스위치 turn-off에서 1차 측 누설 인덕턴스로 인한 기생 진동과 turn-on에서 발생하는 2차 측 출력회로의 기생 진동으로 구성된다. 차동모드 잡음은 직류전원의 스위칭 전류로 인한 전압 강하 성분으로 나타나며 직류전원 임피이던스에 비례하여 증가한다. 1차 측 기생진동은 느린 속도의 일반 다이오드와 직렬저항 삽입으로, 2차 측기생진동은 정류 다이오드의 RC 스너버로 감소 시킨다. 누설 인덕턴스가 큰 UU코어 EMI 필터가 잡음 감소에 유효함을 보인다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.11 no.2
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• pp.5-11
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• 1974

Theoretical analysis is carried out for the beat frequency generation phenomena in the IMPATT diodes an4 the experimental studies are given in parrallel. The theory is based on the space charge modulation effect introduced to the multiplication process by the input signal. Computed results show that the beat frequency output power is linearly dependent upon the signal power and self oscillating power. Also the strong dependence of the output power with respect to the diode negative resistance is found and it turns out that the larger the negative resistance, the stronger the beat frequency output power. Experimental results show a good agreement with the theoretical values. Calculated conversion gain is about -0.4[db] at 10[GHz] and the experimental value shows -6.2[db] below this value. This difference between the theoretical and the experimental values is considered to be the results of the ineffective injection of signal power.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.1
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• pp.14-21
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• 2004

It is essential to increase the switching speed of power devices to reduce the energy loss because high frequency is commonly used in power device operation these days. In this work electron irradiation has been conducted to reduce the lifetime of minority carriers and thereby to increase the switching speed of a$p^+- n^-$ junction diode. Effects of electron irradiation on the electrical properties of the diode are reported The switching speed is effectively increased. Also the junction leakages and the forward voltage drop which are anticipated to increase are found to be negligible in the $p^+- n^-$ junction diodes irradiated with the optimum energy and dose. The analysis results of DLTS and C-V profiling indicate that the defects induced by electron irradiation in the silicon substrate are donor-like ones which have the energy levels of 0.284 eV and 0.483 eV. Considering all the experimental results in this study, it might be concluded that electron irradiation is a very useful technique in improving the switching speed and thereby reducing the energy loss of $p^+- n^-$ junction diode power devices.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.14 no.6
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• pp.514-521
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• 2009

This paper deals with a new overvoltage snubber for a diode-clamped 3-level IGBT inverter. Usually most power converters use snubber circuits to protect the switching devices from voltage spike. However, it is difficult for the diode-clamped multi-level converter to be protected from voltage spike with overvoltage snubber since the series connection of the switching devices. To solve the problem the characteristic of a overvoltage snubber for a DC-DC converter is analyzed, and a new snubber for a diode clamped 3-level inverter is proposed. The performance of the proposed snubber is verified through experiments.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.111-112
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• 2011

대용량 역률 보상 정류기의 스위칭 손실 최소화하기 위해서 인덕터 커플링 방식의 새로운 무손실 스너버 회로를 적용한 역률 보상 정류기 회로를 제안한다. 대용량 역률 보상 정류기 구현에 적합한 CCM 부스트 컨버터의 다이오드 역회복 특성에 따른 문제점을 극복하기 위해서 커플 인덕터를 이용해서 다이오드 턴-오프시 전류의 기울기를 감소시켜 역회복 전류를 줄여 줌으로써 주 스위치의 턴-온 손실을 줄였다. 또한 스위치턴-오프시 발생하는 손실을 최소화하기 위해서 다이오드와 콘덴서를 이용한 무손실 스너버 회로를 설계하였다. 단상 3.3kW 역률 보상회로의 시제품을 제작하여 제안하는 무손실 스너버 회로를 가진 역률보상 정류기의 성능을 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2008.06a
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• pp.203-205
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• 2008

기존의 부스트 컨버터에서는 출력 전압이 커질수록 스위치의 전압 및 전류스트레스가 커지고 다이오드 역방향회복에 의한 서지로 인해 실제 사용 가능한 승압비가 제한된다. 본 논문에서는 높은 승압을 요구하는 대전력 응용에도 적합한 새로운 비절연 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안한 컨버터는 듀티비 0.5로 약 6배의 승압비를 가지며 CCM에서도 영전압 스위칭이 가능하다. 또한 스위치 및 다이오드 전압정격이 출력전압의 1/3로 되고 인터리빙이 가능하여 입출력 수동소자의 정격도 작다. 다이오드도 ZCS 턴오프 동작으로 역방향 회복에 의한 서지가 없다. 제안하는 컨버터의 동작원리를 설명하였고 이론적 해석과 시뮬레이션 및 실험파형을 통해 타당성을 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.97-98
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• 2005

양성자 조사법에 의하여 고속 전력용 다이오드를 제작하기 위하여 punch-through 다이오드에 다양한 조건으로 양성자를 조사하였다. 동일한 소자에 전자선을 조사한 소자와 속도 향상을 위한 공정이 행하여지지 않은 동일한 소자 각각의 특성을 비교 분석하였다. 양성자 주입은 주입 에너지를 1 MeV 와 1.3 MeV로, 각 에너지 조건에서 도즈를 $1\times10^{12}cm^{-2}$, $1\times10^{13}cm^{-2}$로 변화 시켰다. 분석 결과 양성자 주입된 소자에서 역방향 회복시간은 최소 소자의 약 45%, 전자선이 조사된 소자에 비하여 약 73 %의 값으로 향상시킬 수 있었으며 역방향 항복 전압과 순방향 저항은 처리되지 않은 소자와 전자빔이 조사된 시편들의 값과 비슷한 값을 나타내었다.